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불연속 불연속 제품 (10)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
XP2344GN XSemi Corporation XP2344GN 0.4900
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Xsemi Corporation XP2344 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP2344 MOSFET (금속 (() SOT-23 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 20 v 6.4A (TA) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 35.2 NC @ 4.5 v ± 8V 2430 pf @ 10 v - 1.38W (TA)
XP3N1R0MT XSemi Corporation XP3N1R0MT 4.2000
RFQ
 ECAD 8982 0.00000000 Xsemi Corporation XP3N1R0 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn XP3N MOSFET (금속 (() PMPAK® 5 x 6 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 30 v 54.2A (TA), 245A (TC) 4.5V, 10V 1.05mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 120 nc @ 4.5 v ± 20V 12320 pf @ 15 v - 5W (TA), 104W (TC)
XP4024EM XSemi Corporation XP4024EM 0.9400
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 Xsemi Corporation XP4024E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC XP4024 MOSFET (금속 (() 도 8- Rohs3 준수 3 (168 시간) 3,000 n 채널 30 v 18.5A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 20V 2720 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
XP9561GI XSemi Corporation XP9561GI 2.9100
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Xsemi Corporation XP9561 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 XP9561 MOSFET (금속 (() to-220cfm Rohs3 준수 1 (무제한) 5048-XP9561GI 50 p 채널 40 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 2780 pf @ 25 v - 33.7W (TC)
XP3N020YT XSemi Corporation xp3n020yt 0.9100
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Xsemi Corporation XP3N020 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerdfn XP3N MOSFET (금속 (() PMPAK® 3 x 3 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 20V 880 pf @ 15 v - 3.12W (TA)
XP9452GG XSemi Corporation XP9452GG 0.7900
RFQ
 ECAD 2670 0.00000000 Xsemi Corporation XP9452 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA XP9452 MOSFET (금속 (() SOT-89 Rohs3 준수 1 (무제한) 1,000 n 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 10V 38mohm @ 4a, 10V 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 16V 570 pf @ 20 v - 1.25W (TA)
XP2N1K2EN1 XSemi Corporation xp2n1k2en1 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Xsemi Corporation XP2N1K2E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 XP2N MOSFET (금속 (() SOT-723 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.2V, 2.5V 1.2ohm @ 200ma, 2.5v 1V @ 1mA 0.7 nc @ 2.5 v ± 8V 44 pf @ 10 v - 150MW (TA)
XP60AN750IN XSemi Corporation xp60an750in 3.4200
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 Xsemi Corporation XP60AN750 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 XP60 MOSFET (금속 (() to-220cfm Rohs3 준수 1 (무제한) 5048-XP60AN750IN 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 59.2 NC @ 10 v ± 30V 2688 pf @ 100 v - 1.92W (TA), 36.7W (TC)
XP83T03GJB XSemi Corporation XP83T03GJB 1.6700
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 Xsemi Corporation XP83T03 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA XP83 MOSFET (금속 (() TO-251S Rohs3 준수 1 (무제한) 5048-XP83T03GJB 80 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6ohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 20V 1840 pf @ 25 v - 60W (TC)
XP10NA1R5TL XSemi Corporation XP10NA1R5TL 16.6000
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 Xsemi Corporation XP10NA1R5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn XP10 MOSFET (금속 (() 희생 Rohs3 준수 1 (무제한) 2,000 n 채널 100 v 300A (TC) 10V 1.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 250µA 304 NC @ 10 v ± 20V 16960 pf @ 80 v - 3.75W (TA), 333W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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