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디스크리트 반도체(26937)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
FCHJ85N80-F155 onsemi FCHJ85N80-F155 -
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 ECAD 8269 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 FCHJ85N80 - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-FCHJ85N80-F155 1
SSR1N60BTM-WS onsemi SSR1N60BTM-WS -
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 ECAD 1868년 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 SSR1N60 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 900mA(Tc) 10V 12옴 @ 450mA, 10V 4V @ 250μA 7.7nC @ 10V ±30V 215pF @ 25V - 2.5W(Ta), 28W(Tc)
SS16T3G onsemi SS16T3G 0.3700
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 ECAD 6308 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA SS16 쇼트키 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 720mV @ 1A 60V에서 200μA -55°C ~ 150°C 1A -
NTB6412ANT4G onsemi NTB6412ANT4G -
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 ECAD 8424 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB NTB64 MOSFET(금속) D²PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 58A(티씨) 10V 18.2m옴 @ 58A, 10V 4V @ 250μA 100nC @ 10V ±20V 3500pF @ 25V - 167W(Tc)
MMBTA42_D87Z onsemi MMBTA42_D87Z -
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 ECAD 4138 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 240mW SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 300V 500mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 2mA, 20mA 40 @ 30mA, 10V 50MHz
FDMS1D2N03DSD onsemi FDMS1D2N03DSD -
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 ECAD 5011 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN FDMS1 MOSFET(금속) 2.1W(Ta), 26W(Tc), 2.3W(Ta), 42W(Tc) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 배열 30V 19A(Ta), 70A(Tc), 37A(Ta), 164A(Tc) 3.25m옴 @ 19A, 10V, 0.97m옴 @ 37A, 10V 320μA에서 2.5V, 1mA에서 3V 33nC @ 10V, 117nC @ 10V 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V -
HUFA75545P3 onsemi HUFA75545P3 -
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 ECAD 6408 0.00000000 온세미 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 HUFA75 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 80V 75A(Tc) 10V 10m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 235nC @ 20V ±20V 3750pF @ 25V - 270W(Tc)
FDMS0308CS onsemi FDMS0308CS -
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 ECAD 4710 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDMS03 MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 22A(타) 3m옴 @ 21A, 10V 3V @ 1mA 66nC @ 10V 15V에서 4225pF - 2.5W(Ta), 65W(Tc)
NXH350N100H4Q2F2P1G-R onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G-R 296.9600
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 ECAD 6362 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 방역 기준기준 NXH350 592W 기준 42-PIM/Q2PACK(93x47) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NXH350N100H4Q2F2P1G-R EAR99 8541.29.0095 12 3레벨 인버터 트렌치 필드스톱 1000V 303A 2.3V @ 15V, 375A 1mA 예 24.146nF @ 20V
BC327RL1G onsemi BC327RL1G -
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 ECAD 3215 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) 327년 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 800mA 100nA PNP 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 260MHz
MR851RL onsemi MR851RL -
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 ECAD 2393 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-201AA, DO-27, 축방향 MR85 기준 축방향 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,200 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 3A 300ns 100V에서 10μA -65°C ~ 125°C 3A -
2SC2911S onsemi 2SC2911S 0.1800
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 ECAD 12 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1
NSV20200DMTWTBG onsemi NSV20200DMTWTBG 0.2828
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 ECAD 2174 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 NSV20200 6-WDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 390mV @ 200mA, 2A 250 @ 100mA, 2V 155MHz
NSVMUN5331DW1T1G onsemi NSVMUN5331DW1T1G 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5331 250mW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250mV @ 5mA, 10mA 8 @ 5mA, 10V - 2.2k옴 2.2k옴
MM5Z13VT1G onsemi MM5Z13VT1G -
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 ECAD 9173 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±6.4% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 MM5Z1 500mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MM5Z13VT1GOS EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 13V 30옴
SZNZ3F10VT1G onsemi SZNZ3F10VT1G -
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 ECAD 5392 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F SZNZ3 800mW SOD-323FL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.3V @ 10mA 100nA @ 8V 10V 40옴
MR851RLG onsemi MR851RLG -
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 ECAD 6353 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 스루홀 DO-201AA, DO-27, 축방향 MR851 기준 축방향 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,200 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 3A 300ns 100V에서 10μA -65°C ~ 125°C 3A -
1SMB5945BT3G onsemi 1SMB5945BT3G 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 DO-214AA, SMB 1SMB5945 3W 건축 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 1.5V @ 200mA 51.7V에서 1μA 68V 120옴
MSA1162GT1 onsemi MSA1162GT1 0.0200
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 ECAD 282 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MSA11 200mW SC-59 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MSA1162GT1OS EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA PNP 500mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
KSC4010OTU onsemi KSC4010OTU -
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 ECAD 6696 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 KSC4010 60W TO-3PN 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 450 120V 6A 10μA(ICBO) NPN 2.5V @ 500mA, 5A 80 @ 1A, 5V 30MHz
MMBT3906LT1G onsemi MMBT3906LT1G 0.1400
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 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 300mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA - PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
MCR100-6G onsemi MCR100-6G -
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 ECAD 6730 0.00000000 온세미 - 상자 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 110°C 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 MCR10 TO-92 (TO-226) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 5,000 5mA 400V 800mA 800mV 10A @ 60Hz 200μA 1.7V 10μA 프로세서 카드
BCW32LT1G onsemi BCW32LT1G 0.2200
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 ECAD 10 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW32 225mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 32V 100mA 100nA(ICBO) NPN 500μA, 10mA에서 250mV 200 @ 2mA, 5V -
2N7000RLRAG onsemi 2N7000RLRAG -
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 ECAD 7447 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) 2N7000 MOSFET(금속) TO-92 (TO-226) - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 60V 200mA(타) 4.5V, 10V 5옴 @ 500mA, 10V 3V @ 1mA ±20V 25V에서 60pF - 350mW(Tc)
FSBB30CH60 onsemi FSBB30CH60 -
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 ECAD 1436 0.00000000 온세미 모션 SPM® 3 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) IGBT FSBB30 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 60 3상 30A 600V 2500Vrms
FGP20N6S2 onsemi FGP20N6S2 -
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 ECAD 8370 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FGP2 기준 125W TO-220-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 390V, 7A, 25옴, 15V - 600V 28A 40A 2.7V @ 15V, 7A 25μJ(켜짐), 58μJ(꺼짐) 30nC 7.7ns/87ns
MMSZ4678T1G onsemi MMSZ4678T1G 0.2300
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 ECAD 8660 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123 MMSZ4678 500mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 7.5μA @ 1V 1.8V
FQT1N80TF-WS onsemi FQT1N80TF-WS 0.9700
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 ECAD 4846 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-3 FQT1N80 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 800V 200mA(Tc) 10V 20옴 @ 100mA, 10V 5V @ 250μA 7.2nC @ 10V ±30V 25V에서 195pF - 2.1W(Tc)
FDD6680 onsemi FDD6680 -
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 ECAD 7368 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FDD668 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12A(Ta), 46A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 12A, 10V 3V @ 250μA 18nC @ 5V ±20V 1230pF @ 15V - 3.3W(Ta), 56W(Tc)
KSA733GBU onsemi KSA733GBU -
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 ECAD 4037 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200@1mA, 6V 180MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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