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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
MMBZ5235B-7	-	RFQ	5494	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5235B		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v							6.8 v	5 옴
BAS40TW-7	-	RFQ	8170	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS40	Schottky		SOT-363	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												3 독립	40 v	200MA (DC)	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
1N4004-T	0.2000	RFQ	146	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4004	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													400 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BAW56DWQ-7-F	0.0605	RFQ	4296	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	baw56	기준		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 양극 양극 공통	75 v	150ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZT52C2V7TQ-7-F	-	RFQ	2586	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 7.41%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		20 µa @ 1 v							2.7 v	100 옴
DMTH10H015LK3-13	0.3675	RFQ	7745	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMTH10	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	100 v	52.5A (TA)	6V, 10V	15mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	33.3 NC @ 10 v	± 20V	1871 pf @ 50 v	-	2.1W (TA)
DMTH4014LPSW-13	0.2189	RFQ	4463	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH4014LPSW-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	40 v	43.5A (TC)	4.5V, 10V	14.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	11.2 NC @ 10 v	± 20V	750 pf @ 20 v	-	4W (TA), 46.9W (TC)
1N5400-T	-	RFQ	3674	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5400	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐													50 v		1 V @ 3 a		10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
BC846ASQ-7-F	0.3900	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC846		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							65V	100ma	15NA			2 NPN (()	600mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	100MHz
BAT54AWQ-13-F	0.0452	RFQ	6050	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky		SOT-323	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BAT54AWQ-13-FTR	귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 양극 양극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
B190BQ-13-F	0.4200	RFQ	2702	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	B190	Schottky		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		790 MV @ 1 a		500 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
ZX5T955GTC	-	RFQ	2141	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZX5T955		3 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	4,000																							140 v	4 a	20NA (ICBO)			PNP	360mv @ 300ma, 3a	100 @ 1a, 5V	120MHz
BZX84C15W-7	-	RFQ	5147	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 6%	-65 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84		200 MW	SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 10.5 v							15 v	30 옴
DSC08065	4.6350	RFQ	3146	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	DSC08	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		to220AC ((wx)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DSC08065	귀 99	8541.10.0080	50		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)													650 v		1.7 V @ 8 a	0 ns	230 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	295pf @ 100MV, 1MHz
LZ52C6V8W	-	RFQ	9655	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	LZ52C		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.5 v @ 200 ma		100 na @ 3 v							6.8 v	8 옴
MBRF1045CT	-	RFQ	5177	다이오드가 다이오드가	*	튜브	쓸모없는					MBRF104				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	MBRF1045CTDI	귀 99	8541.10.0080	50
DMNH4004SPS-13	0.5635	RFQ	8667	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMNH4004	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMNH4004SPS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	40 v	100A (TC)	10V	6ohm @ 50a, 10V	3.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	20V	2284 pf @ 25 v	-	1.6W (TA)
DCX122TU-7-F	-	RFQ	5996	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX122		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	100ma	-			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 250µA, 5MA	100 @ 1ma, 5V	200MHz	220ohms	-
zxtn2010astz	0.9500	RFQ	7809	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3	ZXTN2010		710 MW	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.21.0075	2,000																							60 v	4.5 a	100NA			NPN	210mv @ 200ma, 5a	100 @ 2a, 1v	130MHz
DMP10H4D2S-7	0.4000	RFQ	4990	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP10	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	100 v	270MA (TA)	4V, 10V	4.2ohm @ 500ma, 10V	3V @ 250µA	1.8 nc @ 10 v	± 20V	87 pf @ 25 v	-	380MW (TA)
DMT10H4M9LPSW-13	0.8469	RFQ	3271	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인									-				31-DMT10H4M9LPSW-13			2,500
DMG6402LDM-7	0.4000	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	DMG6402	MOSFET (금속 (()		SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	5.3A (TA)	4.5V, 10V	27mohm @ 7a, 10V	2V @ 250µA	9.2 NC @ 10 v	± 20V	404 pf @ 15 v	-	1.12W (TA)
SDM2U20SD3-7	0.4300	RFQ	14	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SDM2U20	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		525 mv @ 2 a		200 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	54pf @ 5V, 1MHz
DDTC124GKA-7-F	-	RFQ	7774	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTC124		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	56 @ 5MA, 5V	250MHz		22 KOHMS
UG3002-T	-	RFQ	5763	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 3 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
DMP3018SFVQ-13	-	RFQ	6688	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMP3018	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	30 v	11A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 11.5A, 10V	3V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 25V	2147 pf @ 15 v	-	1W (TA)
MBR4045PT	-	RFQ	7834	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3	MBR4045PT	Schottky		to-3p	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	30		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	40a	700 mV @ 20 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
MBR20150CT-LJ	-	RFQ	7748	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	MBR20150CT-LJDI	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	10A	900 mV @ 10 a		50 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MMBZ5257BS-7-F	0.0756	RFQ	1324	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5257		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	2 독립																900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v							33 v	58 옴
APD260VGTR-G1	-	RFQ	3334	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	APD260	Schottky		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²