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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BAS70DW-04-7-F	0.4700	RFQ	9	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS70	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
BZT52C33SQ-7-F	0.0359	RFQ	8585	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	SOD-323	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZT52C33SQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 23.1 v							33 v	80 옴
DDTA123JKA-7-F	-	RFQ	3620	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA123		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전-	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
FZT690BTC	-	RFQ	9398	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZT690		2 w	SOT-223-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	4,000																						45 v	3 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 5ma, 1a	150 @ 2a, 2v	150MHz
DMP2165UW-7	0.3800	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	DMP2165	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.5A (TA)	1.8V, 4.5V	90mohm @ 1.5a, 4.5v	1V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 v	± 12V	335 pf @ 15 v	-	500MW (TA)
DDC144EU-7-F-50	0.0365	RFQ	6381	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC144		200MW	SOT-363	다운로드				31-DDC144EU-7-F-50	귀 99	8541.21.0075	3,000																						50V	100ma	500NA (ICBO)			2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	68 @ 5MA, 5V	250MHz	47kohms	47kohms
DXTN3C100PSQ-13	0.2170	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DXTN3C100		5 w	PowerDi5060-8 (Q 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	2,500																						100 v	3 a	100NA			NPN	300ma, 3a. 3A	150 @ 500ma, 10V	140MHz
DXT2013P5-13	0.6000	RFQ	12	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerDI ™ 5	DXT2013		3.2 w	PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	5,000																						100 v	5 a	20NA (ICBO)			PNP	340mv @ 400ma, 4a	100 @ 1a, 1v	125MHz
ADTC143ZCAQ-7	0.0508	RFQ	9084	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTC143		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						50 v	100 MA	500NA			npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
DDZ9697S-7	0.4500	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	DDZ9697		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 7.6 v							10 v
DDZX36-13	0.0321	RFQ	3751	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDZX36		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DDZX36-13DI	귀 99	8541.10.0050	10,000																900 mV @ 10 ma		50 na @ 30 v							36.9 v	85 옴
B140BE-13	-	RFQ	5882	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	B140	Schottky		SMB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 1 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
BAS70BRW-7-F	0.5800	RFQ	18	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS70	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SBG3030CT-TF	-	RFQ	3941	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SBG3030CT	Schottky		TO-263	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	30 v	15a	550 mV @ 15 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
DN0150BLP4-7	-	RFQ	9032	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DN0150		450 MW	X2-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																						50 v	100 MA	100NA (ICBO)			NPN	250mv @ 10ma, 100ma	200 @ 2ma, 6v	60MHz
SBR3U60P5-7D	-	RFQ	8286	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101, SBR®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	PowerDI ™ 5	SBR3U60	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,500	짐													60 v		600 mV @ 3 a		60 @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	110pf @ 4V, 1MHz
B140BQ-13-F	0.4000	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	B140	Schottky		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
DMP2104LP-7	0.4300	RFQ	78	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn	DMP2104	MOSFET (금속 (()		DFN1411-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.5A (TA)	1.8V, 4.5V	150mohm @ 950ma, 4.5v	1V @ 250µA		± 12V	320 pf @ 16 v	-	500MW (TA)
BAT54A-7	-	RFQ	2458	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 양극 양극 공통	30 v	200MA (DC)	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5230B-7	-	RFQ	2608	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5230B		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v							4.7 v	19 옴
DMN2400UFB4-7	0.3700	RFQ	121	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN2400	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	750MA (TA)	1.8V, 4.5V	550mohm @ 600ma, 4.5v	900MV @ 250µA	0.5 nc @ 4.5 v	± 12V	36 pf @ 16 v	-	470MW (TA)
DMN2024U-13	0.0905	RFQ	9157	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2024	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	20 v	6.8A (TA)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 6.5a, 4.5v	900MV @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 v	± 10V	647 pf @ 10 v	-	800MW
DRDNB16W-7	0.3700	RFQ	65	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DRDNB16		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						50 v	600 MA	500NA			npn-사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	56 @ 50MA, 5V	200MHz	1 KOHMS	10 KOHMS
PDS3200-13	1.5800	RFQ	8	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	PDS3200	Schottky		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		780 mv @ 3 a		10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
DDTA125TUA-7	0.1000	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					DDTA125				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000
1SMB5921B-13	0.4500	RFQ	4477	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5921		3 w	SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v							6.8 v	2.5 옴
DDC123JU-7-F	0.4100	RFQ	44	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC123		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						50V	100ma	500NA			2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2kohms	47kohms
DMTH6005LFG-7	0.5078	RFQ	2590	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DMTH6005LFG-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	60 v	19.7A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	4.1MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 v	± 20V	3150 pf @ 30 v	-	2.38W (TA), 75W (TC)
BZT52C10SQ-7-F	0.0359	RFQ	7837	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZT52C10SQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v							10 v	20 옴
DMP6350S-7	0.4300	RFQ	1665	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP6350	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	60 v	1.5A (TA)	4.5V, 10V	350mohm @ 900ma, 10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 10 v	± 20V	206 pf @ 30 v	-	720MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²