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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DFLU1200-7 Diodes Incorporated DFLU1200-7 0.4000
RFQ
 ECAD 515 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLU1200 기준 PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated DMN3008SFG-7 0.6600
RFQ
 ECAD 818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 30 v 17.6A (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 13.5a, 10V 2.3V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 3690 pf @ 10 v - 900MW (TA)
DDTA115TE-7-F Diodes Incorporated DDTA115TE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA115 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
DZ23C33-7 Diodes Incorporated DZ23C33-7 -
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C33 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 33 v 80 옴
2DB1182Q-13 Diodes Incorporated 2DB1182Q-13 0.4500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2DB1182 10 W. TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 110MHz
DMP3097LQ-13 Diodes Incorporated DMP3097LQ-13 0.1117
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3097 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3097LQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.9A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10V 2.1V @ 250µA 13.4 NC @ 10 v ± 20V 563 pf @ 25 v - 1W
DMT4015LDV-13 Diodes Incorporated DMT4015LDV-13 0.2726
RFQ
 ECAD 2849 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT4015 - 1.1W (TA) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT4015LDV-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 7.8A (TA), 21.2A (TC) 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 15.7NC @ 10V 808pf @ 30V -
BAT760Q-7 Diodes Incorporated BAT760Q-7 0.4000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAT760 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 50 µa @ 15 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 25pf @ 5V, 1MHz
MMBZ5243BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5243BW-7-F 0.0557
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5243 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7 -
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLBGA DMN1032 MOSFET (금속 (() U-WLB1010-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 12 v 4.8A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 8V 450 pf @ 6 v - 900MW (TA)
MMBZ5244BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5244BQ-7-F 0.0337
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-MMBZ524444BQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
SDT20B100CT Diodes Incorporated SDT20B100CT 0.8200
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SDT20 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SDT20B100CTDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
DDZ33-7 Diodes Incorporated DDZ33-7 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ33 310 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 27 v 33 v 75 옴
BAS40-04Q-7-F Diodes Incorporated BAS40-04Q-7-F 0.0412
RFQ
 ECAD 2394 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BAS40-04Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
SDM40E20LC-7 Diodes Incorporated SDM40E20LC-7 0.4000
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SDM40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 400MA (DC) 310 mV @ 100 ma 250 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C
BZT52HC9V1WFQ-7 Diodes Incorporated BZT52HC9V1WFQ-7 0.0662
RFQ
 ECAD 5443 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5.42% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 31-BZT52HC9V1WFQ-7 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
DMN3061LCA3-7 Diodes Incorporated DMN3061LCA3-7 0.1238
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3061 MOSFET (금속 (() X4-DSN1006-3 (C 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3061LCA3-7TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 4.6A (TA) 1.8V, 8V 58mohm @ 500ma, 8v 1.1V @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v 12V 126 pf @ 15 v - 1.12W
MMSZ5235B-7 Diodes Incorporated MMSZ5235B-7 -
RFQ
 ECAD 2663 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5235B 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
BCP5616TQTC Diodes Incorporated BCP5616TQTC 0.1031
RFQ
 ECAD 5447 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5616 2.5 w SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BCP5616TQTCTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
BZX84C36-7-F Diodes Incorporated BZX84C36-7-F 0.1700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
DMP31D7L-13 Diodes Incorporated DMP31D7L-13 0.0481
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP31 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP31D7L-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 580MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA 0.36 nc @ 4.5 v ± 20V 19 pf @ 15 v - 430MW (TA)
BZX84C13Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C13Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.54% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C13Q-13-FTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
FMMT458W Diodes Incorporated FMMT458W -
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500MW SOT-23-3 - 31-FMMT458W 귀 99 8541.21.0095 1 400 v 225 MA 100NA NPN 500mv @ 6ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V 50MHz
SBR3U60SLD-13 Diodes Incorporated SBR3U60SLD-13 -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - SBR3U60 - - 1 (무제한) 31-SBR3U60SLD-13TR 쓸모없는 1,000 - - - -
BZT52C3V9S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C3V9S-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 8336 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZT52C3V9S-7-F-79TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
DDTA114WKA-7-F Diodes Incorporated DDTA114WKA-7-F -
RFQ
 ECAD 8805 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
SDT8A60VP5-7D Diodes Incorporated SDT8A60VP5-7D 0.1620
RFQ
 ECAD 1325 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SDT8A60VP5-7DTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 540 mV @ 8 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MMBT2222AT-7-F-50 Diodes Incorporated MMBT2222AT-7-F-50 0.0642
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 150 MW SOT-523 다운로드 31-MMBT222AT-7-F-50 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
DMN3061SWQ-7 Diodes Incorporated DMN3061SWQ-7 0.4400
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN3061 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.7A (TA) 3.3V, 10V 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250µA 3.5 NC @ 4.5 v ± 20V 278 pf @ 15 v - 490MW (TA)
DMP1070UCA3-7 Diodes Incorporated DMP1070UCA3-7 -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP1070 MOSFET (금속 (() X4-DSN0607-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP1070UCA3-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3.6A (TA) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 400ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.45 nc @ 4.5 v -6V 147 pf @ 6 v - 710MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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