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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SK25A Good-Ark Semiconductor SK25A 0.3000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 150 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
BY500-1000 Good-Ark Semiconductor by500-1000 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.35 V @ 5 a 200 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a 28pf @ 4V, 1MHz
MB12S Good-Ark Semiconductor MB12S 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 TO-269AA (MBS) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 400 mA 5 µa @ 20 v 500 MA 단일 단일 20 v
GSTP0240S Good-Ark Semiconductor GSTP0240S 0.3400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323HS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 2 a 250 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
LS5B0 Good-Ark Semiconductor LS5B0 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 500 mV @ 50 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 300pf @ 4V, 1MHz
GSF2315 Good-Ark Semiconductor GSF2315 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TC) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 10V 510 pf @ 15 v - 312MW (TC)
SSF2311S Good-Ark Semiconductor SSF2311S 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TC) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 3a, 4.5v - 13 nc @ 4.5 v ± 10V 1230 pf @ 10 v - 1.56W (TC)
GSBCP68-16 Good-Ark Semiconductor GSBCP68-16 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 94 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500ma, 1V 40MHz
GSFT1060 Good-Ark Semiconductor GSFT1060 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 800 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 18mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 50 v - 113W (TC)
BZT52B43 Good-Ark Semiconductor BZT52B43 0.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 BZT52BXXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.12% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 32 v 43 v 100 옴
GSBC847PN Good-Ark Semiconductor GSBC847pn 0.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 보완 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2ma, 5v, 220 @ 2ma, 5v 100MHz
SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 25V 665 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
GSFW02009 Good-Ark Semiconductor GSFW02009 0.2100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 10,000 p 채널 20 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 640mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 12V 58 pf @ 10 v - 690MW (TA)
SK26 Good-Ark Semiconductor SK26 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 150 na @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5263B Good-Ark Semiconductor MMSZ5263B 0.1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 MMSZ52XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
GSBC817-40W Good-Ark Semiconductor GSBC817-40W 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BZT52C2V7S Good-Ark Semiconductor BZT52C2V7S 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 BZT52CXXXS 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 500MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX84C6V2 Good-Ark Semiconductor BZX84C6V2 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 BZX84CX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PZT2907A Good-Ark Semiconductor PZT2907A 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
GSPSL26 Good-Ark Semiconductor GSPSL26 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H Schottky SOD-123HS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 500 mV @ 2 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 125pf @ 0V, 1MHz
GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.5W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 보완 p 채널 및 40V 6.7A (TC), 7.2A (TC) 32mohm @ 5a, 10v, 40mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250µA 5.6nc @ 4.5v, 16nc @ 4.5v 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V 기준
SSFQ3907 Good-Ark Semiconductor SSFQ3907 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1820 pf @ 15 v - 2.1W (TC)
GSF7002AT Good-Ark Semiconductor GSF7002AT 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 150MW (TA)
FSL23S Good-Ark Semiconductor FSL23S 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 mv @ 2 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BY500-800 Good-Ark Semiconductor by500-800 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.35 V @ 5 a 200 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a 28pf @ 4V, 1MHz
GSBT0540X Good-Ark Semiconductor GSBT0540X 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 500 mA 50 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma -
SK36A Good-Ark Semiconductor SK36A 0.4300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 150 na @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 278MW (TA) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 20V 540MA (TA) 600mohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 78pf @ 10V 기준
GBJ25K Good-Ark Semiconductor GBJ25K 1.1200
RFQ
 ECAD 840 0.00000000 좋은 좋은 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ 기준 GBJ (5S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GBJ25K 귀 99 8541.10.0080 420 1 V @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 3.5 a 단일 단일 800 v
SSF2116 Good-Ark Semiconductor SSF2116 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() 1.25W (TC) SOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 3.8A (TC), 2.5A (TC) 40mohm @ 3a, 4.5v, 100mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 10NC @ 4.5V 600pf @ 15V 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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