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디스크리트 반도체(13379)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DMTH4004LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004LPSQ-13 0.6041
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 ECAD 1198 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMTH4004 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. DMTH4004LPSQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.5m옴 @ 50A, 10V 3V @ 250μA 69.6nC @ 10V ±20V 5220pF @ 20V - 2.83W(Ta), 125W(Tc)
GDZ6V8LP3Q-7 Diodes Incorporated GDZ6V8LP3Q-7 0.0498
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 ECAD 4202 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±4.93% -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 0201(0603미터법) 250mW X3-DFN0603-2 다운로드 31-GDZ6V8LP3Q-7 EAR99 8541.10.0050 10,000 500nA @ 3.5V 6.8V
ZXMP10A17GQTC Diodes Incorporated ZXMP10A17GQTC 0.4410
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 ECAD 9022 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 P채널 100V 1.7A(타) 6V, 10V 450m옴 @ 1.2A, 6V 4V @ 250μA 10.7nC @ 10V ±20V 50V에서 424pF - 2W(타)
DMN2055UQ-13 Diodes Incorporated DMN2055UQ-13 0.0640
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 ECAD 3184 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2055 MOSFET(금속) SOT-23-3 - 31-DMN2055UQ-13 EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 20V 4.8A(타) 2.5V, 4.5V 38m옴 @ 3.6A, 4.5V 1V @ 250μA 4.3nC @ 4.5V ±8V 10V에서 400pF - 800mW(타)
BZT585B13TQ-7 Diodes Incorporated BZT585B13TQ-7 0.0806
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 ECAD 6064 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 BZT585 350mW SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. BZT585B13TQ-7DI EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 13V 10옴
BAV23A-7 Diodes Incorporated BAV23A-7 -
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 ECAD 9087 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 기준 SOT-23-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍 구역 200V 400mA(DC) 1.25V @ 200mA 50ns 200V에서 100nA -65°C ~ 150°C
SDT30A100CTFP Diodes Incorporated SDT30A100CTFP 0.8800
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 ECAD 7 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 SDT30 쇼트키 ITO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. SDT30A100CTFPDI EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 15A 730mV @ 15A 100V에서 100μA -55°C ~ 150°C
MBRM3100-13-F Diodes Incorporated MBRM3100-13-F -
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 ECAD 9805 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 Powermite®3 MBRM3100 쇼트키 파워마이트 3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 760mV @ 3A 100V에서 100μA -55°C ~ 125°C 3A 100pF @ 4V, 1MHz
DMN4031SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN4031SSDQ-13 0.2588
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 ECAD 1681년 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMN4031 MOSFET(금속) 1.42W 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 40V 5.2A 31m옴 @ 6A, 10V 3V @ 250μA 18.6nC @ 10V 20V에서 945pF -
APT13003SU-E1 Diodes Incorporated APT13003SU-E1 -
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 ECAD 3249 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 APT13003 1.1W TO-126 - 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 31-APT13003SU-E1 EAR99 8541.29.0095 1 450V 1.3A 10μA NPN 600mV @ 250mA, 1A 13 @ 500mA, 2V 4MHz
DFLR1600-7-52 Diodes Incorporated DFLR1600-7-52 0.0668
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 ECAD 3067 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 활동적인 표면 실장 POWERDI®123 DFLR1600 기준 파워DI™ 123 다운로드 31-DFLR1600-7-52 EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.1V @ 1A 600V에서 3μA -65°C ~ 150°C 1A 10pF @ 4V, 1MHz
S1KP1M-7 Diodes Incorporated S1KP1M-7 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 POWERDI®123 기준 파워DI™ 123 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 800V 1.1V @ 1A 1.5μs 800V에서 10μA -55°C ~ 150°C 1A 4pF @ 4V, 1MHz
SBR60A300PT Diodes Incorporated SBR60A300PT -
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 ECAD 3704 0.00000000 다이오드 통합 SBR® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 SBR60 슈퍼 배리어 TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 300V 30A 940mV @ 30A 50ns 300V에서 100μA -65°C ~ 175°C
DMN2004WKQ-7-52 Diodes Incorporated DMN2004WKQ-7-52 0.0848
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 ECAD 1699년 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 31-DMN2004WKQ-7-52 EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 540mA(타) 1.8V, 4.5V 550m옴 @ 540mA, 4.5V 1V @ 250μA ±8V 150pF @ 16V - 200mW(타)
DMT8008SPS-13 Diodes Incorporated DMT8008SPS-13 0.3849
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 ECAD 6114 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMT8008 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. DMT8008SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 80V 83A(티씨) 6V, 10V 7.8m옴 @ 14A, 10V 4V @ 1mA 34nC @ 10V ±20V 40V에서 1950pF - 1.3W(Ta), 83W(Tc)
BZT52C12LP-7 Diodes Incorporated BZT52C12LP-7 0.4500
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 ECAD 15 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.39% -65°C ~ 150°C 표면 실장 0402(1006미터법) BZT52 250mW X1-DFN1006-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 12V 25옴
BAS40-06-7-F Diodes Incorporated BAS40-06-7-F 0.2500
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 ECAD 157 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 쇼트키 SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 40V 200mA(DC) 1V @ 40mA 5ns 200nA @ 30V -55°C ~ 125°C
DMP2900UT-7 Diodes Incorporated DMP2900UT-7 0.0734
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 ECAD 4546 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMP2900 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMP2900UT-7TR EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 500mA(타) 1.8V, 4.5V 700m옴 @ 430mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.7nC @ 4.5V ±6V 16V에서 49pF - 250mW(타)
B340CE-13-2477 Diodes Incorporated B340CE-13-2477 -
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 ECAD 7719 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 마지막 구매 표면 실장 DO-214AB, SMC 쇼트키 SMC - 31-B340CE-13-2477 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 500mV @ 3A 40V에서 200μA -55°C ~ 150°C 3A 140pF @ 4V, 1MHz
DMP3068LVT-13 Diodes Incorporated DMP3068LVT-13 0.0781
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 ECAD 4229 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMP3068 MOSFET(금속) TSOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 30V 2.8A(타) 2.5V, 10V 75m옴 @ 4.2A, 10V 250μA에서 1.3V 7.3nC @ 4.5V ±12V 15V에서 708pF - 1.25W(타)
GBJ1510 Diodes Incorporated GBJ1510 -
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 ECAD 3300 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-SIP, GBJ GBJ1510 기준 GBJ 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. GBJ1510DI EAR99 8541.10.0080 15 1.05V @ 7.5A 1000V에서 10μA 15A 단상 1kV
B350AQ-13-F Diodes Incorporated B350AQ-13-F 0.1018
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 ECAD 1341 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA B350 쇼트키 SMA - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 50V 700mV @ 3A 500μA @ 50V -55°C ~ 150°C 3A 200pF @ 4V, 1MHz
MMBT4401Q-13-F Diodes Incorporated MMBT4401Q-13-F 0.0296
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 ECAD 7119 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310mW SOT-23-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-MMBT4401Q-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 40V 600mA 100nA NPN 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
DDZ36CSF-7 Diodes Incorporated DDZ36CSF-7 0.0357
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 ECAD 5015 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F DDZ36 500mW SOD-323F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 70nA @ 31.7V 34.27V 75옴
DDZ18CSF-7 Diodes Incorporated DDZ18CSF-7 0.2100
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 ECAD 4 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F DDZ18 500mW SOD-323F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 70nA @ 16.5V 17.88V 45옴
SBR40U45CT Diodes Incorporated SBR40U45CT 3.0700
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 ECAD 4197 0.00000000 다이오드 통합 SBR® 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 SBR40 슈퍼 배리어 TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 45V 20A 520mV @ 20A 45V에서 600μA -65°C ~ 150°C
DDTB123YU-7-F Diodes Incorporated DDTB123YU-7-F -
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 ECAD 6782 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTB123 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 10kΩ
SBR1045D1Q-13 Diodes Incorporated SBR1045D1Q-13 0.9300
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 ECAD 2 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101, SBR® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 SBR1045 슈퍼 배리어 TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 45V 580mV @ 10A 45V에서 500μA -65°C ~ 150°C 10A 400pF @ 5V, 1MHz
DMP2109UVT-13 Diodes Incorporated DMP2109UVT-13 0.0874
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 ECAD 6996 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMP2109 MOSFET(금속) TSOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMP2109UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 20V 3.7A(타) 2.5V, 4.5V 80m옴 @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250μA 6nC @ 4.5V ±10V 10V에서 443pF - 1.2W(타)
BZX84C3V0TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V0TS-7-F 0.4300
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 ECAD 3 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6% -65°C ~ 150°C 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 3면 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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