SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BAT54STA Diodes Incorporated Bat54sta 0.3000
RFQ
ECAD 82 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 4 µa @ 25 v 125 ° C (°)
FCX1047ATA Diodes Incorporated fcx1047ata 0.7100
RFQ
ECAD 57 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX1047 2 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 10 v 4 a 10NA NPN 350MV @ 25MA, 5A 300 @ 1a, 2v 150MHz
DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated DMC3016LNS-7 0.2475
RFQ
ECAD 2535 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMC3016 MOSFET (금속 (() 1.3W (TA) PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 보완 p 채널 및 30V 9A (TA), 6.8A (TA) 16mohm @ 7a, 10v, 28mohm @ 7a, 10v 2V @ 250µA 9.5NC @ 4.5V 1184pf @ 15v, 1188pf @ 15v -
DDTC143ZKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143ZKA-7-F -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
BC847PN-7-F Diodes Incorporated BC847pn-7-F 0.3400
RFQ
ECAD 1134 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2ma, 5V / 220 @ 2MA, 5V 300MHz, 200MHz
MMBTA13-7 Diodes Incorporated MMBTA13-7 -
RFQ
ECAD 8545 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA13 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
6A1-T Diodes Incorporated 6A1-T -
RFQ
ECAD 7940 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A1 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 100 v 900 mV @ 6 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
BZX84C33W-7-F Diodes Incorporated BZX84C33W-7-F 0.0630
RFQ
ECAD 1356 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
MMBZ5237BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5237BT-7-F 0.0736
RFQ
ECAD 6675 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 MMBZ5237 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
ZTX694BSTOB Diodes Incorporated ZTX694BSTOB -
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX694B 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 120 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 400ma 400 @ 200ma, 2v 130MHz
ZXTN26070CV-7 Diodes Incorporated ZXTN26070CV-7 0.2320
RFQ
ECAD 2310 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 ZXTN26070 600MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZXTN26070CV-7DI 귀 99 8541.21.0075 3,000 70 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 330mv @ 200ma, 2a 200 @ 100ma, 5V 200MHz
ZDT694TA Diodes Incorporated ZDT694TA 1.1300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT694 2.75W sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 120V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 5ma, 400ma 400 @ 200ma, 2v 130MHz
MMDT3906VC-7 Diodes Incorporated MMDT3906VC-7 0.4300
RFQ
ECAD 4057 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MMDT3906 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma - 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DSR15U600-G Diodes Incorporated DSR15U600-G -
RFQ
ECAD 7676 0.00000000 다이오드가 다이오드가 Diodestar ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 31-DSR15U600-G 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 V @ 15 a 35 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a 80pf @ 4V, 1MHz
BZT52C2V7-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C2V7-7-F-79 -
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C2V7-7-F-79DI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DDTA115TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA115TUA-7-F 0.0435
RFQ
ECAD 7218 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA115 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
DDTA123YCA-7 Diodes Incorporated DDTA123YCA-7 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
ZTX688BSTOB Diodes Incorporated ZTX688BSTOB -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX688B 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 12 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 20MA, 3A 500 @ 100MA, 2V 150MHz
BZT52C5V1S-7-F Diodes Incorporated BZT52C5V1S-7-F 0.2800
RFQ
ECAD 241 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
MBR1060-LS Diodes Incorporated MBR1060-L -
RFQ
ECAD 4414 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1060 Schottky TO-220AC - 31-MBR1060-L 쓸모없는 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 950 MV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 400pf @ 4V, 1MHz
BZT52C10-13 Diodes Incorporated BZT52C10-13 -
RFQ
ECAD 4666 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
B180-13 Diodes Incorporated B180-13 -
RFQ
ECAD 1837 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA B180 Schottky SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
DMPH4029LFG-13 Diodes Incorporated DMPH4029LFG-13 0.2558
RFQ
ECAD 5470 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMPH4029 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMPH4029LFG-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8A (TA), 22A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1626 pf @ 20 v - 1.2W (TA)
DMNH4026SSD-13 Diodes Incorporated DMNH4026SSD-13 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMNH4026 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 7.5A (TA) 24mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v 1060pf @ 20V -
BC56-16PA-7 Diodes Incorporated BC56-16PA-7 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC56 520 MW U-DFN2020-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 125MHz
DDTA115EKA-7-F Diodes Incorporated DDTA115EKA-7-F -
RFQ
ECAD 9632 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA115 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
SDT5A100P5-13 Diodes Incorporated SDT5A100P5-13 0.1607
RFQ
ECAD 9060 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SDT5A100 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 660 mV @ 5 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
DMN61D8L-7 Diodes Incorporated DMN61D8L-7 0.4000
RFQ
ECAD 3519 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN61 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 470MA (TA) 3V, 5V 1.8ohm @ 150ma, 5V 2V @ 1mA 0.74 nc @ 5 v ± 12V 12.9 pf @ 12 v - 390MW (TA)
BZX84C9V1-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C9V1-7-F-31 -
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C9V1-7-F-31TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
DDTA123EUA-7 Diodes Incorporated DDTA123EUA-7 0.3900
RFQ
ECAD 75 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA123EUA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고