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불연속 불연속 제품 (554)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GSFQ4701 | 0.5100 |  | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2.5W (TC) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 40V | 6.7A (TC), 7.2A (TC) | 32mohm @ 5a, 10v, 40mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250µA | 5.6nc @ 4.5v, 16nc @ 4.5v | 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V | 기준 | |||||||||||||||||||||||||||
 | bav99 | 0.1000 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 70 v | 200ma | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µa @ 70 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MB12S | 0.4200 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-269AA, 4- 베스 외 | 기준 | TO-269AA (MBS) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 400 mA | 5 µa @ 20 v | 500 MA | 단일 단일 | 20 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSFN3964 | 0.5400 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 64A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 15 v | - | 44.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | GSBC817-40W | 0.1300 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX584C6V2 | 0.2400 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 150 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SSF6911S | 0.3900 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2A (TC) | 4.5V, 10V | 190mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 615 pf @ 30 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | SSF2429 | 0.4100 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 35mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 12V | 1450 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | BZX784B5V1 | 0.2400 | | 15 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.96% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-723 | 100MW | SOD-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSBCP56-16 | 0.4300 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SSF2220Y | 0.3700 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET (금속 (() | 312W (TC) | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 20V | 800MA (TC) | 300mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 1NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | 기준 | |||||||||||||||||||||||||||
 | SSF2314 | 0.4000 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5.8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 4a, 4.5v | - | 11 NC @ 4.5 v | ± 10V | 775 pf @ 10 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | GSFP6886 | 0.8500 | | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 67W (TC) | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 65V | 45A (TC) | 13mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1890pf @ 30V | 기준 | |||||||||||||||||||||||||||
 | GSFQ6808 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 1.47W (TA), 3.6W (TC) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 30V | 5A (TA), 10A (TC) | 34mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30v | 기준 | |||||||||||||||||||||||||||
 | GSFT1060 | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 800 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 50 v | - | 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| GSF3400 | 0.3000 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.6A (TA) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 5.6a, 10V | 1.5V @ 250µA | 4.8 NC @ 4.5 v | ± 12V | 535 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | GSF2315 | 0.4000 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 90mohm @ 1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 v | ± 10V | 510 pf @ 15 v | - | 312MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | GSFN3908 | 0.4500 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 48A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| GSFQ1504 | 0.9300 | | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 4A (TA) | 10V | 50mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1620 pf @ 80 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | GSPS1100 | 0.2600 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123H | Schottky | SOD-123HS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 1 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSTP0240S | 0.3400 | | 30 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323HS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mV @ 2 a | 250 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GSFKW0202 | 0.2800 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 2.9 NC @ 10 v | ± 10V | 280 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| GSGQ6988 | 0.4500 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 65 v | 7.4A (TA) | 4.5V, 10V | 16MOHM @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | +20V, -12V | 1300 pf @ 30 v | - | 1.47W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| GSFC0202 | 0.3200 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1.45A (TA) | 1.2V, 4.5V | 300mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2 nc @ 4.5 v | ± 8V | 75 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | LS5B0 | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | Schottky | smaf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 500 mV @ 50 a | 1 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 300pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PZT2907A | 0.4000 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1 W. | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52C11 | 0.1300 | | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | BZT52CXXXS | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.45% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 500MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C12 | 0.1300 | | 7 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | BZX84CX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.42% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84B13 | 0.1300 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | BZX84BX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBT2222A | 0.1400 | | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 300MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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