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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
RM40N40LD Rectron USA RM40N40LD 0.1450
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N40LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1314 pf @ 15 v - 34.7W (TC)
RM12N650TI Rectron USA RM12N650TI 0.6700
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 870 pf @ 50 v - 32.6W (TC)
RBU1503M Rectron USA RBU1503M 0.7900
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBU 기준 RBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RBU1503M 귀 99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 7.5 a 500 na @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
RMP3N90LD Rectron USA RMP3N90LD 0.3300
RFQ
 ECAD 3260 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RMP3N90LD 8541.10.0080 4,000 n 채널 900 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 850 pf @ 25 v - 50W (TC)
RM35P30LD Rectron USA RM35P30LD 0.1450
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM35P30LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1345 pf @ 15 v - 34.7W (TC)
BR104 Rectron USA BR104 0.9800
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 Rectron USA - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-8 기준 BR-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-BR104 귀 99 8541.10.0080 1,600 1.1 v @ 5 a 5 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
MP3510W Rectron USA mp3510W 2.2000
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Rectron USA - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, MP-25W 기준 MP-25W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MP3510W 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 17.5 a 500 NA @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
HVM5 Rectron USA HVM5 1.3100
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 Rectron USA - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 HVM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-HVM5 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 5000 v 8 v @ 350 ma 5 µa @ 5000 v -20 ° C ~ 150 ° C 350ma -
RM170N30DF Rectron USA RM170N30DF 0.6900
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM170N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 30 v 170A (TC) 4.5V, 10V 1.65mohm @ 85a, 10V 2V @ 250µA ± 20V 7300 pf @ 15 v - 75W (TC)
RM30P30D3 Rectron USA RM30P30D3 0.2200
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm30p30d3tr 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 30A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA ± 20V 2150 pf @ 25 v - 40W (TA)
RS803 Rectron USA RS803 0.9100
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-8 기준 RS-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RS803 귀 99 8541.10.0080 1,600 1.2 v @ 8 a 5 µa @ 200 v 8 a 단일 단일 200 v
MB4S-W Rectron USA MB4S-W 0.0370
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MD-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-MB4S-WTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.05 V @ 500 mA 5 µa @ 400 v 500 MA 단일 단일 400 v
RM80N30LD Rectron USA RM80N30LD 0.1900
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N30LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 80A (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 2330 pf @ 15 v - 83W (TC)
RM15P30S8 Rectron USA RM15P30S8 0.2400
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM15P30S8tr 8541.10.0080 40,000 p 채널 30 v 15A (TA) 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 2900 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
RM7N600IP Rectron USA RM7N600IP 0.5500
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM7N600IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 580mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 587 pf @ 50 v - 63W (TC)
RM5N700IP Rectron USA RM5N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N700IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 460 pf @ 50 v - 49W (TC)
RM8N700LD Rectron USA RM8N700LD 0.4700
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N700LD 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 590 pf @ 50 v - 69W (TC)
RM17N800T2 Rectron USA RM17N800T2 1.5300
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM17N800T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 17A (TA) 10V 320mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2060 pf @ 50 v - 260W (TC)
RM1216 Rectron USA RM1216 0.1200
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM1216TR 8541.10.0080 25,000 p 채널 12 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 18mohm @ 6.7a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 2700 pf @ 10 v - 18W (TC)
RM5N150S8 Rectron USA RM5N150S8 0.4000
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N150S8 8541.10.0080 300 n 채널 150 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 625 pf @ 75 v - 3.1W (TA)
RM40N200TI Rectron USA RM40N200TI 0.7600
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N200TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 200 v 40A (TA) 10V 41mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 6500 pf @ 25 v - 60W (TA)
RM3400 Rectron USA RM3400 0.4100
RFQ
 ECAD 7462 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3400tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 2.5V, 10V 41mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA ± 12V 820 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
RM130N200T7 Rectron USA RM130N200T7 4.3000
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM130N200T7 8541.10.0080 1,800 n 채널 200 v 132A (TC) 10V 10.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4970 pf @ 100 v - 429W (TC)
RM2312 Rectron USA RM2312 0.0440
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2312TR 8541.10.0080 30,000 n 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 4.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 12V 500 pf @ 8 v - 1.25W (TA)
RM130N100HD Rectron USA RM130N100HD 0.7000
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM130N100HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4570 pf @ 25 v - 120W (TC)
RM120N60T2 Rectron USA RM120N60T2 0.5500
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM120N60T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 60a, 10V 2.4V @ 250µA ± 20V 4000 pf @ 30 v - 180W (TC)
RM21N650T2 Rectron USA RM21N650T2 1.2500
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM21N650T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 v - 188W (TC)
RM4N700IP Rectron USA RM4N700IP 0.3500
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N700IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 46W (TC)
RM6N100S4 Rectron USA RM6N100S4 0.1400
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N100S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 100 v 6A (TA) 10V 140mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 690 pf @ 25 v - 3W (TA)
RM16P60LD Rectron USA RM16P60LD 0.2600
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM16P60LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10V 25µa @ 2.2v ± 20V 1810 pf @ 30 v - 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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