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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BAS70 Good-Ark Semiconductor BAS70 0.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
GSBAT46W Good-Ark Semiconductor GSBAT46W 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 450 mV @ 10 ma 2 µa @ 75 v 125 ° C 150ma 20pf @ 0V, 1MHz
MUR2020CT Good-Ark Semiconductor MUR2020CT 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-MUR2020CT 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 1.1 v @ 10 a 35 ns 15 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
MMBD7000 Good-Ark Semiconductor MMBD7000 0.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 500ma 1.1 v @ 100 ma 4 ns 3 µa @ 100 v 150 ° C
MUR2040FCT Good-Ark Semiconductor MUR2040FCT 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 기준 ITO-220-AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-MUR2040FCT 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 20A 1.5 v @ 20 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
BC857B Good-Ark Semiconductor BC857B 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 150MHz
SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 54W (TC)
HS2G Good-Ark Semiconductor HS2G 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
SK5BA Good-Ark Semiconductor SK5BA 0.3700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 5 a 30 na @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 96pf @ 4v, 1MHz
GSBAV99T Good-Ark Semiconductor GSBAV99T 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 기준 SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 85 v 75MA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
GSPS36 Good-Ark Semiconductor GSPS36 0.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H Schottky SOD-123HS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 MV @ 3 a 50 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 160pf @ 4V, 1MHz
SSF2314 Good-Ark Semiconductor SSF2314 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TC) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 4a, 4.5v - 11 NC @ 4.5 v ± 10V 775 pf @ 10 v - 1.56W (TC)
GSFC0202 Good-Ark Semiconductor GSFC0202 0.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 1.45A (TA) 1.2V, 4.5V 300mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 2 nc @ 4.5 v ± 8V 75 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 9.9A (TA) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 10V 1480 pf @ 10 v - 2.01W (TA)
GR2G Good-Ark Semiconductor gr2g 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.35 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
GSBCP53-10 Good-Ark Semiconductor GSBCP53-10 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
B5819W Good-Ark Semiconductor B5819W 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v 150 ° C 1A 120pf @ 4V, 1MHz
GR1D Good-Ark Semiconductor gr1d 0.2000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.6pf @ 4V, 1MHz
BZX784B9V1 Good-Ark Semiconductor BZX784B9V1 0.2400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-723 100MW SOD-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
LS54 Good-Ark Semiconductor LS54 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 5 a 500 na @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 310pf @ 4V, 1MHz
GSBCX56-16 Good-Ark Semiconductor GSBCX56-16 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 130MHz
BC846B Good-Ark Semiconductor BC846B 0.1000
RFQ
 ECAD 735 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
BZT52B5V1 Good-Ark Semiconductor BZT52B5V1 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 BZT52BXXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
MMSZ5258B Good-Ark Semiconductor MMSZ5258B 0.1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 MMSZ52XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 70 옴
GSFQ2305 Good-Ark Semiconductor GSFQ2305 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 11A (TA) 1.8V, 10V 16mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 10V 3370 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
GSFP6886 Good-Ark Semiconductor GSFP6886 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 67W (TC) 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 65V 45A (TC) 13mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1890pf @ 30V 기준
GSBCX53 Good-Ark Semiconductor GSBCX53 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 50MHz
GSBAT54X Good-Ark Semiconductor GSBAT54X 0.1900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C 200ma 7.6pf @ 1v, 1MHz
GSFB0206 Good-Ark Semiconductor GSFB0206 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 n 채널 20 v 5A (TC) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 10V 460 pf @ 15 v - 1.56W (TC)
BC807-40 Good-Ark Semiconductor BC807-40 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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