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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DGTD65T60S2PT Diodes Incorporated DGTD65T60S2PT -
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 DGTD65 기준 428 w TO-247 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 60A, 7ohm, 15V 205 ns 현장 현장 650 v 100 a 180 a 2.4V @ 15V, 60A 920µJ (on), 530µJ (OFF) 95 NC 42ns/142ns
MBR20100CT-F Diodes Incorporated MBR20100CT-F -
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 튜브 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR20100CT-FDI 귀 99 8541.10.0080 50
BZX84C20-7 Diodes Incorporated BZX84C20-7 -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
DDZ9713Q-7 Diodes Incorporated DDZ9713Q-7 0.0508
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9713 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 22.8 v 30 v
DMJ70H1D4SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D4SV3 -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 342 pf @ 50 v - 78W (TC)
ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated zxt13n50de6ta 0.6800
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXT13N50 1.1 w SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 4 a 100NA NPN 180mv @ 400ma, 4a 300 @ 1a, 2v 115MHz
BAS40DW-06-7-F-2477 Diodes Incorporated BAS40DW-06-7-F-2477 -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky SOT-363 - 31-BAS40DW-06-7-F-2477 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 양극 양극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
ZTX555 Diodes Incorporated ZTX555 -
RFQ
 ECAD 6712 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX555 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX555-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 150 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 50 @ 300ma, 10V 100MHz
DCX114EU-7-F Diodes Incorporated DCX114EU-7-F 0.2900
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DDTC144WE-7 Diodes Incorporated DDTC144WE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTC144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDTA143FE-7 Diodes Incorporated DDTA143FE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA143 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA143FE-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
SBR2U60S1FQ-7 Diodes Incorporated SBR2U60S1FQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F SBR2U60 슈퍼 슈퍼 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 60 v 510 mV @ 2 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 75pf @ 10V, 1MHz
DDTA125TUA-7 Diodes Incorporated DDTA125TUA-7 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA125 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMTH6005LCT Diodes Incorporated DMTH6005LCT 1.0438
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMTH6005 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 47.1 NC @ 10 v ± 20V 2962 pf @ 30 v - 2.8W (TA), 125W (TC)
DMT12H060LFDF-7 Diodes Incorporated DMT12H060LFDF-7 0.2284
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT12 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT12H060LFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 115 v 4.4A (TA) 1.5V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5v 1.4V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 8V 475 pf @ 50 v - 1.1W (TA)
BCP5616TTC Diodes Incorporated BCP5616TTC 0.0750
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5616 2.5 w SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BCP5616TTCTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
2N7002DW-7-F Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 310MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 230ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated DMT6005LPS-13 1.0700
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT6005 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 17.9A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 50a, 10V 3V @ 250µA 47.1 NC @ 10 v ± 20V 2962 pf @ 30 v - 2.6W (TA), 125W (TC)
ZDT690TC Diodes Incorporated ZDT690TC -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT690 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 45V 2A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 5ma, 1a 400 @ 1a, 2v 150MHz
FMMT723TA Diodes Incorporated FMMT723TA 0.5600
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT723 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 1 a 100NA PNP 330mv @ 150ma, 1a 250 @ 500ma, 10V 200MHz
MMST4401-7 Diodes Incorporated MMST4401-7 -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMST4401 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA - NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
MMBZ5239B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5239B-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5239 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
PDS5100Q-13D Diodes Incorporated PDS5100Q-13D 1.0600
RFQ
 ECAD 8198 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS5100 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 5 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SR302-T Diodes Incorporated SR302-T -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR302 Schottky Do-201ad 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 3 a 1 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 300pf @ 4V, 1MHz
PD3Z284C24-7 Diodes Incorporated PD3Z284C24-7 0.1465
RFQ
 ECAD 4732 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3Z284 500MW PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 30 옴
ZTX953STZ Diodes Incorporated ZTX953STZ 0.4970
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX953 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 3.5 a 50NA (ICBO) PNP 330mv @ 400ma, 4a 100 @ 1a, 1v 125MHz
ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated zxmn2a04dn8ta 1.9200
RFQ
 ECAD 674 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN2 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 20V 5.9A 25mohm @ 5.9a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 22.1NC @ 5V 1880pf @ 10V 논리 논리 게이트
FMMT734TA Diodes Incorporated FMMT734TA 0.5600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT734 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 800 MA 200na pnp- 달링턴 1.05V @ 5MA, 1A 20000 @ 100MA, 5V 140MHz
BC817-25-7-F Diodes Incorporated BC817-25-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
LSC06065Q8 Diodes Incorporated LSC06065Q8 -
RFQ
 ECAD 8746 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 4-powertsfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DFN8080 다운로드 31-LSC06065Q8 쓸모없는 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 6 a 0 ns 200 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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