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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN2400UFB-7	0.3300	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn	DMN2400	MOSFET (금속 (()		X1-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	750MA (TA)	1.8V, 4.5V	550mohm @ 600ma, 4.5v	900MV @ 250µA	0.5 nc @ 4.5 v	± 12V	36 pf @ 16 v	-	470MW (TA)
DMN6040SVTQ-7	0.6300	RFQ	3150	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMN6040	MOSFET (금속 (()		TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	60 v	5A (TA)	4.5V, 10V	44mohm @ 4.3a, 10V	3V @ 250µA	22.4 NC @ 10 v	± 20V	1287 pf @ 25 v	-	1.2W (TA)
PDS5100HQ-13	1.3200	RFQ	11	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	PDS5100	Schottky		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		710 MV @ 5 a		3.5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	5a	-
ZXTP03200BGTA	1.0900	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXTP03200		1.25 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000																							200 v	2 a	50NA (ICBO)			PNP	275mv @ 400ma, 2a	100 @ 1a, 5V	105MHz
PR6004-T	-	RFQ	5124	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	PR6004	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.2 v @ 6 a	150 ns	10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	140pf @ 4V, 1MHz
B520CE-13	-	RFQ	3040	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	B520	Schottky		SMC	다운로드	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		550 mV @ 5 a		100 µa @ 20 v	-	5a	340pf @ 4V, 1MHz
DMP3028LPSQ-13	0.9100	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMP3028	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	30 v	21A (TC)	4.5V, 10V	28mohm @ 7a, 10V	2.4V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1372 pf @ 15 v	-	1.28W
ztx790astoa	-	RFQ	3248	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX790A		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							40 v	2 a	100NA (ICBO)			PNP	750MV @ 50MA, 2A	300 @ 10ma, 2v	100MHz
SBR15A30SP5-13	0.6600	RFQ	1563	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	SBR15	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													30 v		590 mV @ 15 a		100 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	15a	-
PDS1040-13	1.1600	RFQ	173	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	PDS1040	Schottky		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		510 mV @ 10 a		700 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
DMP2012SN-7	0.3900	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2012	MOSFET (금속 (()		SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	20 v	900MA (TA)	2.5V, 4.5V	300mohm @ 400ma, 4.5v	1.2V @ 250µA		± 12V	178.5 pf @ 10 v	-	500MW
SBR20A120CT-E1	-	RFQ	7204	다이오드가 다이오드가	SBR®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBR20	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-SBR20A120CT-E1	귀 99	8541.10.0080	50		짐												1 음극 음극 공통	120 v	10A	790 mV @ 10 a		100 µa @ 120 v	-65 ° C ~ 175 ° C
B250AQ-13-F	0.1221	RFQ	6438	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	B250	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	200pf @ 40V, 1MHz
B230AQ-13-F	0.1018	RFQ	8933	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	B230	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	200pf @ 40V, 1MHz
MBR2060CT-E1	-	RFQ	9121	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky		TO-220-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	10A	810 mv @ 10 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BSS138DWQ-13	0.4200	RFQ	9	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BSS138	MOSFET (금속 (()	200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			50V	200ma		3.5ohm @ 220ma, 10V	1.5V @ 250µA	-		50pf @ 10V	-
BC848B-7-F	0.0349	RFQ	2225	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							30 v	100 MA	15NA			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz
UMC4N-7	0.4100	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	UMC4		150MW	SOT-353	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	100ma	500NA			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300mv @ 500µa, 10ma / 300mv @ 250µa, 5mA	68 @ 5MA, 5V	250MHz	47kohms, 10kohms	47kohms
1N4007L-T	-	RFQ	8250	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다	IN4007L-T	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													1000 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
BZX84C6V2-7-F	0.1600	RFQ	79	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v							6.2 v	10 옴
B340A-13-G	-	RFQ	7893	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	B340	Schottky		SMA	-				31-B340A-13-G			1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	200pf @ 4V, 1MHz
BAS70DW-04-7	-	RFQ	3126	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS70	Schottky		SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
fzt1149atpdw	-	RFQ	6008	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA			1.6 w	SOT-223-3	-				31-FZT1149ATPDW	귀 99	8541.29.0095	1																							25 v	4 a	20NA			PNP	350mv @ 140ma, 4a	270 @ 10MA, 2V	135MHz
MMSZ5232BQ-7-F	0.0365	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5232		370 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-MMSZ5232BQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3 v							5.6 v	11 옴
DMP6110SSS-13	0.5500	RFQ	70	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP6110	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	60 v	4.5A (TA)	4.5V, 10V	110mohm @ 4.5a, 10V	3V @ 250µA	19.4 NC @ 10 v	± 20V	1030 pf @ 30 v	-	1.5W (TA)
B280be-13	-	RFQ	3673	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	B280	Schottky		SMB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													80 v		790 MV @ 2 a		7 µa @ 80 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	70pf @ 4V, 1MHz
1N5235B-T	-	RFQ	2643	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5235		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 5 v							6.8 v	5 옴
DMN2451UFB4Q-7B	0.2600	RFQ	10	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN2451	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000			n 채널	20 v	1.3A (TA)	1.8V, 4.5V	400mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	6.4 NC @ 10 v	± 12V	32 pf @ 16 v	-	660MW (TA)
smaz47-13	-	RFQ	5499	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz47		1 W.	SMA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 35.7 v							47 v	45 옴
ADTC143TUAQ-7	0.2500	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	ADTC143		330 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			npn-사전-	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²