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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
SBR1U200P1-7	0.4400	RFQ	148	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	PowerDI®123	SBR1U200	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														200 v		820 MV @ 1 a	25 ns	50 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
DMT2004UFG-7	0.6100	RFQ	3407	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT2004	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널		24 v	70A (TC)	2.5V, 10V	5mohm @ 12a, 10V	1.45V @ 250µA	53.7 NC @ 10 v	± 12V	1683 pf @ 15 v	-	2.3W (TA)
bav99ta	-	RFQ	7989	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	bav99	기준		SOT-23-3	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1 연결 연결 시리즈	75 v	300MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
MMBD2004S-7-F	0.4100	RFQ	1978	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD2004	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1 연결 연결 시리즈	240 v	225MA (DC)	1 v @ 100 ma	50 ns	100 na @ 240 v	-65 ° C ~ 150 ° C
DMN5L06DWK-7	-	RFQ	4363	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN5L06	MOSFET (금속 (()	250MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				50V	305MA		2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	-		50pf @ 25V	논리 논리 게이트
MMSZ5236BS-7	0.4500	RFQ	194	다이오드가 다이오드가	*	컷 컷 (CT)	활동적인								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1034-MMSZ5236BS-7DKR	귀 99	8541.10.0050	3,000
ZXMN3AMCTA	-	RFQ	2896	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드	ZXMN3	MOSFET (금속 (()	1.7W	DFN3020B-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				30V	3.7A (TA)		120mohm @ 2.5a, 10V	3V @ 250µA	2.3NC @ 4.5V		190pf @ 25V	-
DMT10H010LCT	1.6100	RFQ	45	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	DMT10	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMT10H010LCTDI	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		100 v	98A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 13a, 10V	3V @ 250µA	71 NC @ 10 v	± 20V	3000 pf @ 50 v	-	2W (TA), 139W (TC)
BAV99-13-F	0.1500	RFQ	162	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	bav99	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1 연결 연결 시리즈	75 v	300MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
APT13003DU-G1	-	RFQ	9614	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	APT13003		20 W.	TO-126	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	4,000																								450 v	1.5 a	-	NPN	400mv @ 250ma, 1a	5 @ 1a, 2v	4MHz
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DMTH10H032LPDWQ-13	0.4173	RFQ	7809	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH10	MOSFET (금속 (()	3W (TA), 37W (TC)	PowerDI5060-8 (유형 UXD)	다운로드				31-DMTH10H032LPDWQ-13	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널				100V	24A (TC)		32mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	11.9NC @ 10V		683pf @ 50v	기준
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SDT5H100P5-7	0.4400	RFQ	39	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	PowerDI ™ 5	SDT5H100	Schottky		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														100 v		620 MV @ 5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
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SBR10E45P5-7D	-	RFQ	2912	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	PowerDI ™ 5	SBR10	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SBR10E45P5-7DDI	귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														45 v		470 mV @ 10 a		280 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
ztx1053astz	0.3920	RFQ	1896	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX1053		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	2,000																								75 v	3 a	10NA	NPN	350MV @ 100MA, 3A	300 @ 1a, 2v	140MHz
DMT3006LFG-7	0.7900	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT3006	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널		30 v	16A (TA), 55.6A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 12A, 10V	3V @ 250µA	22.6 NC @ 10 v	± 20V	1320 pf @ 15 v	-	27.8W (TC)
MMDT3946-7	-	RFQ	9375	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMDT3946		200MW	SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																								40V	200ma	-	NPN, PNP	300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz, 250MHz
fmmth10tc	-	RFQ	2315	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	fmmth10		330MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000				-																				25V	25MA		NPN		60 @ 4ma, 10V	650MHz			3DB ~ 5dB @ 500MHz
DVR3V3W-7	-	RFQ	8909	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DVR3V3		200 MW	SOT-363	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																								18 v	1 a	1µA (ICBO)	NPN + ZENER + (분리)	500mv @ 30ma, 300ma	150 @ 100MA, 1V	100MHz
zvn0540astz	-	RFQ	6440	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000			n 채널		400 v	90MA (TA)	10V	50ohm @ 100ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	70 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
BCP55TA	0.4000	RFQ	42	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP55		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																								60 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	40 @ 150ma, 2v	150MHz
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DDC123JU-7	-	RFQ	9247	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC123		200MW	SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																								50V	100ma	500NA	2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2kohms	47kohms
zxmn10a08dn8ta	0.8300	RFQ	7029	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ZXMN10	MOSFET (금속 (()	1.25W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500	2 n 채널 (채널)				100V	1.6a		250mohm @ 3.2a, 10V	2V @ 250µA (Min)	7.7NC @ 10V		405pf @ 50V	논리 논리 게이트
DMN95H2D2HCTI	-	RFQ	9449	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	DMN95	MOSFET (금속 (()		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		950 v	6A (TC)	10V	2.2ohm @ 3a, 10V	5V @ 250µA	20.3 NC @ 10 v	± 30V	1487 pf @ 25 v	-	40W (TC)
ADTC124ECAQ-13	0.0257	RFQ	5891	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTC124		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																								50 v	100 MA	-	npn-사전-	-	-	250MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
ZVN0124ZSTOA	-	RFQ	9080	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널		240 v	160MA (TA)	10V	16ohm @ 250ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	85 pf @ 25 v	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²