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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DDZ12CSF-7 Diodes Incorporated DDZ12CSF-7 0.2000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ12 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 70 NA @ 11.2 v 12.05 v 35 옴
DMN3731U-7 Diodes Incorporated DMN3731U-7 0.2500
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3731 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 900MA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200ma, 4.5v 950MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V 73 pf @ 25 v - 400MW
1SMB5947B-13 Diodes Incorporated 1SMB5947B-13 0.1300
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5947 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
PR1004L-T Diodes Incorporated PR1004L-T -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 PR1004 기준 DO-41 - 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
DZ23C18-7-F Diodes Incorporated DZ23C18-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 18 v 50 옴
BZX84C33-7 Diodes Incorporated BZX84C33-7 -
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
SDM2100S1F-7 Diodes Incorporated SDM2100S1F-7 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F SDM2100 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 150 na @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 42pf @ 4V, 1MHz
DMN6040SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-13 0.1949
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN6040 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 44mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
SBRT40V100CTFP Diodes Incorporated SBRT40V100CTFP 1.4800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, Trenchsbr 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBRT40 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 100 v 20A 730 mv @ 20 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK36-7 Diodes Incorporated SK36-7 -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK36 Schottky SMC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 300pf @ 4V, 1MHz
ES2B-13 Diodes Incorporated ES2B-13 -
RFQ
 ECAD 1411 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2B 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
DDZ9V1CQ-7 Diodes Incorporated DDZ9V1CQ-7 -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2.5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ9V1 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 9.1 v 8 옴
SBRT3U45SAF-13 Diodes Incorporated SBRT3U45SAF-13 0.4700
RFQ
 ECAD 4609 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SBRT3 슈퍼 슈퍼 smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 480 mV @ 3 a 150 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q-13 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 55A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2245 pf @ 50 v - 2W (TA)
DMN62D4LDW-13 Diodes Incorporated DMN62D4LDW-13 0.0444
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN62 MOSFET (금속 (() 330MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmn62d4ldw-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 261MA (TA) 3ohm @ 200ma, 10V 2V @ 250µA 1.04NC @ 10V 41pf @ 30v -
DDTC144EUAQ-13-F Diodes Incorporated DDTC144EUAQ-13-F 0.0299
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC144 200 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 5ma, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
BZT52C2V7-13-F Diodes Incorporated BZT52C2V7-13-F 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
B230AF-13 Diodes Incorporated B230AF-13 0.4400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 B230 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 93pf @ 4v, 1MHz
DXTP22040DFGQ-7 Diodes Incorporated DXTP22040DFGQ-7 0.2175
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.07 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DXTP22040DFGQ-7TR 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 20NA PNP 600mv @ 300ma, 3a 340 @ 100MA, 2V 120MHz
DMP6110SVTQ-13 Diodes Incorporated DMP6110SVTQ-13 0.2389
RFQ
 ECAD 1544 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP6110 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 60 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 969 pf @ 30 v - 1.8W (TA)
BC847BTQ-7 Diodes Incorporated BC847BTQ-7 0.0398
RFQ
 ECAD 9618 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BC847 150 MW SOT-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BC847BTQ-7TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMN6075S-13 Diodes Incorporated DMN6075S-13 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 606 PF @ 20 v - 800MW (TA)
DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated DMC31D5UDJ-7 0.4100
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMC31 MOSFET (금속 (() 350MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 및 p 채널 30V 220MA, 200MA 1.5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V 논리 논리 게이트
HS1DDF-13 Diodes Incorporated HS1DDF-13 0.0896
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 HS1D 기준 D- 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 1 a 15 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
1N4937GL-T Diodes Incorporated 1N4937GL-T -
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
SBR12A45SD1-T Diodes Incorporated SBR12A45SD1-T 0.8900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SBR12 슈퍼 슈퍼 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 480 mV @ 12 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
DMN2120UFCL-7 Diodes Incorporated DMN2120UFCL-7 0.0832
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn DMN2120 MOSFET (금속 (() U-DFN1616-6 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMN2120UFCL-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.8A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 2.8 NC @ 10 v ± 12V 130 pf @ 10 v - 450MW (TA)
DDA144EH-7 Diodes Incorporated DDA144EH-7 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDA144 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
2N7002DWQ-7-F Diodes Incorporated 2N7002DWQ-7-F 0.3700
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 310MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 230ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
FZT600BTA Diodes Incorporated FZT600BTA 0.6800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT600 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 140 v 2 a 10µA npn-달링턴 1.2v @ 10ma, 1a 10000 @ 500ma, 10V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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