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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항- 터베이스 이미 (R2)	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
MMSZ5233B-7-F	0.2200	RFQ	27	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5233		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma	5 µa @ 3.5 v									6 v	7 옴
B2100BE-13	-	RFQ	4551	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	B2100	Schottky		SMB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		790 MV @ 2 a	7 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	70pf @ 4V, 1MHz
SBM1040CT-13-F	-	RFQ	5302	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	PowerMite®3	SBM1040	Schottky		Powermite 3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SBM1040CT-13-FDI	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	40 v	5a	480 mV @ 5 a	150 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
DMN63D1LT-13	0.1295	RFQ	9255	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN63	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	60 v	320MA (TA)	5V, 10V	2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA	392 NC @ 4.5 v	± 20V	30 pf @ 25 v	-	330MW (TA)
DMC31D5UDA-7B	0.0820	RFQ	9768	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 없음	DMC31	MOSFET (금속 (()	370MW (TA)	X2-DFN0806-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMC31D5UDA-7BDI	귀 99	8541.21.0095	10,000	n 보완 p 채널 및			30V	400MA (TA)		1.5ohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.38NC @ 4.5V		22.6pf @ 15V	-
SBRT20V60CT	-	RFQ	3641	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBRT20	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SBRT20V60CTDI	귀 99	8541.10.0080	50		짐												1 음극 음극 공통	60 v	10A	550 mV @ 10 a	300 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C43-7-F-79	-	RFQ	9630	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					BZX84				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BZX84C43-7-F-79DI	귀 99	8541.10.0050	3,000
DMP31D7LT-13	0.0587	RFQ	4323	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMP31	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMP31D7LT-13TR	귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널	30 v	360MA (TA)	4.5V, 10V	900mohm @ 420ma, 10V	2.6V @ 250µA	0.36 nc @ 4.5 v	± 20V	19 pf @ 15 v	-	260MW (TA)
ZXMN3A14FTA-52	0.1911	RFQ	8909	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN3	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드				31-zxmn3a14fta-52	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	3.2A (TA)	4.5V, 10V	65mohm @ 3.2a, 10V	2.2V @ 250µA	8.6 NC @ 10 v	± 20V	448 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DF1502M	-	RFQ	3141	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	DF1502	기준		DFM	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50																	1.1 v @ 1.5 a	10 µa @ 100 v		1.5 a				단일 단일	200 v
DMG8880LSSSS-13	-	RFQ	5359	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMG8880	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	30 v	11.6A (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 11.6a, 10v	2V @ 250µA	27.6 NC @ 10 v	± 20V	1289 pf @ 15 v	-	1.43W (TA)
PB66	-	RFQ	1654	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, PB-6	PB66	기준		PB-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	200																	1.1 v @ 3 a	10 µa @ 600 v		6 a				단일 단일	600 v
GBPC3504	-	RFQ	4168	다이오드가 다이오드가	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC3504	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	GBPC3504DI	귀 99	8541.10.0080	100																	1.1 v @ 17.5 a	5 µa @ 400 v		35 a				단일 단일	400 v
BZT52C18SQ-7-F	0.0362	RFQ	7238	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.39%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZT52C18SQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma	100 na @ 12.6 v									18 v	45 옴
BZT585B10T-7	0.2300	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT585		350 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma	200 na @ 7 v									10 v	10 옴
B0540WS-7-2477	-	RFQ	6835	다이오드가 다이오드가	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	-				31-B0540WS-7-2477			1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550MV @ 500 MA	5 µa @ 30 v	-40 ° C ~ 125 ° C	500ma	125pf @ 0V, 1MHz
DDTC114GUA-7-F	0.0435	RFQ	2982	다이오드가 다이오드가	DDTC (R2 전용 시리즈) ua	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTC114		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DDTC114GUA-FDIT	귀 99	8541.21.0075	3,000																						50 v	100 MA			500NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	250MHz	10 KOHMS
B260AX-13	0.0765	RFQ	4305	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	B260	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-b260ax-13tr	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		520 MV @ 2 a	200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
B290-13-F-2477	-	RFQ	9632	다이오드가 다이오드가	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AA, SMB		Schottky		SMB	-				31-B290-13-F-2477			1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		790 MV @ 2 a	7 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	75pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5254BS-7-F	0.2800	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMSZ5254		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma	100 na @ 21 v									27 v	41 옴
BZT585B36TQ-7	0.0806	RFQ	9220	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT585		350 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BZT585B36TQ-7DI	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma	50 na @ 25.2 v									36 v	90 옴
ZC830BTC	-	RFQ	5735	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZC830B			SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000																					10.5pf @ 2v, 1MHz			하나의	25 v									6	C2/C20	300 @ 3V, 50MHz
GBPC3501W	-	RFQ	4662	다이오드가 다이오드가	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC3501	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	GBPC3501WDI	귀 99	8541.10.0080	100																	1.1 v @ 17.5 a	5 µa @ 100 v		35 a				단일 단일	100 v
BZT52C11SQ-7-F	0.0359	RFQ	6788	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.45%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	SOD-323	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZT52C11SQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma	100 na @ 8 v									11 v	20 옴
DMP3007LK3-13	0.9000	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMP3007	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	30 v	18.5A (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 17a, 10V	2.8V @ 250µA	64.2 NC @ 10 v	± 25V	2826 pf @ 15 v	-	1.5W (TA)
DMN4800LSSSS-13	0.4400	RFQ	24	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN4800	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	16mohm @ 9a, 10V	1.6V @ 250µA	9.47 NC @ 5 v	± 25V	798 pf @ 10 v	-	1.46W (TA)
DMT3006LFDFQ-7	0.1642	RFQ	8724	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMT3006	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT3006LFDFQ-7TR	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	14.1A (TA)	3.7V, 10V	7mohm @ 9a, 10V	3V @ 250µA	8.4 NC @ 10 v	± 20V	1155 pf @ 15 v	-	800MW
BZT52C13LPQ-7B	0.0496	RFQ	6837	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.53%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52		250 MW	X1-DFN1006-2	다운로드				31-BZT52C13LPQ-7B	귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma	100 na @ 8 v									13 v	30 옴
BZX84C5V1Q-13-F	0.0280	RFQ	6996	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZX84C5V1Q-13-FTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma	2 µa @ 2 v									5.1 v	60 옴
ZMV831ATC	-	RFQ	2269	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	ZMV831			SOD-323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000																					16.5pf @ 2v, 1MHz			하나의	25 v									6	C2/C20	300 @ 3V, 50MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²