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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)
SBL2045CT	-	RFQ	8399	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBL2045	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SBL2045CTDI	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	20A	550 mV @ 10 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
APD240VD-G1	-	RFQ	5562	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	APD240	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
DMG3414UQ-13	0.1066	RFQ	6173	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG3414	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	20 v	4.2A (TA)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 8.2a, 4.5v	900MV @ 250µA	9.6 NC @ 4.5 v	± 8V	829.9 pf @ 10 v	-	780MW
ZXTP19020DZTA	0.7400	RFQ	17	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	ZXTP19020		2.4 w	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																							20 v	6 a	50NA (ICBO)			PNP	275mv @ 300ma, 6a	300 @ 100MA, 2V	176MHz
BAS21T-7	-	RFQ	7786	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	SOT-523	BAS21	기준		SOT-523	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
DDTC113TUA-7-F	0.0435	RFQ	9874	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTC113		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			npn-사전-	300mv @ 1ma, 10ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	1 KOHMS
SBR30100CT-G	-	RFQ	2942	다이오드가 다이오드가	SBR®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBR30100	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드		1 (무제한)		31-SBR30100CT-G	귀 99	8541.10.0080	50		짐												1 음극 음극 공통	100 v	15a	850 mV @ 15 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C
BAS19W-7	0.4400	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	*	컷 컷 (CT)	활동적인					BAS19				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1034-BAS19W-7DKR	귀 99	8541.10.0070	3,000
FMMT718TC	0.4000	RFQ	1724	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT718		625 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																							20 v	1.5 a	100NA			PNP	220MV @ 50MA, 1.5A	300 @ 100MA, 2V	180MHz
MBRB10150CT	0.5548	RFQ	8160	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10150	Schottky		TO-263	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	5a	890 mV @ 5 a		50 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MBRB20150CT-13	0.7800	RFQ	786	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20150	Schottky		TO-263	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	10A	900 mV @ 10 a		50 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
ZTX450	0.7700	RFQ	4540	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3	ZTX450		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	ZTX450-NDR	귀 99	8541.29.0075	4,000																							45 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	250mv @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 10V	150MHz
DNLS320A-7	-	RFQ	8628	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DNLS320		600MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							20 v	2 a	100NA (ICBO)			NPN	310mv @ 300ma, 3a	220 @ 1a, 2v	220MHz
S1BB-13-F	0.3500	RFQ	282	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S1B	기준		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													100 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
DMP3068L-7	0.4200	RFQ	79	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP3068	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	30 v	3.3A (TA)	1.8V, 10V	72mohm @ 4.2a, 10V	1.3V @ 250µA	15.9 NC @ 10 v	± 12V	708 pf @ 15 v	-	700MW (TA)
DMN2550UFA-7B	0.3700	RFQ	9	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN2550	MOSFET (금속 (()		X2-DFN0806-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	20 v	600MA (TA)	1.5V, 4.5V	450mohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.88 nc @ 4.5 v	± 8V	52.5 pf @ 16 v	-	360MW (TA)
DMG8822UTS-13	0.1790	RFQ	5162	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	DMG8822	MOSFET (금속 (()	870MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,500	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	4.9A (TA)		25mohm @ 8.2a, 4.5v	900MV @ 250µA	9.6NC @ 4.5V		841pf @ 10v	-
DMT10H009LFG-7	0.4980	RFQ	1215	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT10	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DMT10H009LFG-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	100 v	13A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	2361 pf @ 50 v	-	2W (TA), 30W (TC)
BZX84C30-7	-	RFQ	8643	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 7%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v							30 v	80 옴
SBRT5A50SAF-13	0.5800	RFQ	64	다이오드가 다이오드가	트렌치 트렌치	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SBRT5	슈퍼 슈퍼		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	10,000		짐													50 v		530 mv @ 5 a		150 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
DMN3012LEG-7	1.5100	RFQ	6818	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn	DMN3012	MOSFET (금속 (()	2.2W (TC)	PowerDI3333-8 (유형 D)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000	2 n 채널 (채널 교량)			30V	10A (TA), 20A (TC)		12MOHM @ 15A, 5V, 6MOHM @ 15A, 5V	2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA	6.1nc @ 4.5v, 12.6nc @ 4.5v		850pf @ 15v, 1480pf @ 15v	-
DMP6350SQ-13	0.1418	RFQ	3257	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP6350	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP6350SQ-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널	60 v	1.5A (TA)	4.5V, 10V	350mohm @ 900ma, 10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 10 v	± 20V	206 pf @ 30 v	-	720MW
DMN6069SFVWQ-7	0.1790	RFQ	7663	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMN6069	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN6069SFVWQ-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	60 v	4A (TA), 14A (TC)	4.5V, 10V	69mohm @ 3a, 10V	3V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	740 pf @ 30 v	-	2.5W (TA)
DXTP03200BP5-13	0.7500	RFQ	17	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerDI ™ 5	DXTP03200		3.2 w	PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	5,000																							200 v	2 a	50NA (ICBO)			PNP	275mv @ 400ma, 2a	100 @ 1a, 5V	105MHz
BZT52C3V9S-7-F	0.2800	RFQ	111	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v							3.9 v	90 옴
RS1MB-13-G	-	RFQ	8030	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					Rs1m				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	RS1MB-13-GDI	귀 99	8541.10.0080	3,000
S2DA	-	RFQ	4495	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		SMA	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-S2DA	귀 99	8541.10.0080	1		짐													200 v		1.15 V @ 1.5 a	1.5 µs	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
SBR60A45CT	3.0700	RFQ	50	다이오드가 다이오드가	SBR®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBR60	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	30A	550 mV @ 30 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
zxmp3f30fhta	0.4300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMP3F30	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	30 v	2.8A (TA)	4.5V, 10V	80mohm @ 2.5a, 10V	1V @ 250µA	7 nc @ 10 v	± 20V	370 pf @ 15 v	-	950MW (TA)
DMN2710UDWQ-13	0.0565	RFQ	8263	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN2710	-	360MW (TA)	SOT-363	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-dmn2710udwq-13tr	귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			20V	800MA (TA)		450mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		42pf @ 16V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²