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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN4027SSDQ-13	0.4574	RFQ	5050	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN4027	MOSFET (금속 (()	1.25W (TA)	8-SOP	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN4027SSDQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)				40V	5.4A (TA)		27mohm @ 7a, 10V	3V @ 250µA	12.9NC @ 10V		604pf @ 20V	-
MMSZ5258BQ-7-F	0.0365	RFQ	7106	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOD-123			370 MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-MMSZ5258BQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																		900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v									36 v	70 옴
tt6jl	-	RFQ	1498	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	4-SMD,, 날개	TT6J	기준		TT	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-tt6jltr	귀 99	8541.10.0080	1,500																		900 mV @ 3 a		5 µa @ 600 v		6 a				단일 단일	600 v
TT8JL	-	RFQ	1019	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	4-SMD,, 날개	TT8	기준		TTL	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-tt8jltr	귀 99	8541.10.0080	1,500																		900 mV @ 4 a		5 µa @ 600 v		8 a				단일 단일	600 v
TT4V10	0.2185	RFQ	5256	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	4-SMD,, 날개	TT4	기준		TT	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-tt4v10tr	귀 99	8541.10.0080	1,500																		950 MV @ 2 a		5 µa @ 1000 v		4 a				단일 단일	1kv
MMSZ5234BQ-7-F	0.0365	RFQ	1156	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOD-123	MMSZ5234		370 MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-MMSZ5234BQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																		900 mV @ 10 ma		5 µa @ 4 v									6.2 v	7 옴
DMN1008UFDFQ-7	0.1223	RFQ	4666	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMN1008	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN1008UFDFQ-7TR	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		12 v	12.2A (TA)	2.5V, 4.5V	8mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	23.4 NC @ 8 v	± 8V	995 pf @ 6 v	-	700MW
BAS20DWQ-13	0.0996	RFQ	7528	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS20	기준		SOT-363	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BAS20DWQ-13TR	귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													2 독립	150 v	200ma	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX84C24Q-13-F	0.0280	RFQ	8017	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.83%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZX84C24Q-13-FTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																		900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v									24 v	70 옴
SDT15H50P5-13D	0.2175	RFQ	1678	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	PowerDI ™ 5		Schottky		PowerDI ™ 5	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-SDT15H50P5-13DTR	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														50 v		470 mV @ 15 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
DDC114TUQ-7-F	0.0857	RFQ	5846	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101, DDC (XXXX) u	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC114		200MW	SOT-363	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DDC114TUQ-7-FTR	귀 99	8541.21.0075	3,000																								50V	100ma			500NA (ICBO)			2 npn--바이어스 (듀얼)	300mv @ 100µa, 1ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	10kohms	10kohms
fmmt38cqta	0.1431	RFQ	9672	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			330 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-fmmt38cqtatr	귀 99	8541.21.0095	3,000																								60 v	300 MA			100NA (ICBO)			npn-달링턴	1.25V @ 8ma, 800ma	10000 @ 500ma, 5V	-
DDTA114WCAQ-7-F	0.0552	RFQ	5408	다이오드가 다이오드가	DDTA (R1 ≠ R2 시리즈) CA	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA114		200 MW	SOT-23-3	-			영향을받지 영향을받지	31-DDTA114WCAQ-7-FTR	귀 99	8541.21.0075	3,000																								50 v	100 MA			500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	24 @ 10MA, 5V	250MHz	10 KOHMS	4.7 Kohms
ZXPD4000DH-7	0.1934	RFQ	4510	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		120V		범용	표면 표면	8-vdfn	ZXPD4000			V-DFN3030-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	ZXPD4000DH-7DI	귀 99	8541.21.0095	3,000				2A																											npn-달링턴
BC857CQ-7-F	0.3600	RFQ	8150	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857			SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																												15NA			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	200MHz
DMN10H170SFGQ-13	0.2832	RFQ	5663	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMN10	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN10H170SFGQ-13DI	귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널		100 v	2.9A (TA), 8.5A (TC)	4.5V, 10V	122mohm @ 3.3a, 10V	3V @ 250µA	14.9 NC @ 10 v	± 20V	870.7 pf @ 25 v	-	940MW (TA)
DMN30H4D1S-13	-	RFQ	4117	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN30	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN30H4D1S-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널		300 v	430MA (TA)	4.5V, 10V	4ohm @ 300ma, 10V	3V @ 250µA	4.8 NC @ 10 v	± 20V	174 pf @ 25 v	-	360MW (TA)
DMP3013SFK-13	0.2145	RFQ	7348	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-powerudfn	DMP3013	MOSFET (금속 (()		U-DFN2523-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP3013SFK-13DI	귀 99	8541.29.0095	10,000			p 채널		30 v	10.5A (TA)	4.5V, 10V	14mohm @ 9.5a, 10V	3V @ 250µA	33.7 NC @ 10 v	± 25V	1674 pf @ 15 v	-	1W (TA), 19.5W (TC)
DMT47M2LDVQ-13	0.4631	RFQ	6883	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT47	MOSFET (금속 (()	2.34W (TA), 14.8W (TC)	PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT47M2LDVQ-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				40V	11.9A (TA), 30.2A (TC)		10.8mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	14NC @ 10V		891pf @ 20V	-
DMT6030LFDF-13	0.2048	RFQ	7746	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMT6030	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT6030LFDF-13DI	귀 99	8541.29.0095	10,000			n 채널		60 v	6.8A (TA)	4.5V, 10V	25.5mohm @ 6.5a, 10V	2.5V @ 250µA	9.1 NC @ 10 v	± 20V	639 pf @ 30 v	-	860MW (TA), 9.62W (TC)
UABF1510-13	-	RFQ	4697	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	4-SMD,, 날개	UABF1510	기준		4-SOPA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000																		1.3 V @ 1.5 a		5 µa @ 1000 v		1.5 a				단일 단일	1kv
DMS3014SFG-13	-	RFQ	3411	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMS3014	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMS3014SFG-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		30 v	9.5A (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 10.4a, 10V	2.2V @ 250µA	45.7 NC @ 10 v	± 12V	4310 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	1W (TA)
DMW2013UFDEQ-13	0.2300	RFQ	6634	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드		MOSFET (금속 (()		U-DFN2020-6 (SWP)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMW2013UFDEQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	10,000			n 채널		20 v	10.5A (TA)	1.5V, 4.5V	11mohm @ 8.5a, 4.5v	1.1V @ 250µA	52.6 NC @ 8 v	± 8V	2508 pf @ 10 v	-	810MW (TA)
ADTA144WCAQ-7	0.0658	RFQ	8397	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTA144		310 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-ADTA144WCAQ-7TR	귀 99	8541.21.0075	3,000																								50 v	100 MA			500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	56 @ 10ma, 5V	250MHz	47 Kohms	22 KOHMS
MMSZ5240BS-7	-	RFQ	8150	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-76, SOD-323	MMSZ5240B		200 MW	SOD-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v									10 v	17 옴
AZ23C12-7	-	RFQ	6146	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C12		300MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통																												12 v	20 옴
SB520-T	-	RFQ	7978	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB520	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														20 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	5a	-
UDZS7V5B	-	RFQ	5980	다이오드가 다이오드가	UDZSXVXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.13%		150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-76, SOD-323			400MW	SOD-323	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-udzs7v5btr	귀 99	8541.10.0050	3,000																				500 na @ 4 v									7.5 v	30 옴
DMJ7N70SK3-13	1.4800	RFQ	60	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMJ7	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		700 v	3.9A (TC)	10V	1.25ohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	13.9 NC @ 10 v	± 30V	351 pf @ 50 v	-	28W (TC)
FZT951TA-79	-	RFQ	4648	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는											-	rohs 준수	1 (무제한)		31-FZT951TA-79TR	쓸모없는		3,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²