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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
DDZ33DSF-7	0.1600	RFQ	2395	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	DDZ33		500MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		70 NA @ 29.9 v									32.3 v	65 옴
D3Z16BF-7	0.2000	RFQ	7	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	D3Z16		400MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		50 na @ 12 v									16.18 v	20 옴
BAV170-7-F	0.2800	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV170	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 음극 음극 공통	85 v	125MA (DC)	1.1 v @ 50 ma	3 µs	5 na @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZT585B3V9TQ-13	0.0417	RFQ	8657	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT585		350 MW	SOD-523	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZT585B3V9TQ-13TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 100 ma		3 µa @ 1 v									3.9 v	90 옴
SBRT60U50CT	-	RFQ	2666	다이오드가 다이오드가	트렌치 트렌치	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBRT60	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	sbrt60u50ctdi	귀 99	8541.10.0080	50		짐												1 음극 음극 공통	50 v	30A	520 MV @ 30 a		700 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
DMG7430LFGQ-7	0.2384	RFQ	9976	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMG7430	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMG7430LFGQ-7DI	귀 99	8541.21.0095	2,000			n 채널	30 v	10.5A (TA)	4.5V, 10V	11mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	26.7 NC @ 10 v	± 20V	1281 pf @ 15 v	-	900MW (TA)
DMTH6016LFVWQ-7	0.6400	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMTH6016	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	60 v	41A (TC)	4.5V, 10V	16MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	15.1 NC @ 10 v	± 20V	939 pf @ 30 v	-	1.17W (TA)
DMP2037UFCL-7	0.1254	RFQ	6931	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powerufdfn	DMP2037	MOSFET (금속 (()		U-DFN1616-6 (k)	다운로드				31-DMP2037UFCL-7	귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	20 v	8A (TA)	2.5V, 4.5V	28mohm @ 2a, 4.5v	1.5V @ 250µA	16.5 nc @ 8 v	± 10V	806 pf @ 10 v	-	1.1W (TA)
DMTH45M5LFVW-7	0.2842	RFQ	5887	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-DMTH45M5LFVW-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	40 v	18A (TA), 71A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 25a, 10V	2.3V @ 250µA	13.9 NC @ 10 v	± 20V	978 pf @ 20 v	-	3.5W (TA), 51W (TC)
DZT851-13	-	RFQ	6294	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	DZT851		1 W.	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																							60 v	6 a			50NA (ICBO)			NPN	375mv @ 300ma, 6a	100 @ 2a, 1v	130MHz
DDTD114TC-7-F	-	RFQ	6976	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTD114		200 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	500 MA			500NA (ICBO)			npn-사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	100 @ 50MA, 5V	200MHz	10 KOHMS
DMN3012LFG-13	-	RFQ	5344	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn	DMN3012	MOSFET (금속 (()	2.2W	PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			30V	20A (TC)		12MOHM @ 15A, 5V, 6MOHM @ 15A, 5V	2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA	6.1nc @ 4.5v, 12.6nc @ 4.5v		850pf @ 15v, 1480pf @ 15v	-
B290AE-13	0.0838	RFQ	9944	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	B290	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		790 MV @ 2 a		7 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	70pf @ 4V, 1MHz
B540C-13	-	RFQ	8230	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	B540	Schottky		SMC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
1N4936-T	0.2000	RFQ	30	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4936	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
DDTA143TE-7-F	0.0483	RFQ	5942	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	DDTA143		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA			500NA (ICBO)			pnp- 사전-	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms
BAS70-04-7	-	RFQ	9263	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70	Schottky		SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 연결 연결 시리즈	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
DMN3069L-7	0.0760	RFQ	7158	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN3069	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN3069L-7TR	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	5.3A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 4a, 10V	1.8V @ 250µA	8.1 NC @ 10 v	± 20V	309 pf @ 15 v	-	800MW
BAT54AW-7-F	0.2800	RFQ	28	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 양극 양극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
FMMT720TC	-	RFQ	8403	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT720		625 MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																							40 v	1.5 a			100NA			PNP	330mv @ 100ma, 1.5a	300 @ 100MA, 2V	190mhz
BAS70-04T-7-F	0.3700	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	BAS70	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 연결 연결 시리즈	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SDT12A120P5Q-13	-	RFQ	6793	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000
DSC05120FP	6.0400	RFQ	48	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		ITO-220AC (20 wx)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DSC05120FP	귀 99	8541.10.0080	50		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)													1200 v		1.7 V @ 5 a	0 ns	190 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	318pf @ 100MV, 1MHz
DMN2991UDA-7B	0.4200	RFQ	56	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 없음	DMN2991	MOSFET (금속 (()	310MW (TA)	X2-DFN0806-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			20V	450MA (TA)		990mohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.35NC @ 4.5V		21.5pf @ 16V	-
DMG1012T-13	0.0393	RFQ	3523	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMG1012	MOSFET (금속 (()		SOT-523	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	20 v	630MA (TA)	1.8V, 4.5V	400mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.74 nc @ 4.5 v	± 6V	60.67 pf @ 16 v	-	280MW (TA)
zc831ata	-	RFQ	2811	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZC831A			SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000																						16.5pf @ 2v, 1MHz			하나의	25 v										6	C2/C20	300 @ 3V, 50MHz
ADTA144VCAQ-13	0.0526	RFQ	3864	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTA144		310 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-ADTA144VCAQ-13TR	귀 99	8541.21.0075	10,000																							50 v	100 MA			500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	33 @ 10ma, 5V	250MHz	47 Kohms	10 KOHMS
Zlls500ta	0.5100	RFQ	58	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Zlls500	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		530mV @ 500 MA	3 ns	10 µa @ 30 v	150 ° C (°)	700ma	16pf @ 30V, 1MHz
DMG4932LSD-13	-	RFQ	4035	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMG4932LSD	MOSFET (금속 (()	1.19W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			30V	9.5A		15mohm @ 9a, 10V	2.4V @ 250µA	42NC @ 10V		1932pf @ 15V	논리 논리 게이트
ZTX658QSTZ	0.3920	RFQ	4766	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX658		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							400 v	500 MA			100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 10ma, 100ma	50 @ 100MA, 5V	50MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²