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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZMM5244B-7 Diodes Incorporated ZMM5244B-7 -
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ZMM5244 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
FES2DEQ-7 Diodes Incorporated FES2DEQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-219AA 기준 DO-219AA 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 32pf @ 4v, 1MHz
DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated DMC4047LSD-13 0.6200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC4047 MOSFET (금속 (() 1.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 7a, 5.1a 24mohm @ 6a, 10V 2.4V @ 250µA 19.1NC @ 10V 1060pf @ 20V 논리 논리 게이트
UDZ15B-7-F Diodes Incorporated UDZ15B-7-F -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 100 na @ 11 v 15 v 42 옴
SBRT20U60SP5-13 Diodes Incorporated SBRT20U60SP5-13 0.8600
RFQ
 ECAD 6913 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBRT20 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 60 v 530 mV @ 20 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZX84C2V4Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C2V4Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8.33% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C2V4Q-13-FTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
DMN2004WK-7 Diodes Incorporated DMN2004WK-7 0.4300
RFQ
 ECAD 381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA ± 8V 150 pf @ 16 v - 200MW (TA)
MMBZ5241BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5241BW-7 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
MMBZ5237BQ-13-F Diodes Incorporated MMBZ5237BQ-13-F 0.0264
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-MMBZ5237BQ-13-FTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated DMN2004DWK-7 0.4900
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN2004 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 540ma 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA - 150pf @ 16V 논리 논리 게이트
SBL2060CT Diodes Incorporated SBL2060CT -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBL2060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 750 mv @ 10 a 1 ma @ 60 v
DMN2100UDM-7 Diodes Incorporated DMN2100UDM-7 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMN2100 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.3A (TA) 1.5V, 4.5V 55mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA ± 8V 555 pf @ 10 v - 1W (TA)
1SMB5949B-13 Diodes Incorporated 1SMB5949B-13 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5949 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
DMN2053UWQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UWQ-13 0.0635
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2053 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2053UWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 2.9A (TA) 1.5V, 4.5V 56mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 3.6 NC @ 4.5 v ± 12V 369 pf @ 10 v - 470MW (TA)
1N5399S-T Diodes Incorporated 1N5399S-t -
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5399 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated DMTH3004LFG-7 0.1518
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMTH3004 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 15A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 16V 2370 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
BZX84C7V5-7-F Diodes Incorporated BZX84C7V5-7-F 0.1500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZX84C33Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C33Q-7-F 0.0357
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C33Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated DMN53D0U-7 0.3300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN53 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 300MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 12V 37.1 pf @ 25 v - 520MW (TA)
SBRT4M30LP-7 Diodes Incorporated SBRT4M30LP-7 -
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 다이오드가 다이오드가 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-powerudfn SBRT4 슈퍼 슈퍼 U-DFN3030-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 510 mV @ 4 a 30 ns 60 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 150pf @ 30V, 1MHz
BZT52C16-7 Diodes Incorporated BZT52C16-7 -
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11.2 v 16 v 40
DDTC124GUA-7-F Diodes Incorporated DDTC124GUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC124 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS
SBL1060CT Diodes Incorporated sbl1060ct -
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mv @ 5 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H025LPSQ-13 0.3814
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMTH10H025LPSQ-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 9.3A (TA), 45A (TC) 6V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1477 pf @ 50 v - 3.2W (TA), 79W (TC)
SBR0560S1-7 Diodes Incorporated SBR0560S1-7 0.4800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SBR0560 슈퍼 슈퍼 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 500 mA 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 500ma -
PR1505-T Diodes Incorporated PR1505-T -
RFQ
 ECAD 6805 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 PR1505 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
DMN3029LFG-13 Diodes Incorporated DMN3029LFG-13 0.1514
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3029 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 18.6MOHM @ 10A, 10V 1.8V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 25V 580 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMN13H750S-13 Diodes Incorporated DMN13H750S-13 0.1701
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN13 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN13H750S-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 130 v 1A (TA) 6V, 10V 750mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 5.6 NC @ 10 v ± 20V 231 pf @ 25 v - 770MW (TA)
BZT52C6V8-7-G Diodes Incorporated BZT52C6V8-7-G -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C6V8-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BSS123Q-13 Diodes Incorporated BSS123Q-13 0.2600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 300MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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