SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DDZ5V6CSF-7 Diodes Incorporated DDZ5V6CSF-7 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ5V6 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 2 v 5.76 v 80 옴
DDTA123YCA-7-F Diodes Incorporated DDTA123YCA-7-F 0.0386
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 DDTA123 200 MW SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
DDTA114ECAQ-13-F Diodes Incorporated DDTA114ECAQ-13-F 0.0291
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDTA114ECAQ-13-FTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BZX84C30TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C30TS-7-F -
RFQ
ECAD 7821 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 독립 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
SF10BG-B Diodes Incorporated SF10BG-B -
RFQ
ECAD 8969 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 75pf @ 4V, 1MHz
FMMT493QTA Diodes Incorporated FMMT493QTA 0.5000
RFQ
ECAD 58 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT493 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 1 a 100NA NPN 600mv @ 100ma, 1a 100 @ 250ma, 10V 150MHz
DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated DMP1046UFDB-13 0.4800
RFQ
ECAD 4124 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1046 MOSFET (금속 (() 1.4W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 12V 3.8a 61mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 17.9NC @ 8V 915pf @ 6v -
DCX69-13 Diodes Incorporated DCX69-13 -
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DCX69 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 200MHz
BZT52C5V6-13 Diodes Incorporated BZT52C5V6-13 -
RFQ
ECAD 3052 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
DMP4025SFG-13-52 Diodes Incorporated DMP4025SFG-13-52 0.1965
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP4025 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 31-DMP4025SFG-13-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 4.65A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10V 1.8V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 1643 PF @ 20 v - 810MW (TA)
RS2G-13-F Diodes Incorporated RS2G-13-F 0.1872
RFQ
ECAD 3224 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2G 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C27SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C27SQ-7-F -
RFQ
ECAD 9062 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 7.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZT52C27SQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18.9 v 27 v 80 옴
DMN5L06DW-7 Diodes Incorporated DMN5L06DW-7 -
RFQ
ECAD 6093 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 280ma 3ohm @ 200ma, 2.7v 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
DDC114TU-7-F Diodes Incorporated DDC114TU-7-F 0.4100
RFQ
ECAD 125 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
PD3Z284C4V3-7 Diodes Incorporated PD3Z284C4V3-7 -
RFQ
ECAD 4732 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3Z284 500MW PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated DMP1005UFDF-7 0.5400
RFQ
ECAD 399 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1005 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 26A (TC) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 47 NC @ 8 v ± 8V 2475 pf @ 6 v - 2.1W (TA)
DDTB142TC-7 Diodes Incorporated DDTB142TC-7 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTB142 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
FZT757TA Diodes Incorporated FZT757TA 0.8300
RFQ
ECAD 40 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT757 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 5V 30MHz
DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG1012 MOSFET (금속 (() SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 950MA (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 6V 43 pf @ 16 v - 460MW
DDZX9V1C-13 Diodes Incorporated DDZX9V1C-13 0.0357
RFQ
ECAD 6346 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX9 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DDZX9V1C-13DI 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 9.1 v 8 옴
DDTA124GUA-7 Diodes Incorporated DDTA124GUA-7 0.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA124 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZXMD63C03XTA Diodes Incorporated ZXMD63C03XTA -
RFQ
ECAD 9353 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXMD63 MOSFET (금속 (() 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 및 p 채널 30V - 135mohm @ 1.7a, 10V 1V @ 250µA (Min) 8NC @ 10V 290pf @ 25V 논리 논리 게이트
DMTH10H005LCT Diodes Incorporated DMTH10H005LCT 2.4800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMTH10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 140A (TC) 10V 5MOHM @ 13A, 10V 3.5V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 3688 pf @ 50 v - 187W (TC)
DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SSDQ-13 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMPH6050 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 5.2A (TA) 48mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 14.5NC @ 4.5V 1525pf @ 30V -
DMT69M5LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMT69M5LFVWQ-13 0.3567
RFQ
ECAD 8341 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT69M5LFVWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14.8A (TA), 40.6A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10V 2.5V @ 250µA 28.4 NC @ 10 v ± 20V 1406 pf @ 30 v - 2.74W (TA), 20.5W (TC)
SBR30A100CTE Diodes Incorporated sbr30a100cte 0.8900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SBR30 슈퍼 슈퍼 TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1034-sbr30a100cte 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 800 mV @ 15 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZX84C10-7-G Diodes Incorporated BZX84C10-7-G -
RFQ
ECAD 4590 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZX84 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZX84C10-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
B340CE-13-2477 Diodes Incorporated B340CE-13-2477 -
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky SMC - 31-B340CE-13-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 140pf @ 4V, 1MHz
GDZ16LP3-7 Diodes Incorporated GDZ16LP3-7 -
RFQ
ECAD 4164 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) 250 MW X3-DFN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 11.2 v 16 v
SBL1635 Diodes Incorporated SBL1635 -
RFQ
ECAD 6476 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 570 mV @ 16 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고