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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
NP82N06NLG-S18-ay	2.0700	RFQ	400	Renesas Electronics America Inc	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는		175 ° C	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			60 v	82A (TC)		7.4mohm @ 41a, 10V	2.5V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	8550 pf @ 25 v	-	1.8W (TA), 143W (TC)
hzm2.4nbtl-e	-	RFQ	8129	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,750
RD47F-T7	0.2400	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	1
rju60c3tdpp-ej#t2	-	RFQ	2470	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2			기준		TO-220FP-2L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																							600 v	2.1 v @ 30 a	90 ns	1 µa @ 600 v	150 ° C (°)	10A	-
hz11c3re-e	0.0700	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	HZ	대부분	활동적인	± 2.27%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	1																												1 µa @ 7.5 v										11 v	25 옴
RJJ0318DSP-WS#J5	-	RFQ	9866	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()		8-SOP	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널			30 v	-	-	-	-		± 20V		-	2W
2SK1590 (0) -T1B -AT	0.1500	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000
NP60N04MUK-S18-ay	-	RFQ	9937	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는		175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	NP60N04		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			40 v	60A (TC)	10V	4.3MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	3680 pf @ 25 v	-	1.8W (TA), 105W (TC)
NP88N03KDG-E1-ay	-	RFQ	5379	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		TO-263	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			30 v	88A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 44a, 10V	2.5V @ 250µA	250 nc @ 10 v	± 20V	13500 pf @ 25 v	-	1.8W (TA), 200W (TC)
hzu10b2trf-e	0.1000	RFQ	30	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	3,000
UPA1857GR-9JG-E1-A	0.3808	RFQ	5828	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	UPA1857		MOSFET (금속 (()	1.7W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)					60V	3.8a		67mohm @ 2a, 10V	2.5V @ 1mA	12NC @ 10V		580pf @ 10V	논리 논리 게이트
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2SK2729-E	5.1800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	대부분	활동적인		150 ° C	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (금속 (()		to-3p	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1			n 채널			500 v	20A (TA)		290mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 1mA	55 NC @ 10 v	± 30V	3300 pf @ 10 v	-	150W (TA)
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03p2j-az	0.3200	RFQ	9843	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	165
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2SK975-E	-	RFQ	9558	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	쓸모없는										-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	1
2SD1137-E	-	RFQ	8606	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	60
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UPA1950TE-T1-AT	-	RFQ	1397	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C	표면 표면	SC-95	UPA1950		MOSFET (금속 (()	1.15W (TA)	SC-95	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)					12V	2.5A (TA)		130mohm @ 1.5a, 4.5v	1.5V @ 1mA	1.9nc @ 4v		220pf @ 10V	로직 로직 게이트 게이트, 1.8V 드라이브
2SK1060-AZ	1.1100	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
RJH60F7BDPQ-A0#T0	-	RFQ	7844	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	RJH60F7	기준		328.9 w	TO-247A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	RJH60F7BDPQA0T0	귀 99	8541.29.0095	1					400V, 30A, 5ohm, 15V																						25 ns					도랑	600 v	90 a	1.75V @ 15V, 50A	-	63ns/142ns
NP180N055TUJ-e2-ay	-	RFQ	9048	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는										다운로드	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는			귀 99	8541.29.0095	3,000							180A (TC)
RD2.7ES-T1-AZ	0.0600	RFQ	54	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	1
HAT2164H-EL-E	-	RFQ	8283	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	HAT2164		MOSFET (금속 (()		LFPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			30 v	60A (TA)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 30a, 10V	-	50 nc @ 4.5 v	± 20V	7600 pf @ 10 v	-	30W (TC)
RJK4013DPE-00#J3	-	RFQ	7213	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-83	RJK4013		MOSFET (금속 (()		ldpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			400 v	17A (TA)	10V	300mohm @ 8.5a, 10V	-	38 NC @ 10 v	± 30V	1450 pf @ 25 v	-	100W (TC)
1SS221-T1B-A	0.1000	RFQ	82	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0070	3,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5680)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²