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불연속 불연속 제품 (554)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
GSFW02009 Good-Ark Semiconductor GSFW02009 0.2100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 10,000 p 채널 20 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 640mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 12V 58 pf @ 10 v - 690MW (TA)
GSFP08130 Good-Ark Semiconductor GSFP08130 1.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 130A (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 143 NC @ 10 v +20V, -12V 8265 pf @ 40 v - 142W (TC)
1N4148 Good-Ark Semiconductor 1N4148 0.1000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4148 기준 Do-204AH (DO-35 유리) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
SK26 Good-Ark Semiconductor SK26 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 150 na @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
BC847C Good-Ark Semiconductor BC847C 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
GSFP0365 Good-Ark Semiconductor GSFP0365 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (4.89x5.74) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 4,000 p 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 64.3 NC @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 15 v - 56.8W (TC)
SSFQ3812 Good-Ark Semiconductor SSFQ3812 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.1W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 30V 7.5A (TC) 20mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 8NC @ 4.5V 500pf @ 25V 기준
SSF3051G7 Good-Ark Semiconductor SSF3051G7 0.4400
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 4.4a 4.5V, 10V 48mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250µA 7.1 NC @ 5 v ± 25V 520 pf @ 15 v - 1.7W
GSF3400 Good-Ark Semiconductor GSF3400 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 5.6A (TA) 2.5V, 10V 27mohm @ 5.6a, 10V 1.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 12V 535 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
BZX584C6V2 Good-Ark Semiconductor BZX584C6V2 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 25V 665 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
GSPS1100 Good-Ark Semiconductor GSPS1100 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H Schottky SOD-123HS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 28pf @ 4V, 1MHz
SSF6007 Good-Ark Semiconductor SSF6007 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 50 v 130MA (TC) 10V 7ohm @ 130ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 5 v - 230MW (TC)
2N7002K Good-Ark Semiconductor 2N7002K 0.1400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 10V, 5V 300mohm @ 500ma, 4.5v, 600mohm @ 300ma, 4.5v 2.5V @ 250µA 0.4 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 430MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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