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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | MBRS260T3H | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | MBRS260 | Schottky | SMB | - | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 630 mv @ 2 a | 200 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMBZ5242BLT1 | 0.0700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,438 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjv4114rmtf | - | ![]() | 9595 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | fjv411 | 200 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | smun2130t1 | 0.0200 | ![]() | 87 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556CBU | - | ![]() | 8740 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC556 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3622S | - | ![]() | 3054 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS3622 | MOSFET (금속 (() | 1W | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 25V | 17.5A, 34A | 5mohm @ 17.5a, 10V | 2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1570pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SBRD8835LT4G-VF01 | 1.0500 | ![]() | 1667 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SBRD8835 | Schottky | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 510 mV @ 8 a | 1.4 ma @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBU6A | 1.7000 | ![]() | 382 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU6 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 50 v | 6 a | 단일 단일 | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP9N08L | - | ![]() | 2703 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP9 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 9.3A (TC) | 5V, 10V | 210mohm @ 4.65a, 10V | 5V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 20V | 280 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2756OMTF | - | ![]() | 5760 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KSC2756 | 150MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15db ~ 23db | 20V | 30ma | NPN | 90 @ 5MA, 10V | 850MHz | 6.5dB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5366B | - | ![]() | 8567 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5366 | 5 w | 축 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1N5366BOS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 29.7 v | 39 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS86140 | 2.9500 | ![]() | 260 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS86 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 11.2A (TA) | 6V, 10V | 9.8mohm @ 11.2a, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 2580 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTZD3152PT1H | - | ![]() | 7690 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NTZD3152 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 430ma | 900mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 175pf @ 16v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR810 | - | ![]() | 8420 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MUR81 | 기준 | TO-220-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 975 MV @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ngtd8r65f2wp | 1.0272 | ![]() | 9080 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 주사위 | ngtd8 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 650 v | 2.8 V @ 30 a | 1 µa @ 650 v | 175 ° C (°) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL8113PBF | - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | 온세미 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | n 채널 | 30 v | 105A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 21A, 10V | 2.25V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2840 pf @ 15 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906TT1 | 0.0200 | ![]() | 111 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | MMBT3906 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRAM136-1060BS | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | IRAM136 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | IRAM136-1060BSOS | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMD4840NR2G | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NTMD4840 | MOSFET (금속 (() | 680MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.5A | 24mohm @ 6.9a, 10V | 3V @ 250µA | 9.5NC @ 10V | 520pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBA143TDXV6T1G | 0.0698 | ![]() | 2166 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NSBA143 | 500MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 250mv @ 1ma, 10ma | 160 @ 5MA, 10V | - | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTH4L160N120SC1 | 10.3700 | ![]() | 147 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | NTH4L160 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 17.3A (TC) | 20V | 224mohm @ 12a, 20V | 4.3v @ 2.5ma | 34 NC @ 20 v | +25V, -15V | 665 pf @ 800 v | - | 111W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMM5Z4709T1G | 0.0574 | ![]() | 9156 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | SZMM5 | 500MW | SOD-523 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-szmm5z4709t1gtr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 na @ 18.2 v | 24 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1403ALT1G | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MMBD1403 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | NTSV20120CTG | 1.1700 | ![]() | 564 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NTSV20120 | Schottky | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | NTSV20120CTGOS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 120 v | 10A | 1.12 V @ 10 a | 700 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF256C_J35Z | - | ![]() | 8871 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BF256 | - | JFET | To-92-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 18MA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907AM3T5G | 0.2800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | MMBT2907 | 265 MW | SOT-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fga5065adf | 4.8100 | ![]() | 368 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | fga5065 | 기준 | 268 w | 3pn | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 6ohm, 15V | 31.8 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 100 a | 150 a | 2.2V @ 15V, 50A | 1.35mj (on), 309µJ (OFF) | 72.2 NC | 20.8ns/62.4ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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