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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MMSZ5232B Good-Ark Semiconductor MMSZ5232B 0.1200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 좋은 좋은 MMSZ52XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
GSFH9506 Good-Ark Semiconductor GSFH9506 2.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFH9506 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 950 v 5A (TJ) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 30V 878 pf @ 50 v - 83W (TJ)
MB10M Good-Ark Semiconductor MB10M 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.200 ", 5.08mm) 기준 MBM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-mb10m 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 400 mA 5 µa @ 1000 v 500 MA 단일 단일 1kv
SMSZ4684 Good-Ark Semiconductor SMSZ4684 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101, SMSZ4XXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.15% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1.5 v 3.3 v
1SMA4739A Good-Ark Semiconductor 1SMA4739A 0.2900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
MMDT3904 Good-Ark Semiconductor MMDT3904 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 40V 200ma 50NA 2 NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
GSGT15140 Good-Ark Semiconductor GSGT15140 2.9400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 800 n 채널 150 v 140A (TC) 10V 7.2MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 75 v - 320W (TC)
GSFP0449 Good-Ark Semiconductor GSFP0449 0.6200
RFQ
 ECAD 7862 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 20 v - 82W (TC)
HS3G Good-Ark Semiconductor HS3G 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
SL36B Good-Ark Semiconductor SL36B 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 3 a 150 na @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 220pf @ 4V, 1MHz
GSFP10140 Good-Ark Semiconductor GSFP10140 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 140A (TC) 4.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 50 v - 192W (TC)
SK54 Good-Ark Semiconductor SK54 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 96pf @ 4v, 1MHz
BZX584B9V1 Good-Ark Semiconductor BZX584B9V1 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
SSFQ3712 Good-Ark Semiconductor SSFQ3712 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.5W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 8A (TC), 5.5A (TC) 20mohm @ 8a, 10v, 50mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 6nc @ 4.5v, 7nc @ 4.5v 500pf @ 25v, 810pf @ 15v 기준
GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 275MW (TC) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 30V 800ma (TC) 450mohm @ 300ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.2NC @ 4.5V 146pf @ 15V 기준
BZX84B6V2 Good-Ark Semiconductor BZX84B6V2 0.1300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 좋은 좋은 BZX84BX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
SSF2318E Good-Ark Semiconductor SSF2318E 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 6.5A 1.8V, 4.5V 22mohm @ 6.5a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 1160 pf @ 10 v - 1.4W
1SMA4744A Good-Ark Semiconductor 1SMA4744A 0.2900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
MMBTA42 Good-Ark Semiconductor MMBTA42 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 300 v 300 MA 250NA (ICBO) NPN 200mv @ 2ma, 20ma 100 @ 10ma, 10V 50MHz
SK36B Good-Ark Semiconductor SK36B 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 150 na @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
ES1B Good-Ark Semiconductor ES1B 0.2200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
GSFP06120 Good-Ark Semiconductor GSFP06120 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 65 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 30 v - 125W (TC)
SSF3912 Good-Ark Semiconductor SSF3912 0.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 1.56W (TC)
GSFU6522 Good-Ark Semiconductor GSFU6522 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFU6522 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2100 pf @ 100 v - 45W (TC)
FH6 Good-Ark Semiconductor FH6 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
GR1K Good-Ark Semiconductor gr1k 0.2000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.6pf @ 4V, 1MHz
GSF3416 Good-Ark Semiconductor GSF3416 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 6.5a, 4.5v 1V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 12V 660 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
BSS84AKW Good-Ark Semiconductor BSS84AKW 0.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 2V @ 250µA ± 20V 41 pf @ 25 v - 270MW (TA)
MBR3045CT Good-Ark Semiconductor MBR3045CT 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-MBR3045CT 귀 99 8541.10.0080 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 45 v 30ma 200 na @ 45 v -
SL34B Good-Ark Semiconductor SL34B 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 420 MV @ 3 a 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 220pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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