SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMP2012SN-7 Diodes Incorporated DMP2012SN-7 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2012 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 900MA (TA) 2.5V, 4.5V 300mohm @ 400ma, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 12V 178.5 pf @ 10 v - 500MW
SBR20A120CT-E1 Diodes Incorporated SBR20A120CT-E1 -
RFQ
ECAD 7204 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR20 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-SBR20A120CT-E1 귀 99 8541.10.0080 50 1 음극 음극 공통 120 v 10A 790 mV @ 10 a 100 µa @ 120 v -65 ° C ~ 175 ° C
B250AQ-13-F Diodes Incorporated B250AQ-13-F 0.1221
RFQ
ECAD 6438 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B250 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 500 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 40V, 1MHz
B230AQ-13-F Diodes Incorporated B230AQ-13-F 0.1018
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B230 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 40V, 1MHz
MBR2060CT-E1 Diodes Incorporated MBR2060CT-E1 -
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 810 mv @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BSS138DWQ-13 Diodes Incorporated BSS138DWQ-13 0.4200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 50V 200ma 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V -
BC848B-7-F Diodes Incorporated BC848B-7-F 0.0349
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
UMC4N-7 Diodes Incorporated UMC4N-7 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMC4 150MW SOT-353 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300mv @ 500µa, 10ma / 300mv @ 250µa, 5mA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms, 10kohms 47kohms
1N4007L-T Diodes Incorporated 1N4007L-T -
RFQ
ECAD 8250 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 IN4007L-T 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZX84C6V2-7-F Diodes Incorporated BZX84C6V2-7-F 0.1600
RFQ
ECAD 79 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
B340A-13-G Diodes Incorporated B340A-13-G -
RFQ
ECAD 7893 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B340 Schottky SMA - 31-B340A-13-G 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
BAS70DW-04-7 Diodes Incorporated BAS70DW-04-7 -
RFQ
ECAD 3126 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS70 Schottky SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
FZT1149ATPDW Diodes Incorporated fzt1149atpdw -
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.6 w SOT-223-3 - 31-FZT1149ATPDW 귀 99 8541.29.0095 1 25 v 4 a 20NA PNP 350mv @ 140ma, 4a 270 @ 10MA, 2V 135MHz
MMSZ5232BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5232BQ-7-F 0.0365
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5232 370 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-MMSZ5232BQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DMP6110SSS-13 0.5500
RFQ
ECAD 70 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP6110 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 19.4 NC @ 10 v ± 20V 1030 pf @ 30 v - 1.5W (TA)
B280BE-13 Diodes Incorporated B280be-13 -
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB B280 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 790 MV @ 2 a 7 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 70pf @ 4V, 1MHz
1N5235B-T Diodes Incorporated 1N5235B-T -
RFQ
ECAD 2643 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5235 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
DMN2451UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q-7B 0.2600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2451 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 12V 32 pf @ 16 v - 660MW (TA)
SMAZ47-13 Diodes Incorporated smaz47-13 -
RFQ
ECAD 5499 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz47 1 W. SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 35.7 v 47 v 45 옴
ADTC143TUAQ-7 Diodes Incorporated ADTC143TUAQ-7 0.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 ADTC143 330 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
B170-13 Diodes Incorporated B170-13 -
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA B170 Schottky SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 70 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 70 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
MMBT3904Q-7-F Diodes Incorporated MMBT3904Q-7-F 0.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 310 MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
DMG4N60SK3-13 Diodes Incorporated DMG4N60SK3-13 -
RFQ
ECAD 8485 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMG4 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 3.7A (TC) 10V 2.3ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 250µA 14.3 NC @ 10 v ± 30V 532 pf @ 25 v - 48W (TA)
ZMM5266B-7 Diodes Incorporated ZMM5266B-7 -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ZMM5266 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 52 v 68 v 230 옴
ZXT690BKQTC Diodes Incorporated ZXT690BKQTC 1.3100
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1.6 w TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 45 v 3 a 20NA NPN 350MV @ 150MA, 3A 500 @ 100MA, 2V 150MHz
DZ23C20-7-F Diodes Incorporated DZ23C20-7-F 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
BAW56W-7-F Diodes Incorporated BAW56W-7-F 0.2800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 baw56 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBD4148-7 Diodes Incorporated MMBD4148-7 -
RFQ
ECAD 6869 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 기준 SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
2N7002KQ-7 Diodes Incorporated 2N7002KQ-7 0.0541
RFQ
ECAD 8881 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-2N7002KQ-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.3 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
MBR10H100CT-E1 Diodes Incorporated MBR10H100CT-E1 -
RFQ
ECAD 2468 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 - - MBR10 - - - 1 (무제한) 영향을받습니다 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고