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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
GSGC1545SA Good-Ark Semiconductor GSGC1545SA 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 490 mV @ 15 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 950pf @ 4V, 1MHz
GSGP0140SL1 Good-Ark Semiconductor GSGP0140SL1 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
BC856B Good-Ark Semiconductor BC856B 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 150MHz
GSBCP69-16 Good-Ark Semiconductor GSBCP69-16 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 4,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 10ma, 1.8v 40MHz
SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 8.5A (TC) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 10V 2100 pf @ 15 v - 3.3W (TC)
MB210S Good-Ark Semiconductor MB210S 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 Schottky TO-269AA (MBS) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 840 MV @ 2 a 500 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
GBU810 Good-Ark Semiconductor GBU810 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GBU810 귀 99 8541.10.0080 250 1 V @ 4 a 5 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
GSBC817-40 Good-Ark Semiconductor GSBC817-40 0.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BAS21 Good-Ark Semiconductor BAS21 0.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
LS3C0 Good-Ark Semiconductor LS3C0 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 870 mV @ 3 a 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 69pf @ 4v, 1MHz
GN1A Good-Ark Semiconductor gn1a 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 50 v 1 V @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SK2C0B Good-Ark Semiconductor SK2C0B 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mv @ 2 a 30 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
BSS84AKW Good-Ark Semiconductor BSS84AKW 0.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 2V @ 250µA ± 20V 41 pf @ 25 v - 270MW (TA)
GSBC857CW Good-Ark Semiconductor GSBC857CW 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
HS2DA Good-Ark Semiconductor HS2DA 0.3700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
GR1K Good-Ark Semiconductor gr1k 0.2000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.6pf @ 4V, 1MHz
GSF3416 Good-Ark Semiconductor GSF3416 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 6.5a, 4.5v 1V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 12V 660 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
GSFB0205 Good-Ark Semiconductor GSFB0205 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 6-ppak (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 20V 4A (TA) 49mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 9NC @ 4.5V 810pf @ 10V 기준
MBR3045CT Good-Ark Semiconductor MBR3045CT 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-MBR3045CT 귀 99 8541.10.0080 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 45 v 30ma 200 na @ 45 v -
F7A Good-Ark Semiconductor f7a 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1 V @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
1N914 Good-Ark Semiconductor 1N914 0.1200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 Do-204AH (DO-35 유리) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C 75MA 4pf @ 0V, 1MHz
BAS40 Good-Ark Semiconductor BAS40 0.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
SGC101BSA Good-Ark Semiconductor SGC101BSA 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 650 mV @ 10 a 500 NA @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 1350pf @ 4V, 1MHz
GSTP0130S Good-Ark Semiconductor GSTP0130S 0.2700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323HS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 20 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 54pf @ 4V, 1MHz
BZT52C7V5S Good-Ark Semiconductor BZT52C7V5 0.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 BZT52CXXXS 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 500MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
GS1N5711W Good-Ark Semiconductor GS1N5711W 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 1 ns 200 na @ 50 v 125 ° C 15MA 2pf @ 0V, 1MHz
SK23A Good-Ark Semiconductor SK23A 0.3000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
MMBT619 Good-Ark Semiconductor MMBT619 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 220MV @ 100MA, 2A 300 @ 200ma, 2v 100MHz
GSFP0380 Good-Ark Semiconductor GSFP0380 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 25 v - 74W (TC)
ES2D Good-Ark Semiconductor ES2D 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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