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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated DMT32M6LDG-7 1.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT32 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) PowerDI3333-8 (G 형) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 30V 21A (TA), 47A (TC) 2.5mohm @ 18a, 10V 2.2V @ 400µA 15.6NC @ 4.5V 2101pf @ 15V 기준
DMN2055UQ-13 Diodes Incorporated DMN2055UQ-13 0.0640
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2055 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 31-DMN2055UQ-13 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 4.8A (TA) 2.5V, 4.5V 38mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 8V 400 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DMC2991UDR4-7 Diodes Incorporated DMC2991UDR4-7 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 DMC2991 MOSFET (금속 (() 370MW (TA) x2-dfn1010-6 (유형 uxc) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 및 p 채널 20V 500MA (TA), 360MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v, 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.28nc @ 4.5v, 0.3nc @ 4.5v 14.6pf @ 16v, 17pf @ 16v 기준
DMP58D1LV-7 Diodes Incorporated DMP58D1LV-7 0.4100
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP58 MOSFET (금속 (() 490MW (TA) SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 220MA (TA) 8ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25v 기준
KBP4T10 Diodes Incorporated KBP4T10 0.3851
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP4 기준 KBP - 31-KBP4T10 귀 99 8541.10.0080 35 1.3 V @ 4 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
DMTH15H017SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPSW-13 0.7738
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH15 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) - 31-DMTH15H017SPSW-13 2,500 n 채널 150 v 11A (TA), 61A (TC) 8V, 10V 19mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2344 pf @ 75 v - 1.5W (TA), 107W (TC)
DMN62D0UV-13 Diodes Incorporated DMN62D0UV-13 0.0610
RFQ
 ECAD 5420 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN62 MOSFET (금속 (() 470MW (TA) SOT-563 - 1 (무제한) 31-dmn62d0uv-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 490MA (TA) 2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 32pf @ 30V 기준
GDZ12LP3Q-7 Diodes Incorporated GDZ12LP3Q-7 0.0498
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) 250 MW X3-DFN0603-2 다운로드 31-GDZ12LP3Q-7 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 v 12 v
DMC4050SSDQ-13-52 Diodes Incorporated DMC4050SSDQ-13-52 0.2590
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC4050 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 31-DMC4050SSDQ-13-52 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 40V 4.2A (TA) 45mohm @ 3a, 10V 1.8V @ 250µA 37.56NC @ 10V, 33.66NC @ 10V 1790.8pf @ 20V, 1643.17pf @ 20V 기준
DMC2038LVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2038LVTQ-7-52 0.1219
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET (금속 (() 800MW (TA) TSOT-26 다운로드 31-DMC2038LVTQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 3.7A (TA), 2.6A (TA) 35mohm @ 4a, 4.5v, 74mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 17nc @ 10v, 14nc @ 10v 530pf @ 10v, 705pf @ 10v 기준
GBU808-01-LS Diodes Incorporated GBU808-01-LS 0.5760
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU808 기준 GBU - 31-GBU808-01-LS 귀 99 8541.10.0080 20 1.2 v @ 8 a 5 µa @ 800 v 8 a 단일 단일 800 v
DMP3099L-7-50 Diodes Incorporated DMP3099L-7-50 0.0600
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3099 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMP3099L-7-50 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10V 2.1V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 563 pf @ 25 v - 1.08W
DMG1029SVQ-7-52 Diodes Incorporated DMG1029SVQ-7-52 0.0622
RFQ
 ECAD 6781 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMG1029 MOSFET (금속 (() 450MW (TA) SOT-563 다운로드 31-DMG1029SVQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 60V 500MA (TA), 360MA (TA) 1.7ohm @ 500ma, 10v, 4ohm @ 500ma, 10v 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA 0.3nc @ 4.5v, 0.28nc @ 4.5v 30pf @ 25v, 25pf @ 25v 기준
B0520LWQ-7-F-52 Diodes Incorporated B0520LWQ-7-F-52 0.0626
RFQ
 ECAD 6928 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123 B0520 Schottky SOD-123 다운로드 31-B0520LWQ-7-F-52 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 385 mV @ 500 mA 250 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 500ma 170pf @ 0V, 1MHz
DMN31D5UDAQ-7B Diodes Incorporated DMN31D5UDAQ-7B 0.0357
RFQ
 ECAD 1162 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DMN31 MOSFET (금속 (() 370MW (TA) X2-DFN0806-6 다운로드 31-DMN31D5UDAQ-7B 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 30V 400MA (TA) 1.5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V 기준
MMDT3906-7-F-52 Diodes Incorporated MMDT3906-7-F-52 0.0873
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3906 200MW SOT-363 다운로드 31-MMDT3906-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DMG2307L-7-52 Diodes Incorporated DMG2307L-7-52 0.0814
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMG2307L-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 371.3 pf @ 15 v - 760MW (TA)
DMP2004UFG-13 Diodes Incorporated DMP2004UFG-13 0.3474
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2004 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 - 31-DMP2004UFG-13 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 115A (TC) 2.5V, 10V 3MOHM @ 15A, 10V 1.1V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 12V 3840 pf @ 10 v - 1W (TA)
1N4148WTQ-7-52 Diodes Incorporated 1N4148WTQ-7-52 0.0288
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1N4148 기준 SOD-523 다운로드 31-1n4148WTQ-7-52 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 V @ 50 ma 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 125MA 2pf @ 0V, 1MHz
BSS84W-7-F-50 Diodes Incorporated BSS84W-7-F-50 0.0660
RFQ
 ECAD 9995 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 1 (무제한) 31-BSS84W-7-F-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 200MW
DMN12M8UCA10-7 Diodes Incorporated DMN12M8UCA10-7 0.7000
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-smd,, 없음 DMN12 MOSFET (금속 (() 1.4W X4-DSN3015-10 다운로드 31-DMN12M8UCA10-7 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 12V 25A (TA) 2.8mohm @ 6a, 4.5v 1.4V @ 1.11ma 36.4NC @ 4V 2504pf @ 10V 기준
FMMT459TA-50 Diodes Incorporated FMMT459TA-50 0.1317
RFQ
 ECAD 7893 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT459 625 MW SOT-23-3 다운로드 31-FMMT459TA-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 450 v 150 MA 100NA NPN 90mv @ 5ma, 50ma 50 @ 30MA, 10V 50MHz
DMN3020UFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN3020UFDFQ-7 0.1386
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3020 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 31-DMN3020UFDFQ-7 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 10.4A (TA), 15A (TC) 1.5V, 4.5V 19mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 27 NC @ 8 v ± 12V 1304 pf @ 15 v - 730MW (TA)
DMP4065S-13-52 Diodes Incorporated DMP4065S-13-52 0.1411
RFQ
 ECAD 5852 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP4065 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMP4065S-13-52 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 40 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 12.2 NC @ 10 v ± 20V 587 pf @ 20 v - 720MW
DMN3300U-7-52 Diodes Incorporated DMN3300U-7-52 0.1148
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3300 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMN3300U-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 1.5A (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 193 pf @ 10 v - 700MW
TT10M_HF Diodes Incorporated TT10M_HF 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 TT10M 기준 TTL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.05 V @ 5 a 5 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
DMMT3904WQ-7-F-52 Diodes Incorporated DMMT3904WQ-7-F-52 0.0880
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3904 200MW SOT-363 다운로드 31-DMMT3904WQ-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
DMMT3906WQ-7-F-52 Diodes Incorporated DMMT3906WQ-7-F-52 0.0878
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3906 200MW SOT-363 다운로드 31-DMMT3906WQ-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DMN6068LK3-13-52 Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52 0.3003
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6068 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMN6068LK3-13-52 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 502 pf @ 30 v - 2.12W (TA)
DFLR1600-7-52 Diodes Incorporated DFLR1600-7-52 0.0668
RFQ
 ECAD 3067 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLR1600 기준 PowerDI ™ 123 다운로드 31-DFLR1600-7-52 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 3 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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