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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BC807-25-7-F	0.3500	RFQ	50	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							45 v	500 MA	100NA			PNP	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
DMNH10H028SCT	1.4600	RFQ	95	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	DMNH10	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널	100 v	60A (TC)	10V	28mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	31.9 NC @ 10 v	± 20V	1942 pf @ 50 v	-	2.8W (TA)
B530CQ-13-F	0.6200	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	B530	Schottky		SMC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
BZT52C36TQ-7-F	0.2700	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.56%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 25.2 v							36 v	90 옴
BAS40BRW-7-F	0.4800	RFQ	29	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS40	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	40 v	200MA (DC)	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
BZT52C6V8LP-7	0.4500	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZT52		250 MW	X1-DFN1006-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v							6.8 v	15 옴
BAV20W-7	-	RFQ	6204	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	SOD-123	BAV20	기준		SOD-123	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													150 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
DMN3022LDG-7	0.3891	RFQ	6542	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn	DMN3022	MOSFET (금속 (()	1.96W (TA)	PowerDI3333-8 (유형 D)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000	2 n 채널 (채널)			30V	7.6A (TA), 15A (TC)		22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5v	2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA	3.7nc @ 4.5v, 8nc @ 4.5v		481pf @ 15v, 996pf @ 15v	-
S2A-13	-	RFQ	3396	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2A	기준		SMB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													50 v		1.15 V @ 1.5 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
BZX84B27Q-7-F	0.0382	RFQ	3926	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZX84B27Q-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 18.9 v							27 v	80 옴
DMP2005UFG-7	0.3236	RFQ	4450	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMP2005	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,000			p 채널	20 v	89A (TC)	1.8V, 4.5V	4mohm @ 15a, 4.5v	900MV @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 10V	4670 pf @ 10 v	-	2.2W (TA)
DDTA144GE-7-F	0.0605	RFQ	2522	다이오드가 다이오드가	DDTA (R2 (시리즈) e	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	DDTA144		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DDTA144GE-FDIT	귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	68 @ 5MA, 5V	250MHz		47 Kohms
DMG2302UK-7	0.3400	RFQ	287	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG2302	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	2.8A (TA)	2.5V, 4.5V	90mohm @ 3.6a, 4.5v	1V @ 250µA	2.8 NC @ 10 v	± 12V	130 pf @ 10 v	-	660MW (TA)
MMSTA64-7	0.4600	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323			200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							30 v	500 MA	100NA (ICBO)			pnp- 달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	20000 @ 100MA, 5V	125MHz
BCP5416QTA	0.1198	RFQ	8375	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP5416		2 w	SOT-223-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BCP5416QTART	귀 99	8541.29.0075	1,000																							45 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	150MHz
BAS7006TA	-	RFQ	2726	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS7006	Schottky		SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 양극 양극 공통	70 v	15MA (DC)	410 mV @ 1 ma		200 na @ 50 v
DMN60H3D5SK3-13	-	RFQ	1619	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMN60	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	-	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	600 v	2.8A (TC)	10V	3.5ohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 v	± 30V	354 pf @ 25 v	-	41W (TC)
DMN30H4D0L-13	0.1616	RFQ	7928	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN30	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	300 v	250MA (TA)	2.7V, 10V	4ohm @ 300ma, 10V	3V @ 250µA	7.6 NC @ 10 v	± 20V	187.3 pf @ 25 v	-	310MW (TA)
MMBT3906T-7-F	0.2500	RFQ	266	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	MMBT3906		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							40 v	200 MA	50NA			PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	250MHz
DMN6068LK3Q-13-52	0.3003	RFQ	7290	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMN6068	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드				31-DMN6068LK3Q-13-52	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	6A (TA)	4.5V, 10V	68mohm @ 12a, 10V	3V @ 250µA	10.3 NC @ 10 v	± 20V	502 pf @ 30 v	-	2.12W (TA)
G30H100CTFW	0.8700	RFQ	4733	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-G30H100CTFW	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	30A	790 MV @ 15 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZT52C6V2-7-G	-	RFQ	9171	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					BZT52				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BZT52C6V2-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
ZXMN2F34FHTA	0.4600	RFQ	52	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN2	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	3.4A (TA)	2.5V, 4.5V	60mohm @ 2.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA	2.8 NC @ 4.5 v	± 12V	277 pf @ 10 v	-	950MW (TA)
DDTC124XKA-7-F	-	RFQ	7480	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTC124		200 MW	SC-59-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	68 @ 5MA, 5V	250MHz	22 KOHMS	47 Kohms
MMBZ5227BW-7	0.1000	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	*	컷 컷 (CT)	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000
MMBZ5230B-7	-	RFQ	2608	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5230B		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v							4.7 v	19 옴
DDZX9V1C-7	0.0483	RFQ	4611	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDZX9		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v							9.1 v	8 옴
ZVN4210A	0.8300	RFQ	9853	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	ZVN4210	MOSFET (금속 (()		To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	4,000			n 채널	100 v	450MA (TA)	5V, 10V	1.5ohm @ 1.5a, 10V	2.4V @ 1mA		± 20V	100 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
2DD2661-13	-	RFQ	6042	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2DD2661		900 MW	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,500																							12 v	2 a	100NA (ICBO)			NPN	180mv @ 50ma, 1a	270 @ 200MA, 2V	170MHz
DMT8008LPS-13	0.3910	RFQ	1264	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMT8008	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMT8008LPS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	80 v	83A (TC)	4.5V, 10V	7.8mohm @ 14a, 10V	2.8V @ 1MA	41.2 NC @ 10 v	± 20V	2345 pf @ 40 v	-	1.3W (TA), 83W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²