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불연속 불연속 제품 (26937)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
BC63916-D74Z	0.5000	RFQ	9	온세미	-	컷 컷 (CT)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC63916		1 W.	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																						80 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	100MHz
HUFA75852G3	-	RFQ	3012	온세미	Ultrafet ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	hufa75	MOSFET (금속 (()		TO-247-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	150		n 채널	150 v	75A (TC)	10V	16mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	480 nc @ 20 v	± 20V	7690 pf @ 25 v	-	500W (TC)
sbas16ht1g	0.3500	RFQ	85	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SBAS16	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													100 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz
MAC223-008	-	RFQ	7218	온세미	*	대부분	활동적인									-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다				1
MBR4045WTG	-	RFQ	9185	온세미	스위치 스위치 ™	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR4045	Schottky		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	30	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	20A	700 mV @ 20 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 175 ° C
MJE13007G	1.3500	RFQ	4159	온세미	스위치 스위치 ™	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	MJE13007		80 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																						400 v	8 a	100µA			NPN	3v @ 2a, 8a	5 @ 5a, 5V	14MHz
FJP5554TU	-	RFQ	7763	온세미	-	튜브	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	FJP555		70 W.	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000																						400 v	4 a	250µA			NPN	1.5V @ 1A, 3.5A	20 @ 800ma, 3v	-
2SC5964-TD-H	0.5900	RFQ	4	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2SC5964		3.5 w	PCP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																						50 v	3 a	1µA (ICBO)			NPN	290mv @ 100ma, 2a	200 @ 100ma, 2v	380MHz
fqpf9n50cf	-	RFQ	8248	온세미	FRFET®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	FQPF9	MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	9A (TC)	10V	850mohm @ 4.5a, 10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 30V	1030 pf @ 25 v	-	44W (TC)
NRVHP140SFT3G	0.5000	RFQ	8227	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	NRVHP140	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 1a (io)													400 v		1.4 V @ 2 a	40 ns	500 NA @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SB1100	-	RFQ	3158	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SB11	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
2SK4087LS-MG5	2.7900	RFQ	200	온세미	*	대부분	활동적인									다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1
FFAF05U120DNTU	-	RFQ	1748	온세미	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-3P-3 p 팩	FFAF05	기준		to-3pf	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	30	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	1200 v	5a	3.5 v @ 5 a	100 ns	5 µa @ 1200 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BC639_D75Z	-	RFQ	2966	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC639		1 W.	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																						80 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	40 @ 150ma, 2v	100MHz
MBRP30060CTG	-	RFQ	8083	온세미	스위치 스위치 ™	쟁반	쓸모없는			섀시 섀시	PowerTap II	MBRP3006	Schottky		PowerTap II	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MBRP30060CTGOS	귀 99	8541.10.0080	25	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	150a	790 mV @ 150 a		800 µa @ 60 v
FDB6690S	-	RFQ	6678	온세미	Powertrench®, SyncFet ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	FDB669	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	30 v	42A (TA)	4.5V, 10V	15.5mohm @ 21a, 10V	3V @ 1mA	15 nc @ 5 v	± 20V	1238 pf @ 15 v	-	48W (TC)
FDD8876	1.5400	RFQ	2	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	FDD887	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	15A (TA), 73A (TC)	4.5V, 10V	8.2MOHM @ 35A, 10V	2.5V @ 250µA	47 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 15 v	-	70W (TC)
SUR81520G	-	RFQ	6821	온세미	*	대부분	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1
TIP2955G	2.3100	RFQ	215	온세미	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	TIP2955		90 W.	TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30																						60 v	15 a	700µA			PNP	3v @ 3.3a, 10a	20 @ 4a, 4v	2.5MHz
2SK1445LS-V-1EX	-	RFQ	9077	온세미	-	대부분	쓸모없는					2SK1445				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
FDD9411-F085	-	RFQ	2663	온세미	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	FDD9411	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	15A (TC)	10V	7.8mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	1080 pf @ 25 v	-	48.4W (TJ)
MMBT5551LT1G	0.2200	RFQ	904	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT5551		225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																						160 v	600 MA	100NA			NPN	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	-
1N5222B	0.1600	RFQ	46	온세미	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5222		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v							2.5 v	30 옴
ATP216-TL-H	-	RFQ	9454	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	atpak (2 2+탭)	ATP216	MOSFET (금속 (()		atpak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	50 v	35A (TA)	1.8V, 4.5V	23mohm @ 18a, 4.5v	-	30 nc @ 4.5 v	± 10V	2700 pf @ 20 v	-	40W (TC)
BD179G	-	RFQ	3254	온세미	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	BD179		30 w	TO-126	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500																						80 v	3 a	100µA (ICBO)			NPN	800mv @ 100ma, 1a	63 @ 150ma, 2V	3MHz
2SC4211-7-TL-E	0.1135	RFQ	6548	온세미	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-	표면 표면	SC-70, SOT-323	2SC4211			MCP	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																								-			-	-	-	-
1N4682	3.4900	RFQ	6	온세미	*	대부분	활동적인									다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-1N4682-488			86
CPH3205-M-TL-E	-	RFQ	3315	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CPH3205		900 MW	3-cph	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						50 v	3 a	1µA (ICBO)			NPN	210MV @ 100MA, 2A	200 @ 100ma, 2v	380MHz
1N4748A	0.2800	RFQ	8	온세미	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4748		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		5 µa @ 16.7 v							22 v	23 옴
2SD1816S-E	-	RFQ	2083	온세미	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	2SD1816		1 W.	TP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500																						100 v	4 a	1µA (ICBO)			NPN	400mv @ 200ma, 2a	70 @ 500ma, 5V	180MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (26937)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²