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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 |
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![]() | PJT7808_R2_00001 | - | ![]() | 8701 | 0.00000000 | Emo Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7808 | MOSFET (금속 (() | 350MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJT7808_R2_00001TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 500MA (TA) | 400mohm @ 500ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V | - |
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