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SDS065J020H3 Sanan Semiconductor SDS065J020H3 6.3000
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J020H3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 20 a 0 ns 40 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 51A 1018pf @ 0V, 1MHz
SDS120J002D3 Sanan Semiconductor SDS120J002D3 1.4200
RFQ
 ECAD 4074 0.00000000 사난 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2L Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0000 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 v @ 2 a 0 ns 8 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 11a 165pf @ 0v, 1MHz
SDS120J020G3 Sanan Semiconductor SDS120J020G3 8.0400
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J020G3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 36a 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
SDS065J004D3 Sanan Semiconductor SDS065J004D3 1.6100
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 사난 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2L Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0000 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 4 a 0 ns 12 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 14a 213pf @ 0V, 1MHz
SDS120J005D3 Sanan Semiconductor SDS120J005D3 2.8000
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 사난 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2L Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0000 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 22A 400pf @ 0V, 1MHz
SDS120J010H3 Sanan Semiconductor SDS120J010H3 5.0100
RFQ
 ECAD 5247 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J010H3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 36a 780pf @ 0V, 1MHz
SDS065J016G3 Sanan Semiconductor SDS065J016G3 5.5300
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J016G3 귀 99 8541.10.0000 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 25A 1.5 v @ 8 a 24 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
SDS065J016C3 Sanan Semiconductor SDS065J016C3 5.2700
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J016C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 16 a 0 ns 48 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 44A 837pf @ 0V, 1MHz
SDS065J016H3 Sanan Semiconductor SDS065J016H3 5.9300
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J016H3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 16 a 0 ns 48 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 44A 837pf @ 0V, 1MHz
SDS065J006E3 Sanan Semiconductor SDS065J006E3 2.4600
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-2L Rohs3 준수 3 (168 시간) 5023-SDS065J006E3 귀 99 8541.10.0000 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 20 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 310pf @ 0v, 1MHz
SDS120J030H3 Sanan Semiconductor SDS120J030H3 10.8300
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J030H3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 V @ 30 a 0 ns 72 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 95A 2546pf @ 0V, 1MHz
SDS065J020G3 Sanan Semiconductor SDS065J020G3 6.3000
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J020G3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 30A 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
SDS065J012C3 Sanan Semiconductor SDS065J012C3 3.6800
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J012C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 12 a 0 ns 36 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 37a 651pf @ 0V, 1MHz
SDS065J004C3 Sanan Semiconductor SDS065J004C3 1.1000
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J004C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 4 a 0 ns 12 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 14a 213pf @ 0V, 1MHz
SDS120J005C3 Sanan Semiconductor SDS120J005C3 2.9500
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J005C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 22A 400pf @ 0V, 1MHz
SDS065J040G3 Sanan Semiconductor SDS065J040G3 10.6200
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J040G3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 51A 1.5 v @ 20 a 0 ns 40 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
SDS120J027H3 Sanan Semiconductor SDS120J027H3 10.8900
RFQ
 ECAD 5197 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J027H3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 27 a 0 ns 80 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 77a 1761pf @ 0V, 1MHz
SDS120J002C3 Sanan Semiconductor SDS120J002C3 1.7000
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J002C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 v @ 2 a 0 ns 8 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 11a 165pf @ 0v, 1MHz
SDS120J010C3 Sanan Semiconductor SDS120J010C3 5.2700
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J010C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 37a 780pf @ 0V, 1MHz
SDS120J010D3 Sanan Semiconductor SDS120J010D3 5.1200
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 사난 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2L Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0000 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 37a 780pf @ 0V, 1MHz
SDS065J010E3 Sanan Semiconductor SDS065J010E3 2.8000
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-2L Rohs3 준수 3 (168 시간) 5023-SDS065J010E3 귀 99 8541.10.0000 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A 556pf @ 0V, 1MHz
SDS065J030G3 Sanan Semiconductor SDS065J030G3 8.5100
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J030G3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 44A 1.5 v @ 15 a 0 ns 48 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
SDS065J006S3 Sanan Semiconductor SDS065J006S3 2.3000
RFQ
 ECAD 1961 0.00000000 사난 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-powervsfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 4-DFN (8x8) Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0000 3,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 18 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 23a 310pf @ 0v, 1MHz
SDS065J010N3 Sanan Semiconductor SDS065J010N3 3.0600
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J010N3 귀 99 8541.10.0000 1,000
SDS065J008C3 Sanan Semiconductor SDS065J008C3 2.6300
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J008C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 24 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 25A 395pf @ 0V, 1MHz
SDS120J010G3 Sanan Semiconductor SDS120J010G3 5.7900
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS120J010G3 귀 99 8541.10.0000 300 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 20A 1.5 v @ 5 a 0 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
SDS065J010C3 Sanan Semiconductor SDS065J010C3 2.9500
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J010C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A 556pf @ 0V, 1MHz
SDS120J010E3 Sanan Semiconductor SDS120J010E3 5.2700
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-2L Rohs3 준수 3 (168 시간) 5023-SDS120J010E3 귀 99 8541.10.0000 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 37a 780pf @ 0V, 1MHz
SDS065J008S3 Sanan Semiconductor SDS065J008S3 2.8300
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 사난 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0000 3,000
SDS065J006C3 Sanan Semiconductor SDS065J006C3 2.4200
RFQ
 ECAD 6272 0.00000000 사난 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L Rohs3 준수 적용 적용 수 할 5023-SDS065J006C3 귀 99 8541.10.0000 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 20 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 310pf @ 0v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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