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디스크리트 반도체(13379)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
MMBZ5221BT-7-G Diodes Incorporated MMBZ5221BT-7-G -
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 ECAD 5446 0.00000000 다이오드 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MMBZ5221BT-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3,000
DMN6140L-13 Diodes Incorporated DMN6140L-13 0.3900
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 ECAD 205 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V 1.6A(타) 4.5V, 10V 140m옴 @ 1.8A, 10V 3V @ 250μA 8.6nC @ 10V ±20V 40V에서 315pF - 700mW(타)
ZXMN3A04KTC Diodes Incorporated ZXMN3A04KTC 0.9087
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 ECAD 7303 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 ZXMN3 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(B형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12A(타) 4.5V, 10V 20m옴 @ 12A, 10V 1V @ 250mA 36.8nC @ 10V ±20V 15V에서 1890pF - 2.15W(타)
SBR05U20LP-7 Diodes Incorporated SBR05U20LP-7 -
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 ECAD 1255 0.00000000 다이오드 통합 SBR® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 0402(1006미터법) SBR05 슈퍼 배리어 X1-DFN1006-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 500mV @ 500mA 20V에서 50μA -65°C ~ 150°C 500mA -
G40E100CF5 Diodes Incorporated G40E100CF5 -
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 ECAD 6430 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 3-PowerDFN 쇼트키 F5 다운로드 31-G40E100CF5 더 이상 사용하지 않는 경우 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 40A 710mV @ 20A 100V에서 100μA -55°C ~ 150°C
BZT52C18LP-7 Diodes Incorporated BZT52C18LP-7 0.4500
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 ECAD 5 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.41% -65°C ~ 150°C 표면 실장 0402(1006미터법) BZT52 250mW X1-DFN1006-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 100nA @ 12.6V 18V 45옴
ZXMP4A57E6TA Diodes Incorporated ZXMP4A57E6TA 0.6300
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 ECAD 31 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXMP4A57 MOSFET(금속) SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 40V 2.9A(타) 4.5V, 10V 80m옴 @ 4A, 10V 3V @ 250μA 15.8nC @ 10V ±20V 20V에서 833pF - 1.1W(타)
DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7 0.4000
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 ECAD 78 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XDFN DMG3415 MOSFET(금속) X2-DFN2015-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 16V 2.5A(타) 1.8V, 4.5V 39m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 250μA 10nC @ 4.5V ±8V 10V에서 282pF - 650mW(타)
DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated DXTN58100CFDB-7 0.5300
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 ECAD 2 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-UDFN 옆패드 DXTN58100 690mW U-DFN2020-3(B형) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100V 4A 100nA NPN 260mV @ 400mA, 4A 180 @ 500mA, 2V 150MHz
DMN29M9UFDF-13 Diodes Incorporated DMN29M9UFDF-13 0.1392
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 ECAD 6870 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMN29 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN29M9UFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 20V 11A(타) 1.8V, 4.5V 13.5m옴 @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250μA 14.6nC @ 10V ±12V 655pF @ 8V - 1.2W(타)
DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFGQ-7 0.2780
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 ECAD 1029 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMN10 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMN10H170SFGQ-7DI EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 100V 2.9A(Ta), 8.5A(Tc) 4.5V, 10V 122m옴 @ 3.3A, 10V 3V @ 250μA 14.9nC @ 10V ±20V 870.7pF @ 25V - 940mW(타)
BZT52C5V1Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C5V1Q-7-F 0.0384
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 ECAD 3 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.88% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123 BZT52 370mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BZT52C5V1Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 2V에서 2μA 5.1V 60옴
SBR15U30SP5Q-13 Diodes Incorporated SBR15U30SP5Q-13 0.3546
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 ECAD 6042 0.00000000 다이오드 통합 SBR® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 파워DI™ 5 SBR15 슈퍼 배리어 파워DI™ 5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. SBR15U30SP5Q-13DI EAR99 8541.10.0080 5,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 30V 490mV @ 15A 300μA @ 30V -55°C ~ 150°C 15A 400pF @ 30V, 1MHz
SBR40U100CT-2223 Diodes Incorporated SBR40U100CT-2223 -
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 ECAD 6762 0.00000000 다이오드 통합 SBR® 대부분 마지막 구매 스루홀 TO-220-3 슈퍼 배리어 TO-220-3 - 31-SBR40U100CT-2223 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 40A 20A에서 720mV 100V에서 500μA -65°C ~ 150°C
DMP26M1UPS-13 Diodes Incorporated DMP26M1UPS-13 0.3326
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 ECAD 2252 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMP26 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMP26M1UPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 20V 90A(Tc) 2.5V, 4.5V 6m옴 @ 15A, 4.5V 1V @ 250μA 164nC @ 10V ±10V 5392pF @ 10V - 1.34W
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated DMP6250SE-13 0.7000
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 ECAD 3 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA DMP6250 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 60V 2.1A(타) 4.5V, 10V 250m옴 @ 1A, 10V 3V @ 250μA 10V에서 9.7nC ±20V 30V에서 551pF - 1.8W(Ta), 14W(Tc)
DMTH10H010LCTB-13 Diodes Incorporated DMTH10H010LCTB-13 0.9188
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 ECAD 5924 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 DMTH10 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 108A(Tc) 10V 9.5m옴 @ 13A, 10V 3.5V @ 250μA 53.7nC @ 10V ±20V 50V에서 2592pF - 2.4W(Ta), 166W(Tc)
DMP2004TK-7 Diodes Incorporated DMP2004TK-7 0.5200
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 ECAD 62 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMP2004 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 430mA(타) 1.8V, 4.5V 1.1옴 @ 430mA, 4.5V 1V @ 250μA ±8V 175pF @ 16V - 150mW(타)
1N4003-B Diodes Incorporated 1N4003-B -
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 ECAD 1493 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N4003 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 200V 1V @ 1A 200V에서 5μA -65°C ~ 150°C 1A 15pF @ 4V, 1MHz
SDT12A120P5-7 Diodes Incorporated SDT12A120P5-7 0.3200
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 ECAD 1433 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 파워DI™ 5 SDT12 쇼트키 파워DI™ 5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 120V 800mV @ 12A 120V에서 500μA -55°C ~ 150°C 12A -
SBR30A40CT-G Diodes Incorporated SBR30A40CT-G -
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 ECAD 6730 0.00000000 다이오드 통합 SBR® 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 SBR30 슈퍼 배리어 TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-SBR30A40CT-G EAR99 8541.10.0080 50 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 40V 30A 15A에서 500mV 40V에서 500μA -65°C ~ 150°C
BZX84C6V2-7 Diodes Incorporated BZX84C6V2-7 -
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 ECAD 4547 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. ±6% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 4V에서 3μA 6.2V 10옴
S2D-13 Diodes Incorporated S2D-13 -
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 ECAD 4813 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 DO-214AA, SMB S2D 기준 건축 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 200V 1.15V @ 1.5A 200V에서 5μA -65°C ~ 150°C 1.5A 20pF @ 4V, 1MHz
DMP3045LVT-13 Diodes Incorporated DMP3045LVT-13 0.1150
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 ECAD 7170 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMP3045 MOSFET(금속) TSOT-26 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMP3045LVT-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 30V 5.4A(타) 4.5V, 10V 42m옴 @ 4.9A, 10V 2.1V @ 250μA 14.3nC @ 10V ±20V 15V에서 749pF - 1.2W(타)
1N5817A-01 Diodes Incorporated 1N5817A-01 -
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 ECAD 3388 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N5711 쇼트키 DO-41 - 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 750mV @ 3A 20V에서 1mA -65°C ~ 125°C 1A 110pF @ 4V, 1MHz
DMPH4015SSS-13 Diodes Incorporated DMPH4015SSS-13 1.2100
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 ECAD 9 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMPH4015 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 11.4A(타) 4.5V, 10V 11m옴 @ 9.8A, 10V 2.5V @ 250μA 91nC @ 10V ±25V 20V에서 4234pF - 1.8W
SBR8E45P5-13D Diodes Incorporated SBR8E45P5-13D 0.1885
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 ECAD 3152 0.00000000 다이오드 통합 SBR® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 파워DI™ 5 SBR8E45 슈퍼 배리어 파워DI™ 5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. SBR8E45P5-13DDI EAR99 8541.10.0080 5,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 45V 600mV @ 5A 45V에서 280μA -55°C ~ 150°C 5A -
DDA122TU-7-F Diodes Incorporated DDA122TU-7-F -
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 ECAD 2019 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA122 200mW SOT-363 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 200MHz 220옴 -
DMP2077UCA3-7 Diodes Incorporated DMP2077UCA3-7 0.4100
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 ECAD 10 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN DMP2077 MOSFET(금속) X4-DSN1006-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 8V 78m옴 @ 500mA, 8V 1V @ 250μA 1.34nC @ 4.5V ±12V 10V에서 143pF - 660mW
SB1100 Diodes Incorporated SB1100 -
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 ECAD 4519 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 31-SB1100TR EAR99 8541.10.0080 1
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AD9208BBPZ-3000

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