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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZT585B20T-7 Diodes Incorporated BZT585B20T-7 0.2300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
BZT52C4V7-7-G Diodes Incorporated BZT52C4V7-7-G -
RFQ
 ECAD 5240 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C4V7-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BAS70-7 Diodes Incorporated BAS70-7 -
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
LZ52C27WS Diodes Incorporated LZ52C27W -
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) LZ52C 500MW 1206 - 31-LZ52C27W 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
SBR1A40S1-7 Diodes Incorporated SBR1A40S1-7 0.4000
RFQ
 ECAD 4410 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SBR1A40 슈퍼 슈퍼 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 1 a 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
DDTC113ZE-7-F Diodes Incorporated DDTC113ZE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC113 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
BZT52HC11WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC11WF-7 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
DDTC123YE-7-F Diodes Incorporated DDTC123YE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTC (R1 R2 시리즈) e 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC123 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
PR1503S-B Diodes Incorporated PR1503S-B -
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
SDM20U30Q-7 Diodes Incorporated SDM20U30Q-7 0.2100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 SDM20 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 150 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 20pf @ 0V, 1MHz
MMBZ5239BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5239BW-7-F 0.0630
RFQ
 ECAD 8589 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
GDZ11LP3-7 Diodes Incorporated GDZ11LP3-7 0.2700
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) GDZ11 250 MW X3-DFN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 v 11 v
AZ23C15-7 Diodes Incorporated AZ23C15-7 -
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C15 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 15 v 30 옴
DDTA113TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA113TUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTA (R1- 전용 시리즈) ua 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA113 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 1 KOHMS
SBR3045CTBQ-13 Diodes Incorporated SBR3045CTBQ-13 1.5120
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBR3045 슈퍼 슈퍼 TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 800 짐 1 음극 음극 공통 45 v 15a 700 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5252BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5252BT-7-F 0.0736
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 MMBZ5252 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
RS2K-13 Diodes Incorporated RS2K-13 -
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2K 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 1.5 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
BAV99WQ-7-F Diodes Incorporated BAV99WQ-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav99 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
1SMB5945B-13 Diodes Incorporated 1SMB5945B-13 0.1300
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5945 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
ZXMP6A18KQTC Diodes Incorporated ZXMP6A18KQTC 0.5488
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP6A18 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - 영향을받지 영향을받지 31-zxmp6a18kqtctr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 30 v - 2.15W (TA)
SDMG0340LS-7 Diodes Incorporated SDMG0340LS-7 -
RFQ
 ECAD 4150 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 SDMG0340 Schottky SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 30MA (DC) 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C
DXT690BP5-13 Diodes Incorporated DXT690BP5-13 0.6000
RFQ
 ECAD 941 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI ™ 5 DXT690 740 MW PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 3 a 20NA NPN 350MV @ 150MA, 3A 150 @ 2a, 2v 150MHz
ZXMP10A17KTC Diodes Incorporated ZXMP10A17KTC 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 2.4A (TA) 6V, 10V 350mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 10.7 NC @ 10 v ± 20V 424 pf @ 50 v - 2W (TA)
AC848BQ-13 Diodes Incorporated AC848BQ-13 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AC848 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-AC848BQ-13DKR 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
B560C-13-F-2477 Diodes Incorporated B560C-13-F-2477 -
RFQ
 ECAD 3424 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky SMC - 31-B560C-13-F-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 300pf @ 4V, 1MHz
BZT52C39-13-G Diodes Incorporated BZT52C39-13-G -
RFQ
 ECAD 1895 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C39-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
DDZ9685-7 Diodes Incorporated DDZ9685-7 0.3300
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9685 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 2 v 3.6 v
ZMM5251B-7 Diodes Incorporated ZMM5251B-7 -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ZMM5251 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
DMN1004UFDF-13 Diodes Incorporated DMN1004UFDF-13 0.1638
RFQ
 ECAD 5075 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN1004 MOSFET (금속 (() U-DFN2020-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 12 v 15A (TA) 2.5V, 4.5V 4.8mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 8V 2385 pf @ 6 v - 2.1W (TA)
DDZX5V6BQ-7 Diodes Incorporated DDZX5V6BQ-7 -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2.5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX5 300MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DDZX5V6BQ-7TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 2.5 v 5.6 v 11 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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