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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DZT951-13 Diodes Incorporated DZT951-13 -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DZT951 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 5 a 50NA (ICBO) PNP 460mv @ 500ma, 5a 100 @ 2a, 1v 120MHz
DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated DMN2013UFDE-7 0.1840
RFQ
 ECAD 7300 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMN2013 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 10.5A (TA) 1.5V, 4.5V 11mohm @ 8.5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 25.8 nc @ 8 v ± 8V 2453 pf @ 10 v - 660MW (TA)
FR1G-13-F Diodes Incorporated FR1G-13-F -
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB FR1G 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
DDTA124XKA-7-F Diodes Incorporated DDTA124XKA-7-F -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA124 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
DZ23C3V6-7 Diodes Incorporated DZ23C3V6-7 0.3900
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DZ23C3V6-7DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000
MBR3045CTF-E1 Diodes Incorporated MBR3045CTF-E1 -
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MBR3045 Schottky TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 700 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
QZX363C5V6-7-G Diodes Incorporated QZX363C5V6-7-G -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 QZX363 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 QZX363C5V6-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated DMT6009LK3-13 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMT6009 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 13.3A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 2V @ 250µA 33.5 nc @ 10 v ± 16V 1925 pf @ 30 v - 2.6W (TA)
APD240VD-E1 Diodes Incorporated APD240VD-E1 -
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 APD240 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
AZ23C12-7-F Diodes Incorporated AZ23C12-7-F 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C12 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 12 v 20 옴
MMDT4403-7-F Diodes Incorporated MMDT4403-7-F 0.0840
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4403 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 600ma - 2 PNP (() 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
SBR2045CT Diodes Incorporated SBR2045CT 0.8600
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR2045 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBR2045CTDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 540 mV @ 10 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
S1KB-13-F Diodes Incorporated S1KB-13-F 0.3600
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S1K 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZX84C6V2Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C6V2Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C6V2Q-13-FTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZX84C15-7-F Diodes Incorporated BZX84C15-7-F 0.1500
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
ZXMN10A09KTC Diodes Incorporated ZXMN10A09KTC 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMN10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5A (TA) 6V, 10V 85mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1313 pf @ 50 v - 2.15W (TA)
DMP1081UCB4-7 Diodes Incorporated DMP1081UCB4-7 -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLBGA DMP1081 MOSFET (금속 (() U-WLB1010-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3A (TA), 3.3A (TA) 0.9V, 4.5V 10ohm @ 100ma, 0.9V 650MV @ 250µA 5 nc @ 4.5 v -6V 350 pf @ 6 v - 820MW (TA)
BZT52C2V4-7-G Diodes Incorporated BZT52C2V4-7-G -
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C2V4-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DMTH45M5LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LPSWQ-13 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH45M MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 86A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.3V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 20V 978 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 72W (TC)
ZLLS1000TA-2477 Diodes Incorporated ZLLS1000TA-2477 -
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23-3 - 31-zlls1000TA-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 1 a 5 ns 20 µa @ 30 v 150 ° C 1.16a 28pf @ 30V, 1MHz
SBR40U100CT-1 Diodes Incorporated SBR40U100CT-1 -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR40 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 - 31-SBR40U100CT-1 1 짐 1 음극 음극 공통 100 v 40a 720 MV @ 20 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
DMP4065SK3-13 Diodes Incorporated DMP4065SK3-13 0.1213
RFQ
 ECAD 4834 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP4065 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP4065SK3-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 15A (TA) 4.5V, 10V 70mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 12.2 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 20 v - 3W (TA)
DMTH45M5LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVWQ-7 0.3197
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMTH45M5LFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.3V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 20V 978 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 51W (TC)
B320-13 Diodes Incorporated B320-13 -
RFQ
 ECAD 6341 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC B320 Schottky SMC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
DMN1019USN-13 Diodes Incorporated DMN1019USN-13 0.4500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN1019 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 12 v 9.3A (TA) 1.2V, 2.5V 10mohm @ 9.7a, 4.5v 800MV @ 250µA 50.6 NC @ 8 v ± 8V 2426 pf @ 10 v - 680MW (TA)
DMP2900UWQ-7 Diodes Incorporated DMP2900UWQ-7 0.0676
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMP2900UWQ-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 600MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7 PC @ 4.5 v ± 6V 49 pf @ 16 v - 300MW
MMBZ5240BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5240BT-7-F 0.0736
RFQ
 ECAD 1832 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 MMBZ5240 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
BZX84C10S-7-F Diodes Incorporated BZX84C10S-7-F 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
DMP1005UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1005UFDF-13 0.1588
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1005 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 12 v 26A (TC) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 47 NC @ 8 v ± 8V 2475 pf @ 6 v - 2.1W (TA)
ZMM5256B-7 Diodes Incorporated ZMM5256B-7 -
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ZMM5256 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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