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불연속 불연속 제품 (13379)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 0.8479
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) htmn5130 MOSFET (금속 (() 1.7W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 55V 2.6a 130mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 8.9NC @ 10V 25V 218.7pf -
1N4004-A52 Diodes Incorporated 1N4004-A52 -
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-41 - 31-1N4004-A52 쓸모없는 1 짐 400 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
DMN61D9UDW-13-50 Diodes Incorporated DMN61D9UDW-13-50 -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN61 MOSFET (금속 (() 320MW (TA) SOT-363 다운로드 31-DMN61D9UDW-13-50 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 60V 350MA (TA) 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 28.5pf @ 30V 기준
BZX84C11T-7-F Diodes Incorporated BZX84C11T-7-F 0.0630
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 BZX84 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
ADTA143XUAQ-13 Diodes Incorporated ADTA143XUAQ-13 0.0320
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 ADTA143 330 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BZT52HC6V2WFQ-7 Diodes Incorporated BZT52HC6V2WFQ-7 0.0662
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 6.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 31-BZT52HC6V2WFQ-7 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated DCX124EUQ-13-F 0.0718
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, DCX (XXXX) u 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX124 200MW SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DCX124EUQ-13-FTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 60 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
BZT52HC30WFQ-7 Diodes Incorporated BZT52HC30WFQ-7 0.0662
RFQ
 ECAD 1047 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 6.67% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 31-BZT52HC30WFQ-7 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 40
UG1002-T Diodes Incorporated UG1002-T -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
RS1A-13-F Diodes Incorporated RS1A-13-F 0.4500
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MBR1650 Diodes Incorporated MBR1650 -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1650 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR1650DI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 16 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A 450pf @ 4V, 1MHz
B340B-13-F-50 Diodes Incorporated B340B-13-F-50 0.0732
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB B340 Schottky SMB 다운로드 31-B340B-13-F-50 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 150 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
SBF1060CT Diodes Incorporated SBF1060CT -
RFQ
 ECAD 4315 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBF1060 Schottky ITO-220AB 다운로드 31-SBF1060CT 쓸모없는 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mv @ 5 a 300 µa @ 60 v -55 ° C ~ 125 ° C
DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated DMN2990UFO-7B 0.4400
RFQ
 ECAD 890 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2990 MOSFET (금속 (() X2-DFN0604-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 750MA (TA) 1.5V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.41 NC @ 4.5 v ± 8V 31 pf @ 15 v - 840MW (TA)
DDZ10BSF-7 Diodes Incorporated DDZ10BSF-7 0.2100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ10 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 8.94 v 9.66 v 30 옴
ZMM5253B-7 Diodes Incorporated ZMM5253B-7 -
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ZMM5253 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
DDZ9702T-7 Diodes Incorporated DDZ9702T-7 0.4500
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 DDZ9702 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 11.4 v 15 v
DDZ9689-7 Diodes Incorporated DDZ9689-7 0.2400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9689 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.1 v
FZT953-7 Diodes Incorporated FZT953-7 -
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - rohs 준수 1 (무제한) 31-FZT953-7TR 쓸모없는 3,000
DDZ9716S-7 Diodes Incorporated DDZ9716S-7 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 DDZ9716 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 29.6 v 39 v
BZX84C4V7TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C4V7TS-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 9410 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 독립 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BZX84C5V1S-7 Diodes Incorporated BZX84C5V1S-7 -
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
S2M_HF Diodes Incorporated S2M_HF -
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-S2M_HF 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1000 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BAS16VVQ-7 Diodes Incorporated BAS16VVQ-7 0.1106
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BAS16 기준 SOT-563 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BAS16VVQ-7TR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 100 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ20005-F Diodes Incorporated GBJ20005-F -
RFQ
 ECAD 8894 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ20005 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 50 v 20 a 단일 단일 50 v
PR1004-T Diodes Incorporated PR1004-T 0.0378
RFQ
 ECAD 9184 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 PR1004 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
DMN3150L-7 Diodes Incorporated DMN3150L-7 0.4300
RFQ
 ECAD 309 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3150 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 28 v 3.8A (TA) 2.5V, 10V 85mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA ± 12V 305 pf @ 5 v - 1.4W (TA)
DMP3056L-13 Diodes Incorporated DMP3056L-13 0.1005
RFQ
 ECAD 6562 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3056 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3056L-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 6a, 10V 2.1V @ 250µA 11.8 nc @ 10 v ± 25V 642 pf @ 25 v - 1.38W (TA)
SF10BG-T Diodes Incorporated SF10BG-T -
RFQ
 ECAD 6741 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 75pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5240B-7 Diodes Incorporated MMSZ5240B-7 -
RFQ
 ECAD 6298 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5240B 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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