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불연속 불연속 제품 (13379)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FR304-T Diodes Incorporated FR304-T -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 FR304 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
BAT54CT-7-F-2078 Diodes Incorporated BAT54CT-7-F-2078 -
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 150 ° C
ZXMHN6A07T8TA Diodes Incorporated zxmhn6a07t8ta -
RFQ
 ECAD 8594 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZXMHN6A07T8 MOSFET (금속 (() 1.6W sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 4 n 채널 (채널 교량) 60V 1.4a 300mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 3.2NC @ 10V 166pf @ 40v 논리 논리 게이트
BZT52B6V2-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52B6V2-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52B6V2-7-F-79DI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DSS5220T-13 Diodes Incorporated DSS5220T-13 0.0775
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DSS5220 1.2 w SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 10,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 100ma, 2a 225 @ 500ma, 2V 100MHz
DMC1018UPDWQ-13 Diodes Incorporated DMC1018UPDWQ-13 0.2588
RFQ
 ECAD 3048 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMC1018 MOSFET (금속 (() 2.6W (TA), 25W (TC) PowerDi5060-8 (유형 UXD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmc1018updwq-13tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 12V, 20V 10A (TA), 31.3A (TA), 6.7A (TA), 20.9A (TC) 17mohm @ 11.8a, 4.5v, 38mohm @ 8.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30.4nc @ 8v, 19nc @ 8v 1525pf @ 6v, 866pf @ 6v -
LSC04065Q8 Diodes Incorporated LSC04065Q8 -
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 4-powertsfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DFN8080 다운로드 31-LSC04065Q8 쓸모없는 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 4 a 0 ns 170 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a -
ZVN4206ASTOA Diodes Incorporated zvn4206astoa -
RFQ
 ECAD 3152 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 600MA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
BAV199W-7 Diodes Incorporated BAV199W-7 0.2800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAV199 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 85 v 140ma (DC) 1.1 v @ 50 ma 3 µs 5 na @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
APD340VGTR-G1 Diodes Incorporated APD340VGTR-G1 -
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 APD340 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A -
SBR20U60CTFP-G Diodes Incorporated SBR20U60CTFP-G -
RFQ
 ECAD 1627 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR20 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SBR20U60CTFP-G 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 60 v 20A 710 MV @ 20 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
ZTX790ASTZ Diodes Incorporated ztx790astz 0.4494
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX790 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 750MV @ 50MA, 2A 300 @ 10ma, 2v 100MHz
BAS40-05T-7-F Diodes Incorporated BAS40-05T-7-F 0.3700
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 BAS40 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
DMTH6016LFDFWQ-7R Diodes Incorporated DMTH6016LFDFWQ-7R 0.8100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMTH6016 MOSFET (금속 (() U-DFN2020-6 (SWP) (F 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 925 pf @ 30 v - 1.06W (TA)
ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated zxmp3a17dn8ta 0.7541
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMP3A17 MOSFET (금속 (() 2.1W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 p 채널 (채널) 30V 4.4A (TA) 70mohm @ 3.2a, 10V 1V @ 250µA 8.28NC @ 5V 630pf @ 15V -
FZT951T3DW Diodes Incorporated FZT951T3DW -
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.6 w SOT-223 - 31-FZT951T3DW 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 5 a 50NA PNP 460mv @ 500ma, 5a 100 @ 2a, 1v 120MHz
1N4148WT-7-52 Diodes Incorporated 1N4148WT-7-52 0.0288
RFQ
 ECAD 3252 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1N4148 기준 SOD-523 다운로드 31-1n4148WT-7-52 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 V @ 50 ma 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 125MA 2pf @ 0V, 1MHz
B130Q-13-F Diodes Incorporated B130Q-13-F 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B130 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
GBPC3502W Diodes Incorporated GBPC3502W -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 쟁반 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3502 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
DDZ8V2BQ-7 Diodes Incorporated DDZ8V2BQ-7 -
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ8V2 310 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
AZ23C2V7-7 Diodes Incorporated AZ23C2V7-7 -
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C2V7 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 2.7 v 83 옴
FCX491AQTA Diodes Incorporated FCX491AQTA 0.5500
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. SOT-89-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
ZXTN2018FQTA Diodes Incorporated ZXTN2018FQTA 0.6500
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN2018 1 W. SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-ZXTN2018FQTART 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 5 a 100NA NPN 210mv @ 300ma, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
SBM540-13 Diodes Incorporated SBM540-13 -
RFQ
 ECAD 3526 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 PowerMite®3 SBM540 Schottky Powermite 3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a 250pf @ 4V, 1MHz
ADC143ZUQ-7 Diodes Incorporated ADC143ZUQ-7 0.0651
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC143 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
QSG0115UDJ-7 Diodes Incorporated QSG0115UDJ-7 0.4100
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-963 QSG0115 Schottky SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 15 v 100ma 400 mV @ 10 ma 5 ns 15 µa @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C
DDTC113TUA-7 Diodes Incorporated DDTC113TUA-7 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTC113 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMT10H009SCG-13 Diodes Incorporated DMT10H009SCG-13 0.3849
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT10 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H009SCG-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 14A (TA), 48A (TC) 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2085 pf @ 50 v - 1.3W (TA)
DMN2053U-7 Diodes Incorporated DMN2053U-7 0.3700
RFQ
 ECAD 936 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2053 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 10V 29mohm @ 6a, 10V 1.2V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 v ± 12V 414 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DDTA114WCA-7-F Diodes Incorporated DDTA114WCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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