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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
AZ23C9V1-7-G	-	RFQ	4130	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AZ23C9V1				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C9V1-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
SDT15150P5-7	-	RFQ	3997	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	PowerDI ™ 5		Schottky		PowerDI ™ 5	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		860 mV @ 15 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
DCX55-13	-	RFQ	6274	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	DCX55		1 W.	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																							60 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	200MHz
ZVN4424ZTA	-	RFQ	9808	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA		MOSFET (금속 (()		SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	240 v	300MA (TA)	2.5V, 10V	5.5ohm @ 500ma, 10V	1.8V @ 1mA		± 40V	200 pf @ 25 v	-	1W (TA)
APT13003EZTR-G1	-	RFQ	5959	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	APT13003		1.1 w	To-92	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	APT13003EZTR-G1DI	귀 99	8541.29.0095	2,000																							465 v	1.5 a	-			NPN	400mv @ 250ma, 1a	13 @ 500ma, 2v	4MHz
ZTX601A	-	RFQ	7259	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3	ZTX601		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							160 v	1 a	10µA			npn-달링턴	1.2v @ 10ma, 1a	2000 @ 500ma, 10V	250MHz
DCP69-25-13	-	RFQ	3703	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	DCP69		1 W.	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																							20 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 100ma, 1a	160 @ 500ma, 1V	200MHz
DMC3026LSD-13	0.6600	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMC3026	MOSFET (금속 (()	1.6W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 보완 p 채널 및			30V	8.2A (TA), 8A (TA)		25mohm @ 6a, 10v, 28mohm @ 6a, 10v	3V @ 250µA	6nc @ 4.5v, 10.9nc @ 4.5v		641pf @ 15v, 1241pf @ 15v	-
B390-13	-	RFQ	4481	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	B390	Schottky		SMC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		790 MV @ 3 a		500 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	100pf @ 4V, 1MHz
DMT69M8LFV-13	0.7100	RFQ	5924	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT69	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	60 v	45A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 13.5a, 10V	3V @ 250µA	33.5 nc @ 10 v	± 16V	1925 pf @ 30 v	-	42W (TC)
MMBT4401-7-F	0.1400	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT4401		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							40 v	600 MA	100NA			NPN	750mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 1V	250MHz
DMC2038LVTQ-7-52	0.1219	RFQ	7094	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMC2038	MOSFET (금속 (()	800MW (TA)	TSOT-26	다운로드				31-DMC2038LVTQ-7-52	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및			20V	3.7A (TA), 2.6A (TA)		35mohm @ 4a, 4.5v, 74mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	17nc @ 10v, 14nc @ 10v		530pf @ 10v, 705pf @ 10v	기준
ztx790astob	-	RFQ	4316	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX790A		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							40 v	2 a	100NA (ICBO)			PNP	750MV @ 50MA, 2A	300 @ 10ma, 2v	100MHz
MMBZ5241BS-7	-	RFQ	9081	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5241BS		200 MW	SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	2 독립																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 8.4 v							11 v	22 옴
DDZ5V6BQ-7	0.2900	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	DDZ5V6		310 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		500 NA @ 2.5 v							5.6 v	11 옴
FMMT455TC	-	RFQ	4115	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT455		500MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																							140 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 10V	100MHz
S5MC-13	-	RFQ	2216	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5M	기준		SMC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													1000 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
1N4148WS-13-F	0.2100	RFQ	37	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	1N4148	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C (°)	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
MMSZ5263B-7-F	0.2400	RFQ	13	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5263		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 43 v							56 v	150 옴
FCX1053A-7	-	RFQ	3941	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	rohs 준수	1 (무제한)		31-FCX1053A-7TR	쓸모없는		3,000
B230-13	-	RFQ	8907	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	B230	Schottky		SMB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	200pf @ 4V, 1MHz
DMT6016LPS-13	0.5700	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMT6016	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	10.6A (TA)	4.5V, 10V	16MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	864 pf @ 30 v	-	1.23W (TA)
BAS16TW-7	-	RFQ	4426	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS16	기준		SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												3 독립	75 v	150ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
2A04-T	-	RFQ	3419	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2A04	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	4,000		짐													400 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
bav103-7	-	RFQ	6568	다이오드가 다이오드가	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	bav103	기준		미니 미니	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													200 v		1 v @ 100 ma	50 ns	100 na @ 200 v		125MA	-
SBL1645CT-LS	-	RFQ	4216	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SBL1645	Schottky		TO-220AB	다운로드				31-SBL1645CT-LS	쓸모없는		1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	16A	550 mV @ 8 a		150 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MBR20100CTP	-	RFQ	5334	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR20100ct	Schottky		ITO-220S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	10A	850 mv @ 10 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C
SBR05U20LP-7	-	RFQ	1255	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0402 (1006 메트릭)	SBR05	슈퍼 슈퍼		X1-DFN1006-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		500 mV @ 500 mA		50 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	500ma	-
dmg1026uvq-7	0.1196	RFQ	1329	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMG1026	MOSFET (금속 (()	650MW	SOT-563	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			60V	440MA (TA)		1.8ohm @ 500ma, 10V	1.8V @ 250µA	0.45pc @ 4.5v		32pf @ 25v	논리 논리 게이트
MBRF2045CT-JT	-	RFQ	1989	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	MBRF2045CT-JTDI	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	10A	640 mV @ 10 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²