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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 - 최대 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
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![]() | ZMV933ATC | - | ![]() | 7943 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | ZMV933 | SOD-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 12pf @ 4V, 50MHz | 하나의 | 12 v | - | 150 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMV835BTC | - | ![]() | 5513 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | ZMV835 | SOD-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 71.4pf @ 2v, 1MHz | 하나의 | 25 v | 6.5 | C2/C20 | 100 @ 3V, 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMV930TC | - | ![]() | 3288 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | ZMV930 | SOD-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 2.9pf @ 4V, 50MHz | 하나의 | 12 v | - | 200 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN4468LSSSS-13 | 0.4400 | ![]() | 9401 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMN4468 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 11.6a, 10V | 1.95V @ 250µA | 18.85 NC @ 10 v | ± 20V | 867 pf @ 10 v | - | 1.52W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
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ZC836BTA | - | ![]() | 2864 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZC836B | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 105pf @ 2v, 1MHz | 하나의 | 25 v | 6.5 | C2/C20 | 100 @ 3V, 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | UF5A600D1 | - | ![]() | 1883 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 기준 | TO-252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | UF5A600D1DI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 80 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.9 V @ 5 a | 30 ns | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 5a | 50pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | W06G | - | ![]() | 2938 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4 원, wog | W06 | 기준 | wog | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | W06GDI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1.5 a | 5 µa @ 600 v | 1.5 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN5L06VK-7-79 | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMN5L06 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SOT-563 | - | 31-DMN5L06VK-7-79 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 50V | 280MA (TA) | 2ohm @ 50ma, 5V | 1.2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B330-13 | - | ![]() | 5246 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | B330 | Schottky | SMC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 200pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BAT54-7-F-31 | - | ![]() | 3497 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-BAT54-7-F-31TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5711W-7 | - | ![]() | 9221 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | SOD-123 | 1N5711 | SOD-123 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 15 MA | 333 MW | 2pf @ 0V, 1MHz | Schottky- 싱글 | 70V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ2510 | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | GBJ2510 | 기준 | GBJ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 12.5 a | 10 µa @ 1000 v | 25 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ15005 | - | ![]() | 8041 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | GBJ15005 | 기준 | GBJ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | GBJ15005DI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 7.5 a | 10 µa @ 50 v | 15 a | 단일 단일 | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5221BS-7 | - | ![]() | 7399 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5221BS | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 µa @ 1 v | 2.4 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3020LSD-13 | 0.2133 | ![]() | 9928 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMT3020 | MOSFET (금속 (() | 1W (TA) | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 16A (TC) | 20mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7NC @ 10V | 393pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT32M5LPSW-13 | 0.4626 | ![]() | 6970 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | DMT32 | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (유형 ux) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT32M5LPSW-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 1mA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 4389 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5254BTS-7-F | 0.1300 | ![]() | 3174 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5254 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 21 v | 27 v | 41 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN1053UCP4-7 | 0.4100 | ![]() | 8472 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | DMN1053 | MOSFET (금속 (() | X3-DSN0808-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 2.7A (TA) | 1.2V, 4.5V | 42mohm @ 1a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 8V | 908 pf @ 6 v | - | 1.34W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC10120 | 10.5900 | ![]() | 7782 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | DSC10 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | to220AC ((wx) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-DSC10120 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 640 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 611pf @ 100mv, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMS2811TC | - | ![]() | 4161 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | ZMS2811 | SOD-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 20 MA | 250 MW | 1.2pf @ 0v, 1MHz | Schottky- 싱글 | 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMV830BTC | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | ZMV830 | SOD-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 10.5pf @ 2v, 1MHz | 하나의 | 25 v | 6 | C2/C20 | 300 @ 3V, 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZC832BTA | - | ![]() | 9488 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZC832B | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 23.1pf @ 2v, 1MHz | 하나의 | 25 v | 6.5 | C2/C20 | 200 @ 3V, 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZC834ATC | - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZC834A | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 51.7pf @ 2v, 1MHz | 하나의 | 25 v | 6.5 | C2/C20 | 200 @ 3V, 50MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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