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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN2991UT-13 Diodes Incorporated DMN2991UT-13 0.0544
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN2991 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2991UT-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 300MA (TA) 1.5V, 4.5V 3ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.35 nc @ 4.5 v ± 10V 21.5 pf @ 15 v - 280MW (TA)
DMJ70H1D4SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D4SV3 -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 342 pf @ 50 v - 78W (TC)
DDTA125TUA-7 Diodes Incorporated DDTA125TUA-7 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA125 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDZ9713Q-7 Diodes Incorporated DDZ9713Q-7 0.0508
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9713 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 22.8 v 30 v
DCX114EU-7-F Diodes Incorporated DCX114EU-7-F 0.2900
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
BAS40DW-06-7-F-2477 Diodes Incorporated BAS40DW-06-7-F-2477 -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky SOT-363 - 31-BAS40DW-06-7-F-2477 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 양극 양극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
S2A Diodes Incorporated S2A -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB - 영향을받지 영향을받지 31-S2A 귀 99 8541.10.0080 1 짐 50 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
ZTX555 Diodes Incorporated ZTX555 -
RFQ
 ECAD 6712 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX555 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX555-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 150 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 50 @ 300ma, 10V 100MHz
DDTA143FE-7 Diodes Incorporated DDTA143FE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA143 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA143FE-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DGTD65T60S2PT Diodes Incorporated DGTD65T60S2PT -
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 DGTD65 기준 428 w TO-247 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 60A, 7ohm, 15V 205 ns 현장 현장 650 v 100 a 180 a 2.4V @ 15V, 60A 920µJ (on), 530µJ (OFF) 95 NC 42ns/142ns
FZT758TC Diodes Incorporated FZT758TC -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT758 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 400 v 500 MA 100NA PNP 500mv @ 10ma, 100ma 40 @ 200ma, 10V 50MHz
DSR8F600P Diodes Incorporated DSR8F600P -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 DSR8F600 기준 TO-220AC (e ac e) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-DSR8F600p 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.2 v @ 8 a 30 ns 20 µa @ 600 v 175 ° C (°) 8a 22pf @ 10V, 1MHz
D3Z24BF-7 Diodes Incorporated D3Z24BF-7 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F D3Z24 400MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24.25 v 30 옴
BAT54CW-7-F Diodes Incorporated BAT54CW-7-F 0.2400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C
DDZ9700S-7 Diodes Incorporated DDZ9700S-7 0.4500
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 DDZ9700 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 9.8 v 13 v
BZX84C20-7 Diodes Incorporated BZX84C20-7 -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
MMBTA06-7-F Diodes Incorporated MMBTA06-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA06 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated zxt13n50de6ta 0.6800
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXT13N50 1.1 w SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 4 a 100NA NPN 180mv @ 400ma, 4a 300 @ 1a, 2v 115MHz
DDTC144WE-7 Diodes Incorporated DDTC144WE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTC144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
SBR2U60S1FQ-7 Diodes Incorporated SBR2U60S1FQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F SBR2U60 슈퍼 슈퍼 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 60 v 510 mV @ 2 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 75pf @ 10V, 1MHz
DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4014LPDQ-13 0.4208
RFQ
 ECAD 9330 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH4014 MOSFET (금속 (() 2.41W (TA), 42.8W (TC) PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 10.6A (TA), 43.6A (TC) 15mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 10.2NC @ 10V 733pf @ 20V -
MBRD20150CT-13 Diodes Incorporated MBRD20150CT-13 0.6000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD20150 Schottky TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 900 mV @ 10 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
BC847AW-7-F Diodes Incorporated BC847AW-7-F 0.0349
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
2N7002VC-7 Diodes Incorporated 2N7002VC-7 0.4000
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 280ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
SBRT15U100SP5-7D Diodes Incorporated SBRT15U100SP5-7D 0.3870
RFQ
 ECAD 9764 0.00000000 다이오드가 다이오드가 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBRT15 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 sbrt15u100sp5-7dditr 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mV @ 15 a 200 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 15a -
DMP45H4D9HK3-13 Diodes Incorporated DMP45H4D9HK3-13 0.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP45 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 450 v 4.7A (TC) 10V 4.9ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 13.7 NC @ 10 v ± 30V 564 pf @ 25 v - 104W (TC)
DDTA143TE-7-F Diodes Incorporated DDTA143TE-7-F 0.0483
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA143 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
MMSZ5263B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5263B-7-F 0.2400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5263 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
DMN2046U-13 Diodes Incorporated DMN2046U-13 0.0555
RFQ
 ECAD 6807 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2046 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN2046U-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 3.4A (TA) 2.5V, 4.5V 72mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 3.8 NC @ 4.5 v ± 12V 292 pf @ 10 v - 760MW (TA)
SBG1630CT-T Diodes Incorporated SBG1630CT-T -
RFQ
 ECAD 4174 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBG1630CT Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 16A 550 mV @ 8 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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