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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMTH47M2LPSW-13	0.2303	RFQ	3180	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	DMTH47	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH47M2LPSW-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	40 v	73A (TC)	4.5V, 10V	7.3mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	891 pf @ 20 v	-	3.8W (TA), 68W (TC)
DCX114YUQ-13-F	0.0718	RFQ	6013	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101, DCX (XXXX) u	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX114		200MW	SOT-363	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DCX114YUQ-13-FTR	귀 99	8541.21.0075	10,000																							50V	100ma	500NA (ICBO)			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	10kohms	47kohms
DXTN22040DFGQ-7	0.5700	RFQ	6697	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn			1.1 w	PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							40 v	2 a	50NA			NPN	600mv @ 300ma, 3a	300 @ 500ma, 2V	198MHz
SBR5E45P5-13D	0.1740	RFQ	6300	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	SBR5E45	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SBR5E45P5-13DDI	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													45 v		600 mV @ 5 a		280 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
MBR2060CT-E1	-	RFQ	9121	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky		TO-220-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	10A	810 mv @ 10 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
DMP3028LPSQ-13	0.9100	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMP3028	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	30 v	21A (TC)	4.5V, 10V	28mohm @ 7a, 10V	2.4V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1372 pf @ 15 v	-	1.28W
BAS70DW-04-7	-	RFQ	3126	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS70	Schottky		SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SBR20A120CT-E1	-	RFQ	7204	다이오드가 다이오드가	SBR®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBR20	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-SBR20A120CT-E1	귀 99	8541.10.0080	50		짐												1 음극 음극 공통	120 v	10A	790 mV @ 10 a		100 µa @ 120 v	-65 ° C ~ 175 ° C
1N4007L-T	-	RFQ	8250	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다	IN4007L-T	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													1000 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
DFLZ5V6Q-7	0.1417	RFQ	8272	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	PowerDI®123	DFLZ5		1 W.	PowerDI ™ 123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DFLZ5V6Q-7DI	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 2 v							5.6 v	1 옴
FMMT634QTA	0.5700	RFQ	107	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT634		806 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							100 v	900 MA	100NA			npn-달링턴	960mv @ 5ma, 1a	20000 @ 100MA, 5V	140MHz
SBR20150CT	0.8700	RFQ	50	다이오드가 다이오드가	SBR®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBR20150	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		짐												1 음극 음극 공통	150 v	10A	880 mV @ 10 a		100 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C
DMTH3002LK3-13	0.5341	RFQ	8151	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH3002LK3-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	30 v	150A (TC)	4.5V, 10V	2.45mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA	69 NC @ 15 v	± 16V	4336 pf @ 15 v	-	1.9W (TA)
SDT10A100P5-13D	0.2114	RFQ	4981	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	SDT10	Schottky		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		680 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
DDZX5V1B-7	0.2500	RFQ	177	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDZX5		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1.5 v							5.1 v	17 옴
BSS84V-7	0.4600	RFQ	980	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	BSS84	MOSFET (금속 (()	150MW	SOT-563	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			50V	130ma		10ohm @ 100ma, 5V	2V @ 1mA	-		45pf @ 25V	논리 논리 게이트
US1B-13-F	0.4300	RFQ	340	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BC858B-7-F	0.0349	RFQ	4381	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC858		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							30 v	100 MA	15NA			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	200MHz
ADTA143ECAQ-13	0.0526	RFQ	7585	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTA143		310 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-ADTA143ECAQ-13TR	귀 99	8541.21.0075	10,000																							50 v	100 MA	500NA			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	20 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
DMTH6016LPDQ-13-52	0.4970	RFQ	7255	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH6016	MOSFET (금속 (()	2.5W (TA), 37.5W (TC)	PowerDI5060-8	다운로드				31-DMTH6016LPDQ-13-52	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널			60V	9.2A (TA), 33.2A (TC)		19mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	17nc @ 10V		864pf @ 30v	기준
DDTA143ECA-7-F	0.0386	RFQ	9623	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA143		200 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	20 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
SBL550	-	RFQ	4214	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2		Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BSS123-7	-	RFQ	1274	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS123	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	100 v	170ma (TA)	10V	6ohm @ 170ma, 10V	2V @ 1mA		± 20V	60 pf @ 25 v	-	300MW (TA)
BCX54TA	0.4000	RFQ	775	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BCX54		1 W.	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																							45 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	40 @ 150ma, 2v	150MHz
BZT52C3V0-7-G	-	RFQ	3597	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					BZT52				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BZT52C3V0-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
DSS2540M-7B	0.3900	RFQ	167	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn	DSS2540		250 MW	X1-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																							40 v	500 MA	100NA (ICBO)			NPN	250mv @ 50ma, 500ma	150 @ 100MA, 2V	300MHz
DMN2025UFDB-13	0.1272	RFQ	3842	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMN2025	MOSFET (금속 (()	700MW (TA)	u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			20V	6A (TA)		25mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	12.3NC @ 10V		486pf @ 10V	-
DMN62D0UT-7	0.3900	RFQ	3285	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN62	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	60 v	320MA (TA)	1.8V, 2.5V, 4.5V	2ohm @ 50ma, 4.5v	1V @ 250A	0.5 nc @ 4.5 v	± 20V	32 pf @ 30 v	-	230MW (TA)
MMSZ5236B-7	-	RFQ	6568	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5236B		500MW	SOD-123	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v							7.5 v	6 옴
ZVP4525ZTA	0.9100	RFQ	95	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	ZVP4525	MOSFET (금속 (()		SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000			p 채널	250 v	205MA (TA)	3.5V, 10V	14ohm @ 200ma, 10V	2V @ 1mA	3.45 nc @ 10 v	± 40V	73 pf @ 25 v	-	1.2W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²