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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMPH4023SK3-13 Diodes Incorporated DMPH4023SK3-13 0.3004
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMPH4023 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 10V 26mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 18.7 NC @ 10 v ± 20V 1091 pf @ 20 v - 2.1W (TA)
DMN4025LSD-13 Diodes Incorporated DMN4025LSD-13 -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 - DMN4025 MOSFET (금속 (() - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN4025LSD-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 7.4A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.4a, 10V 1.8V @ 250µA 37.6 NC @ 10 v ± 20V 1790 pf @ 20 v - -
SDM05A30CP3-7 Diodes Incorporated SDM05A30CP3-7 0.0743
RFQ
 ECAD 7319 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-xdfn SDM05 Schottky X3-WLB0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 710 mV @ 500 mA 4.8 ns 9 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 7pf @ 10V, 1MHz
B345CE-13 Diodes Incorporated B345CE-13 -
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC B345 Schottky SMC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 3 a 300 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 140pf @ 4V, 1MHz
DMT6015LSS-13 Diodes Incorporated DMT6015LSS-13 0.7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMT6015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.2A (TA) 4.5V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 18.9 NC @ 30 v ± 16V 1103 pf @ 30 v - 1.5W (TA)
DMP2035UFDF-13 Diodes Incorporated DMP2035UFDF-13 0.1238
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2035 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 8.1A (TA) 1.5V, 4.5V 29mohm @ 6.4a, 4.5v 1V @ 250µA 20.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1808 pf @ 15 v - 2.03W (TA)
BAT54SDW-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT54SDW-7-F-2477 -
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky SOT-363 - 31-BAT54SDW-7-F-2477 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5232BS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5232BS-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5232 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
PR6002-T Diodes Incorporated PR6002-T -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-6, 축, PR6002 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 6 a 150 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A 140pf @ 4V, 1MHz
FR106-T Diodes Incorporated FR106-T -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 FR106 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
SBR12M120P5-13 Diodes Incorporated SBR12M120P5-13 0.8200
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR12 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 120 v 830 mv @ 12 a 200 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
BZX84C20-7-F Diodes Incorporated BZX84C20-7-F 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
SD103BWS-7 Diodes Incorporated SD103BWS-7 -
RFQ
 ECAD 6750 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-76, SOD-323 SD103B Schottky SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 350ma 28pf @ 0V, 1MHz
SBR12U100P5Q-13 Diodes Incorporated SBR12U100P5Q-13 0.9900
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR12 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 100 v 780 MV @ 12 a 250 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
BAS40W-04-7-F Diodes Incorporated BAS40W-04-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 574 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS40 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
BSS123K-7 Diodes Incorporated BSS123K-7 0.1441
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS123K-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA 1.3 NC @ 10 v ± 20V 38 pf @ 50 v 기준 500MW
RL207-T Diodes Incorporated RL207-T -
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 RL207 기준 DO-15 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 짐 1000 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated DMC31D5UDJ-7 0.4100
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMC31 MOSFET (금속 (() 350MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 및 p 채널 30V 220MA, 200MA 1.5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V 논리 논리 게이트
ZXT12N20DXTA Diodes Incorporated zxt12n20dxta 1.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXT12N20 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20V 3.5a 100NA 2 NPN (() 200MV @ 50MA, 3.5A 300 @ 1a, 2v 112MHz
DMP6110SVTQ-13 Diodes Incorporated DMP6110SVTQ-13 0.2389
RFQ
 ECAD 1544 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP6110 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 60 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 969 pf @ 30 v - 1.8W (TA)
DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated DMN2230UQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2230 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 110mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 2.3 NC @ 10 v ± 12V 188 pf @ 10 v - 600MW (TA)
BC847BTQ-7 Diodes Incorporated BC847BTQ-7 0.0398
RFQ
 ECAD 9618 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BC847 150 MW SOT-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BC847BTQ-7TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SPSQ-13 1.9400
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2245 pf @ 50 v - 1.6W (TA)
DMP3018SFK-7 Diodes Incorporated DMP3018SFK-7 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP3018 MOSFET (금속 (() U-DFN2523-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10.2A (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 9.5a, 10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 25V 4414 pf @ 15 v - 1W (TA)
MMBT3906-13 Diodes Incorporated MMBT3906-13 -
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
HS1DDF-13 Diodes Incorporated HS1DDF-13 0.0896
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 HS1D 기준 D- 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 1 a 15 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
1N4937GL-T Diodes Incorporated 1N4937GL-T -
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
MMBT4403-7 Diodes Incorporated MMBT4403-7 -
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4403 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA - PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
MBR16100CT Diodes Incorporated MBR16100CT -
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 튜브 쓸모없는 MBR16100 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR16100CTDI 귀 99 8541.10.0080 50
DZ23C18-7 Diodes Incorporated DZ23C18-7 -
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C18 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 18 v 50 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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