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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated zxmhc6a07t8ta 1.7000
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZXMHC6 MOSFET (금속 (() 1.3W sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 및 2 p 및 (하프 브리지) 60V 1.6a, 1.3a 300mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 3.2NC @ 10V 166pf @ 40v 논리 논리 게이트
BZX84C2V7-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V7-7-F 0.1500
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZT52C8V2-13 Diodes Incorporated BZT52C8V2-13 -
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
MBRM5100-13 Diodes Incorporated MBRM5100-13 -
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 PowerMite®3 MBRM5100 Schottky Powermite 3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mv @ 5 a 200 µa @ 100 v -65 ° C ~ 125 ° C 5a -
DDZ11CQ-7 Diodes Incorporated DDZ11CQ-7 -
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 0.06% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ11 310 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DDZ11CQ-7DI 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8.4 v 11.1 v 10 옴
B360AM-13-F Diodes Incorporated B360AM-13-F 0.4900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B360 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
DMN3300UQ-7 Diodes Incorporated DMN3300UQ-7 0.1084
RFQ
 ECAD 8051 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3300 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3300UQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 1.5A (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 193 pf @ 10 v - 700MW
MBR3100VRTR-G1 Diodes Incorporated MBR3100VRTR-G1 -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
LZ52C15WS Diodes Incorporated LZ52C15WS -
RFQ
 ECAD 8580 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) LZ52C 500MW 1206 - 31-LZ52C15W 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
1N5821-B Diodes Incorporated 1N5821-B -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5821 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1N5821-BDI 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 2 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
DMTH47M2LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH47M2LPSW-13 0.2303
RFQ
 ECAD 3180 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH47 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH47M2LPSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 73A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 891 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
DCX114YUQ-13-F Diodes Incorporated DCX114YUQ-13-F 0.0718
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, DCX (XXXX) u 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DCX114YUQ-13-FTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
DXTN22040DFGQ-7 Diodes Incorporated DXTN22040DFGQ-7 0.5700
RFQ
 ECAD 6697 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.1 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 50NA NPN 600mv @ 300ma, 3a 300 @ 500ma, 2V 198MHz
SBR5E45P5-13D Diodes Incorporated SBR5E45P5-13D 0.1740
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR5E45 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBR5E45P5-13DDI 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 45 v 600 mV @ 5 a 280 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MBR2060CT-E1 Diodes Incorporated MBR2060CT-E1 -
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 810 mv @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMP3028LPSQ-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSQ-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP3028 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1372 pf @ 15 v - 1.28W
BAS70DW-04-7 Diodes Incorporated BAS70DW-04-7 -
RFQ
 ECAD 3126 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS70 Schottky SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
SBR20A120CT-E1 Diodes Incorporated SBR20A120CT-E1 -
RFQ
 ECAD 7204 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR20 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-SBR20A120CT-E1 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 120 v 10A 790 mV @ 10 a 100 µa @ 120 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N4007L-T Diodes Incorporated 1N4007L-T -
RFQ
 ECAD 8250 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 IN4007L-T 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
DFLZ5V6Q-7 Diodes Incorporated DFLZ5V6Q-7 0.1417
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI®123 DFLZ5 1 W. PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DFLZ5V6Q-7DI 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 2 v 5.6 v 1 옴
FMMT634QTA Diodes Incorporated FMMT634QTA 0.5700
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT634 806 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 900 MA 100NA npn-달링턴 960mv @ 5ma, 1a 20000 @ 100MA, 5V 140MHz
SBR20150CT Diodes Incorporated SBR20150CT 0.8700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR20150 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 100 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
DMTH3002LK3-13 Diodes Incorporated DMTH3002LK3-13 0.5341
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH3002LK3-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 2.45mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 69 NC @ 15 v ± 16V 4336 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SDT10A100P5-13D Diodes Incorporated SDT10A100P5-13D 0.2114
RFQ
 ECAD 4981 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SDT10 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 680 mV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
DDZX5V1B-7 Diodes Incorporated DDZX5V1B-7 0.2500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX5 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1.5 v 5.1 v 17 옴
BSS84V-7 Diodes Incorporated BSS84V-7 0.4600
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BSS84 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 130ma 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 논리 논리 게이트
US1B-13-F Diodes Incorporated US1B-13-F 0.4300
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BC858B-7-F Diodes Incorporated BC858B-7-F 0.0349
RFQ
 ECAD 4381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
ADTA143ECAQ-13 Diodes Incorporated ADTA143ECAQ-13 0.0526
RFQ
 ECAD 7585 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA143 310 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ADTA143ECAQ-13TR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DMTH6016LPDQ-13-52 Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ-13-52 0.4970
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH6016 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA), 37.5W (TC) PowerDI5060-8 다운로드 31-DMTH6016LPDQ-13-52 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 60V 9.2A (TA), 33.2A (TC) 19mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 17nc @ 10V 864pf @ 30v 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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