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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DDZ5V1B-7 Diodes Incorporated DDZ5V1B-7 0.2500
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ5V1 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1.5 v 5.1 v 17 옴
1N5404-T Diodes Incorporated 1N5404-T -
RFQ
 ECAD 8222 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5404 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 짐 400 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
RS1MSWFN-7 Diodes Incorporated RS1MSWFN-7 -
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123F Rs1m 기준 SOD-123F - 영향을받지 영향을받지 31-RS1MSWFN-7 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 3pf @ 4V, 1MHz
ZXTN25100DFHTA-50 Diodes Incorporated ZXTN25100DFHTA-50 0.1287
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN25100 730 MW SOT-23-3 다운로드 31-ZXTN25100DFHTA-50 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 2.5 a 100NA NPN 330mv @ 250ma, 2.5a 300 @ 10ma, 2v 175MHz
1SS361UDJ-7 Diodes Incorporated 1SS361UDJ-7 0.0774
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-963 1SS361 기준 SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 80 v 250MA (DC) 1.23 V @ 100 ma 4 ns 1 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C
BAT54T-7 Diodes Incorporated BAT54T-7 -
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 Bat54 Schottky SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 10pf @ 10V, 1MHz
DDZ4V3BSF-7 Diodes Incorporated DDZ4V3BSF-7 0.2200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ4V3 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 130 옴
DGTD65T50S1PT Diodes Incorporated DGTD65T50S1PT -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 DGTD65 기준 375 w TO-247 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 7.9ohm, 15V 80 ns 현장 현장 650 v 100 a 200a 2.4V @ 15V, 50A 770µJ (ON), 550µJ (OFF) 287 NC 58ns/328ns
SBR20A100CT-E1 Diodes Incorporated SBR20A100CT-E1 -
RFQ
 ECAD 7518 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR20 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 - 1 (무제한) 31-SBR20A100CT-E1 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 100 v 10A 750 mv @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
SD103CWS-7-F-79 Diodes Incorporated SD103CWS-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 2834 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SD103CWS-7-F-79TR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 10 v -55 ° C ~ 150 ° C 350ma 28pf @ 0V, 1MHz
ZVP3306FTC Diodes Incorporated zvp3306ftc -
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 60 v 90MA (TA) 10V 14ohm @ 200ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 18 v - 330MW (TA)
DMG3415UQ-7 Diodes Incorporated DMG3415UQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3415 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 42.5mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 v ± 8V 294 pf @ 10 v - 900MW (TA)
DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated DDTD113EC-7-F 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD113 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 33 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
DL4006-13-F Diodes Incorporated DL4006-13-F -
RFQ
 ECAD 7774 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4006 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
ZXTP2027FTA Diodes Incorporated zxtp2027fta 0.7900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP2027 1.2 w SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 4 a 20NA (ICBO) PNP 240mv @ 200ma, 4a 100 @ 2a, 2v 165MHz
DMP31D7LW-7 Diodes Incorporated DMP31D7LW-7 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP31 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 380MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA 0.36 nc @ 4.5 v ± 20V 19 pf @ 15 v - 290MW (TA)
ZVP0545ASTOA Diodes Incorporated zvp0545astoa -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 450 v 45MA (TA) 10V 150ohm @ 50ma, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 700MW (TA)
FZT849TA Diodes Incorporated FZT849TA 0.9200
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT849 3 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 7 a 50NA (ICBO) NPN 350MV @ 300MA, 6.5A 100 @ 1a, 1v 100MHz
DMP3050LSS-13 Diodes Incorporated DMP3050LSSS-13 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3050 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 4.8A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 25V 620 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
BCX53TA Diodes Incorporated BCX53TA 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX53 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 150MHz
BAT54ADW-7-F Diodes Incorporated BAT54ADW-7-F 0.4200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bat54 Schottky SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 양극 양극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C
FCX619TA Diodes Incorporated FCX619TA 0.6400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX619 2 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 100NA NPN 320MV @ 100MA, 2.75A 100 @ 2a, 2v 165MHz
DDTA114TE-7-F Diodes Incorporated DDTA114TE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 5157 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA114 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
6A10-T Diodes Incorporated 6A10-T -
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A10 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 짐 1000 v 900 mV @ 6 a 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
N6075D Diodes Incorporated N6075D -
RFQ
 ECAD 3156 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
AZ23C51-7-G Diodes Incorporated AZ23C51-7-G -
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 AZ23C51 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 AZ23C51-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DMN61D9UWQ-7 Diodes Incorporated DMN61D9UWQ-7 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN61 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.4 nc @ 4.5 v ± 20V 28.5 pf @ 30 v - 440MW (TA)
BZT52C5V1-13-G Diodes Incorporated BZT52C5V1-13-G -
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C5V1-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
SBR10U45D1-13 Diodes Incorporated SBR10U45D1-13 0.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SBR10 슈퍼 슈퍼 TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,500 짐 45 v 570 mV @ 10 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
APD240VG-G1 Diodes Incorporated APD240VG-G1 -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 APD240 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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