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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SBR10U300CT Diodes Incorporated sbr10u300ct 1.6590
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR10 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 5a 920 MV @ 10 a 35 ns 200 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
SBR05U20LPS-7 Diodes Incorporated SBR05U20LPS-7 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-xdfn SBR05 슈퍼 슈퍼 DFN1006H4-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 500 mA 50 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 500ma -
PD3SD2580-7 Diodes Incorporated PD3SD2580-7 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3SD2580 기준 PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C 250ma 2.3pf @ 0V, 1MHz
DDA114TU-7 Diodes Incorporated DDA114TU-7 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDA114 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDA114TU-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
MMBD4448DW-7-F Diodes Incorporated MMBD4448DW-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBD4448 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 75 v 250ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
ZXM66P02N8TC Diodes Incorporated ZXM66P02N8TC -
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 6.4A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 3.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 43.3 NC @ 4.5 v ± 12V 2068 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA 0.6600
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTD4591 1.1W SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60V 1A 100NA NPN, PNP 600mv @ 100ma, 1a / 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500ma, 5V 150MHz
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3-13 0.5880
RFQ
 ECAD 2569 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 55A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10V 3.3V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2245 pf @ 50 v - 2W (TA)
MMBZ5232BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5232BW-7-F 0.0630
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5232 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
ZXT12N50DXTC Diodes Incorporated zxt12n50dxtc 0.6300
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXT12N50 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 50V 3A 100NA 2 NPN (() 250MV @ 50MA, 3A 300 @ 1a, 2v 132MHz
DMN4035L-7 Diodes Incorporated DMN4035L-7 0.0993
RFQ
 ECAD 9970 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN4035 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN4035L-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 3V @ 250µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 574 pf @ 20 v - 720MW
MBR20150CTP Diodes Incorporated MBR20150CTP -
RFQ
 ECAD 7177 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 MBR20150CT Schottky ITO-220S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR20150CTPDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 900 mV @ 10 a 100 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
DDTB123EC-7-F Diodes Incorporated DDTB123EC-7-F -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB123 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 39 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
APD245VGTR-E1 Diodes Incorporated APD245VGTR-E1 -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 APD245 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated DMN32D2LFB4-7 0.4100
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN32 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.8V, 4V 1.2ohm @ 100ma, 4v 1.2V @ 250µA ± 10V 39 pf @ 3 v - 350MW (TA)
BZT52C3V0-13 Diodes Incorporated BZT52C3V0-13 -
RFQ
 ECAD 3503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
ZVN4210GTA Diodes Incorporated ZVN4210GTA 0.9400
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZVN4210 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 800MA (TA) 5V, 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
ZTX1149ASTOA Diodes Incorporated ztx1149astoa -
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1149A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 3 a 100NA PNP 300mv @ 70ma, 3a 250 @ 500ma, 2V 135MHz
DMP2110UQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UQ-7 0.4400
RFQ
 ECAD 7894 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2110 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 10V 443 pf @ 10 v - 800MW (TA)
MMDT5551-7 Diodes Incorporated MMDT5551-7 -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5551 200MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160V 200ma 50NA (ICBO) 2 NPN (() 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
BC857BW-7-F Diodes Incorporated BC857BW-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
SBR40U100CTE Diodes Incorporated SBR40U100CTE 2.6400
RFQ
 ECAD 8167 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SBR40 슈퍼 슈퍼 TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 780 mV @ 20 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
DXTP07040CFG-7 Diodes Incorporated DXTP07040CFG-7 0.1911
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DXTP07040 900 MW PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 3 a 20NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 2a 300 @ 10ma, 2v 100MHz
DMN26D0UDJ-7 Diodes Incorporated DMN26D0UDJ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMN26 MOSFET (금속 (() 300MW SOT-963 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 240ma 3ohm @ 100ma, 4.5v 1.05V @ 250µA - 14.1pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated DMTH8001STLW-13 2.7342
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() PowerDI1012-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8001STLW-13TR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 270A (TC) 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 8894 pf @ 50 v - 6W (TA), 250W (TC)
DFLS120L-7 Diodes Incorporated DFLS120L-7 0.4400
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS120 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 360 MV @ 1 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 75pf @ 10V, 1MHz
S2MA-13 Diodes Incorporated S2MA-13 -
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA S2M 기준 SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1.15 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
SBL2060CTP Diodes Incorporated SBL2060CTP -
RFQ
 ECAD 4866 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 SBL2060 Schottky ITO-220S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 sbl2060ctpdi 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4004L-T Diodes Incorporated 1N4004L-T -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 IN4004L-T 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 400 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
DDTC144GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC144GKA-7-F -
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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