SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- v (V (BR) GSS) 저항 -rds (on) 전류 전류 (ID) - 최대
UJ3C065030T3S Qorvo UJ3C065030T3S 18.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 UJ3C065030 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3C065030T3S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 85A (TC) 12V 35mohm @ 50a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 441W (TC)
UJ3N065080K3S Qorvo UJ3N065080K3S 8.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ3N065080 190 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3N065080K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 630pf @ 100v 650 v 95 Mohms 32 a
UF3C065030K3S Qorvo UF3C065030K3S 19.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UF3C065030 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C065030K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 85A (TC) 12V 35mohm @ 50a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 441W (TC)
UF3C065080B7S Qorvo UF3C065080B7S 9.0200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Qorvo - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA UF3C065080 Sicfet (Cascode Sicjfet) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 27A (TC) 105mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 23 nc @ 12 v ± 25V 760 pf @ 100 v - 136.4W (TC)
UF3C170400K3S Qorvo UF3C170400K3S 9.0500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UF3C170400 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C170400K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 7.6A (TC) 12V 515mohm @ 5a, 12v 6V @ 10MA 27.5 nc @ 15 v ± 25V 740 pf @ 100 v - 100W (TC)
UJ3C120070K3S Qorvo UJ3C120070K3S 15.1000
RFQ
ECAD 852 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ3C120070 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3C120070K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 34.5A (TC) 12V 90mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 46 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 254.2W (TC)
UJ4C075060K3S Qorvo UJ4C075060K3S 9.6300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ4C075 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ4C075060K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 750 v 28A (TC) 74mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1422 pf @ 100 v - 155W (TC)
UJ3D06520TS Qorvo UJ3D06520TS 5.6200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Qorvo gen-III 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UJ3D06520 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D06520TS 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 120 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 654pf @ 1v, 1MHz
UJ3D1210KS Qorvo UJ3D1210KS 6.8000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ3D1210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D1210KS 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 110 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 510pf @ 1v, 1MHz
UJ3D1210KSD Qorvo UJ3D1210KSD 6.6900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ3D1210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D1210KSD 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.6 V @ 5 a 0 ns 110 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 500pf @ 1v, 1MHz
UJ3C120150K3S Qorvo UJ3C120150K3S 10.0700
RFQ
ECAD 856 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ3C120150 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3C120150K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 18.4A (TC) 12V 180mohm @ 5a, 12v 5.5V @ 10MA 30 nc @ 15 v ± 25V 738 pf @ 100 v - 166.7W (TC)
UJ3D06530TS Qorvo UJ3D06530TS 7.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Qorvo gen-III 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UJ3D06530 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D06530TS 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 30 a 0 ns 370 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A 990pf @ 1v, 1MHz
UF3C120040K3S Qorvo UF3C120040K3S 27.9700
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UF3C120040 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C120040K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 65A (TC) 12V 45mohm @ 40a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 429W (TC)
UJ3N120070K3S Qorvo UJ3N120070K3S 15.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ3N120070 254 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3N120070K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 985pf @ 100v 1200 v 90 Mohms 33.5 a
UJ3D1250K2 Qorvo UJ3D1250K2 22.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 UJ3D1250 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D1250K2 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 50 a 0 ns 400 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 50a 2340pf @ 1v, 1MHz
UJ3D1725K2 Qorvo UJ3D1725K2 16.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Qorvo 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 UJ3D1725 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D1725K2 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.7 V @ 25 a 0 ns 360 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 25A 1500pf @ 1v, 1MHz
UJ4C075018K4S Qorvo UJ4C075018K4 18.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 UJ4C075 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ4C075018K4S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 750 v 81A (TC) 23mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1422 pf @ 100 v - 385W (TC)
UJ4C075044K3S Qorvo UJ4C075044K3S 11.7200
RFQ
ECAD 810 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ4C075 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2312-UJ4C075044K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 750 v 37.4A (TC) 12V 56mohm @ 25a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1400 pf @ 400 v - 203W (TC)
UF4C120053K4S Qorvo UF4C120053K4S 16.1400
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2312-UF4C120053K4S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 34A (TC) 12V 67mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1370 pf @ 800 v - 263W (TC)
UF4C120053K3S Qorvo UF4C120053K3S 15.5500
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2312-UF4C120053K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 34A (TC) 12V 67mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1370 pf @ 800 v - 263W (TC)
UF3C065080K3S Qorvo UF3C065080K3S 8.1900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UF3C065080 TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C065080K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 31A (TC) 12V 100mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 190W (TC)
UF3C065040K3S Qorvo UF3C065040K3S 13.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UF3C065040 TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C065040K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 54A (TC) 12V 52mohm @ 40a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 326W (TC)
UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S 13.1900
RFQ
ECAD 629 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 UF3C065040 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C065040T3S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 54A (TC) 12V 52mohm @ 40a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 326W (TC)
UJ3D06520KSD Qorvo UJ3D06520KSD 6.3100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Qorvo gen-III 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 UJ3D06520 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D06520KSD 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 120 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 654pf @ 1v, 1MHz
UF3C120400K3S Qorvo UF3C120400K3S 7.4200
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 UF3C120400 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C120400K3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 7.6A (TC) 12V 515mohm @ 5a, 12v 6V @ 10MA 27 NC @ 15 v ± 25V 740 pf @ 100 v - 100W (TC)
UF3SC065040D8S Qorvo UF3SC065040D8S -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 Qorvo - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn UF3SC065040 Sicfet (Cascode Sicjfet) 4-DFN (8x8) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 18A (TC) 12V 58mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 43 NC @ 12 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 125W (TC)
UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S 7.6200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 UF3C065080 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C065080T3S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 31A (TC) 12V 100mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 190W (TC)
UJ4C075044B7S Qorvo UJ4C075044B7 11.2700
RFQ
ECAD 896 0.00000000 Qorvo - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA UJ4C075 Sicfet (Cascode Sicjfet) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 750 v 35.6a (TC) 12V 56mohm @ 25a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1400 pf @ 400 v - 181W (TC)
UJ3D06504TS Qorvo uj3d06504ts 2.1300
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Qorvo gen-III 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UJ3D06504 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UJ3D06504TS 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 4 a 0 ns 25 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 118pf @ 1v, 1MHz
UF4C120070K4S Qorvo UF4C120070K4 13.8900
RFQ
ECAD 432 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2312-UF4C120070K4S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 27.5A (TC) 91mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1370 pf @ 800 v - 217W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고