RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)
GBP310	0.5800	RFQ	35	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBP		기준		GBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-GBP310	귀 99	8541.10.0080	35																	1.05 V @ 1.5 a		5 µa @ 1000 v		3 a				단일 단일	1kv
TT3M	-	RFQ	1804	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		TT	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500																	1 V @ 1.5 a		5 µa @ 1000 v		3 a				단일 단일	1kv
PD3Z284C30-7	0.1465	RFQ	9606	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.67%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerDI ™ 323			500MW	PowerDI ™ 323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	PD3Z284C30DIDKR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		100 na @ 21 v									30 v	40
DDTA143TUA-7-F	0.0435	RFQ	2188	다이오드가 다이오드가	DDTA (R1- 전용 시리즈) ua	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTA143		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA			500NA (ICBO)			pnp- 사전-	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms
DMP3007SPSQ-13	0.5051	RFQ	8840	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)			DMP3007	MOSFET (금속 (()			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DMP3007SPSQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	30 v	90A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 v	± 25V	2826 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
BZT585B2V4TQ-7	0.0564	RFQ	8038	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT585		350 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZT585B2V4TQ-7TR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		50 µa @ 1 v									2.4 v	100 옴
BZX84C4V7-7-F-31	-	RFQ	4493	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.38%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZX84C4V7-7-F-31TR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v									4.7 v	80 옴
LZ52C24W	-	RFQ	5901	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	LZ52C		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.5 v @ 200 ma		100 na @ 18 v									24 v	80 옴
DMN3732UFB4Q-7B	0.3400	RFQ	8	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN3732	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	30 v	1.3A (TA)	1.8V, 4.5V	460mohm @ 200ma, 4.5v	950MV @ 250µA	0.9 nc @ 4.5 v	± 8V	40.8 pf @ 25 v	-	490MW (TA)
KBJ2008G-TU	0.8210	RFQ	5616	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBJ	KBJ2008	기준		KBJ	다운로드				31-KBJ2008G-TU	귀 99	8541.10.0080	20																	1.1 v @ 10 a		5 µa @ 800 v		20 a				단일 단일	800 v
TT8M	-	RFQ	2183	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	TT8	기준		TT	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,500																	1 V @ 4 a		5 µa @ 1000 v		8 a				단일 단일	1kv
MSB30TM	0.1271	RFQ	6385	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	MSB30	기준		MSBL	-				31-MSB30TM	귀 99	8541.10.0080	2,500																	1.3 v @ 3 a		5 µa @ 1000 v		3 a				단일 단일	1kv
abs20TM	0.1099	RFQ	1459	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	abs20	기준		ABS	-				31-ABS20TM	귀 99	8541.10.0080	3,000																	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 1000 v		2 a				단일 단일	1kv
abs20t1m	0.0846	RFQ	5662	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	abs20	기준		4- 소파 ((wx)	-				31-ABS20T1m	귀 99	8541.10.0080	3,000																	1.3 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v		2 a				단일 단일	1kv
DMT10H032LK3-13	0.2459	RFQ	7053	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMT10	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	-					귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	100 v	26A (TC)	4.5V, 10V	32mohm @ 6a, 10V	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 v	± 20V	683 pf @ 50 v	-	1.6W (TA)
1N4148WQ-7-F-52	0.0260	RFQ	9475	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123	1N4148	기준		SOD-123	다운로드				31-1N4148WQ-7-F-52	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	300ma	2pf @ 0V, 1MHz
BAT54SDW-7-F-50	0.0600	RFQ	5494	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	다운로드				31-BAT54SDW-7-F-50	귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
ZXMN10A08E6TA-50	0.1238	RFQ	7317	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6		MOSFET (금속 (()		SOT-26	다운로드				31-zxmn10a08e6ta-50	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	100 v	1.5A (TA)	6V, 10V	250mohm @ 3.2a, 10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 v	± 20V	405 pf @ 50 v	-	1.1W (TA)
DMN53D0LDW-7-52	0.0668	RFQ	8754	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN53	MOSFET (금속 (()	310MW (TA)	SOT-363	다운로드				31-DMN53D0LDW-7-52	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널			50V	360MA (TA)		1.6ohm @ 500ma, 10V	1.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		46pf @ 25v	기준
DMTH10H032LFVW-13	0.2264	RFQ	9241	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMTH10	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	-				31-DMTH10H032LFVW-13	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	100 v	26A (TC)	4.5V, 10V	30mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 v	± 20V	683 pf @ 50 v	-	1.7W (TA)
DMN3009LFVQ-7	0.2771	RFQ	4976	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMN3009	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN3009LFVQ-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 30a, 10V	3V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DMP2110UVTQ-7	0.1475	RFQ	9399	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMP2110	MOSFET (금속 (()	740MW (TA)	TSOT-26	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-dmp2110uvtq-7tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			20V	1.8A (TA)		150mohm @ 2.8a, 4.5v	1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		443pf @ 6v	-
DMP4006SPSW-13	0.7740	RFQ	4396	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	DMP4006	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMP4006SWSW-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	40 v	115A (TC)	6V, 10V	5.2MOHM @ 9.8A, 10V	3V @ 250µA	162 NC @ 10 v	± 20V	6855 pf @ 20 v	-	3.4W (TA), 104W (TC)
TT4JL	-	RFQ	1614	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					TT4				-			영향을받지 영향을받지	31-tt4jltr			1,500
MMBZ5235BQ-7-F	0.0337	RFQ	9025	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-MMBZ5235BQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v									6.8 v	5 옴
D4KB80	0.5173	RFQ	1655	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	D4KB	기준		D3K	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-D4KB80	귀 99	8541.10.0080	37																	1 V @ 2 a		10 µa @ 800 v		4 a				단일 단일	800 v
TT4M-T	-	RFQ	6412	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	TT4	기준		TTL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-TT4M-TTR	귀 99	8541.10.0080	1,500																	1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v		4 a				단일 단일	1kv
DMTH8028LFVWQ-7	0.2678	RFQ	8009	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH8028LFVWQ-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	80 v	27A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 v	± 20V	631 pf @ 40 v	-	1.5W (TA)
DMN4027SSDQ-13	0.4574	RFQ	5050	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN4027	MOSFET (금속 (()	1.25W (TA)	8-SOP	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN4027SSDQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			40V	5.4A (TA)		27mohm @ 7a, 10V	3V @ 250µA	12.9NC @ 10V		604pf @ 20V	-
MMSZ5258BQ-7-F	0.0365	RFQ	7106	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			370 MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-MMSZ5258BQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v									36 v	70 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²