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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
BZX84C22-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C22-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZX84 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZX84C22-7-F-79DI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BAT54ATA Diodes Incorporated Bat54ata 0.3000
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 4 µa @ 25 v 125 ° C (°)
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDB-7 0.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3032 MOSFET (금속 (() 1W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.2A 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 10.6NC @ 10V 500pf @ 15V -
DDTA123TCA-7-F Diodes Incorporated DDTA123TCA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms
BZT52C27-13-G Diodes Incorporated BZT52C27-13-G -
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C27-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-13 0.1948
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT3020 MOSFET (금속 (() 700MW u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.7A (TA) 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
BZT52C12TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C12TQ-7-F 0.2700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.4% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated DMN65D8LV-13 0.0496
RFQ
 ECAD 3115 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 영향을받지 영향을받지 31-DMN65D8LV-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 115ma, 10V 2V @ 250µA 0.87 nc @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 370MW (TA)
FMMV105GTA Diodes Incorporated FMMV105GTA -
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fmmv105g SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 2.8pf @ 25V, 1MHz 하나의 30 v 6 C3/C25 350 @ 3V, 50MHz
DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated DMP2200UDW-13 0.4100
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2200 MOSFET (금속 (() 450MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 900ma 260mohm @ 880ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 184pf @ 10V -
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 14A (TA), 80A (TC) 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2085 pf @ 50 v - 1.3W (TA)
FZT688BTC Diodes Incorporated FZT688BTC -
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT688 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 4 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 4a 400 @ 3A, 2V 150MHz
SBR1A30T5-7 Diodes Incorporated SBR1A30T5-7 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 SBR1A30 슈퍼 슈퍼 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 1 a 15 ns 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 95pf @ 1v, 1MHz
DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated DMT3009UDT-7 0.3304
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 DMT3009 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA), 16W (TC) V-DFN3030-8 (KS 유형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmt3009udt-7tr 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 30V 10.6A (TA), 30A (TC) 11.1MOHM @ 11a, 10V 1.8V @ 250µA 14.6NC @ 10V 894pf @ 15V -
S1U50700A Diodes Incorporated S1U50700A 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) S1U50700 To-92 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 700 v 1 a 800 MV 10A @ 60Hz 50 µA 1.7 v 10 µA 민감한 민감한
DDTC114WUA-7-F Diodes Incorporated DDTC114WUA-7-F 0.2500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DDTC114EE-7-F Diodes Incorporated DDTC114EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC114 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
DCX114YH-7 Diodes Incorporated DCX114YH-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DCX114 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
S1JB-13-F Diodes Incorporated S1JB-13-F 0.3400
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S1J 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
T16M25F600B Diodes Incorporated T16M25F600B 0.7682
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 T16M25 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-T16M25F600B 귀 99 8541.30.0080 50
DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated DMT4002LPS-13 0.6468
RFQ
 ECAD 5739 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT4002 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TA) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 116.1 NC @ 10 v ± 20V 6771 pf @ 20 v - 2.3W
ZTX605STOB Diodes Incorporated ZTX605STOB -
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX605 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 120 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
ZXT12N50DXTC Diodes Incorporated zxt12n50dxtc 0.6300
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXT12N50 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 50V 3A 100NA 2 NPN (() 250MV @ 50MA, 3A 300 @ 1a, 2v 132MHz
DZ23C8V2-7 Diodes Incorporated DZ23C8V2-7 -
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 DZ23C8V2 300MW SOT-23F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 8.2 v 7 옴
S1VM02600A Diodes Incorporated S1VM02600A -
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) S1VM02600 To-92 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 600 v 1.5 a 800 MV 15A @ 60Hz 200 µA 1.7 v 10 µA 민감한 민감한
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
 ECAD 8065 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3023L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 6.2A (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 1.8V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 20V 873 pf @ 15 v - 900MW (TA)
1N4933L-T Diodes Incorporated 1N4933L-T -
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4933 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-7 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT47 MOSFET (금속 (() 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 40V 11.9A (TA), 30.2A (TC) 10.8mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 14NC @ 10V 891pf @ 20V -
ZXTC2045E6QTA Diodes Incorporated ZXTC2045E6QTA 0.2809
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTC2045 700MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 1.5A 20NA (ICBO) NPN, PNP 375mv @ 15ma, 750ma 180 @ 100MA, 2V 265MHz, 195MHz
DMP2900UWQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UWQ-13 0.0500
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMP2900UWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 600MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7 PC @ 4.5 v ± 6V 49 pf @ 16 v - 300MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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