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디스크리트 반도체(26937)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
EMH2417R-TL-H onsemi EMH2417R-TL-H -
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 ECAD 9903 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 EMH2417 MOSFET(금속) 1.3W SOT-383FL, EMH8 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 시작 12V 11A 10m옴 @ 5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 16nC @ 4.5V - 레벨 레벨 컨트롤러, 2.5V 드라이브
KSC2331OBU onsemi KSC2331OBU -
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 ECAD 5508 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 KSC2331 1W TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 6,000 60V 700mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 70 @ 50mA, 2V 50MHz
FJV4113RMTF onsemi FJV4113RMTF -
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 ECAD 1517 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV411 200mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
FJN13003BU onsemi FJN13003BU -
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 ECAD 3869 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN130 1.1W TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 400V 1.5A - NPN 3V @ 500mA, 1.5A 9 @ 500mA, 2V 4MHz
MCR100-6RLG onsemi MCR100-6RLG -
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 ECAD 6828 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 110°C 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) MCR10 TO-92 (TO-226) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2,000 5mA 400V 800mA 800mV 10A @ 60Hz 200μA 1.7V 10μA 프로세서 카드보드
2SA1826S-AY onsemi 2SA1826S-AY 0.2700
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 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1
FQU2N100TU onsemi FQU2N100TU 1.5000
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 ECAD 1179 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA FQU2N100 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 70 N채널 1000V 1.6A(Tc) 10V 9옴 @ 800mA, 10V 5V @ 250μA 15.5nC @ 10V ±30V 25V에서 520pF - 2.5W(Ta), 50W(Tc)
MBR360RLG onsemi MBR360RLG 0.5500
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 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 스루홀 DO-201AA, DO-27, 축방향 MBR360 쇼트키 축방향 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 740mV @ 3A 600μA @ 60V -65°C ~ 150°C 3A -
2SK4066-E onsemi 2SK4066-E -
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 ECAD 3186 0.00000000 온세미 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3, 단기 탭 2SK4066 MOSFET(금속) SMP - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 100 N채널 60V 100A(타) 4V, 10V 4.7m옴 @ 50A, 10V - 220nC @ 10V ±20V 20V에서 12500pF - 1.65W(Ta), 90W(Tc)
NTMYS2D4N04CTWG onsemi NTMYS2D4N04CTWG 3.7100
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 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SOT-1023, 4-LFPAK NTMYS2 MOSFET(금속) LFPAK4(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 30A(Ta), 138A(Tc) 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 90μA에서 3.5V 32nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V - 3.9W(Ta), 83W(Tc)
1N4743A-T50A onsemi 1N4743A-T50A 0.4000
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 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 컷테이프(CT) 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N4743 1W DO-41 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 9.9V에서 5μA 13V 10옴
1N5374BRL onsemi 1N5374BRL -
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 ECAD 4388 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 T-18, 축 1N5374 5W 축방향 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 4,000 1.2V @ 1A 500nA @ 56V 75V 45옴
FSV15120V onsemi FSV15120V 1.5100
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 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN FSV15120 쇼트키 TO-277-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 120V 790mV @ 15A 120V에서 35μA -55°C ~ 150°C 15A -
FJX4010RTF onsemi FJX4010RTF -
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 ECAD 1721 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 FJX401 200mW SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 200MHz 10kΩ
SGH40N60UFDM1TU onsemi SGH40N60UFDM1TU -
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 ECAD 5501 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 SGH40 기준 160W TO-3P 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 300V, 20A, 10옴, 15V 60ns - 600V 40A 160A 2.6V @ 15V, 20A 160μJ(켜짐), 200μJ(꺼짐) 97nC 15ns/65ns
IRFU220_R4941 onsemi IRFU220_R4941 -
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 ECAD 9888 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IRFU2 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 200V 4.6A(Tc) 10V 800m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 330pF @ 25V - 50W(Tc)
FCH041N65EFLN4 onsemi FCH041N65EFLN4 -
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 ECAD 3352 0.00000000 온세미 FRFET®, SuperFET® II 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 FCH041 MOSFET(금속) TO-247-4 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 N채널 650V 76A(티씨) 10V 41m옴 @ 38A, 10V 5V @ 7.6mA 298nC @ 10V ±20V 12560pF @ 100V - 595W(Tc)
KSA642YBU onsemi KSA642YBU -
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 ECAD 9090 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA642 400mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 25V 300mA 100nA(ICBO) PNP 600mV @ 30mA, 300mA 120 @ 50mA, 1V -
NTMFS4847NT3G onsemi NTMFS4847NT3G -
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 ECAD 5879 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NTMFS4 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 11.5A(Ta), 85A(Tc) 4.5V, 11.5V 4.1m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 250μA 28nC @ 4.5V ±16V 12V에서 2614pF - 880mW(Ta), 48.4W(Tc)
NTR3A052PZT1G onsemi NTR3A052PZT1G 0.5000
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 ECAD 2138 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR3A052 MOSFET(금속) SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.6A(타) 1.5V, 4.5V 47m옴 @ 3.5A, 4.5V 1V @ 250μA 11.9nC @ 4.5V ±8V 4V에서 1243pF - 860mW(타)
1PMT5934BT1G onsemi 1PMT5934BT1G -
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 ECAD 4690 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 DO-216AA 1PMT5934 3.2W 파워마이트 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.25V @ 200mA 18.2V에서 1μA 24V 19옴
NTJD2152PT4G onsemi NTJD2152PT4G -
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 ECAD 7390 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD21 MOSFET(금속) 270mW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 2 P채널(듀얼) 8V 775mA 300m옴 @ 570mA, 4.5V 1V @ 250μA 4nC @ 4.5V 225pF @ 8V 게임 레벨 레벨
BZX84C4V3LT1 onsemi BZX84C4V3LT1 -
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 ECAD 1933년 0.00000000 온세미 BZX84CxxxLT1G 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±7% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C4 225mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 4.3V 90옴
NSDEMP11XV6T1G onsemi NSDEMP11XV6T1G 0.4200
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 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 NSDEMP11 기준 SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 4,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍 구역 80V 100mA(DC) 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA -55°C ~ 150°C
NRVB0530T1G onsemi NRVB0530T1G 0.4100
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 ECAD 4222 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123 NRVB0530 쇼트키 SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 430mV @ 500mA 30V에서 130μA -65°C ~ 125°C 500mA -
2SK3617-S-TL-E onsemi 2SK3617-S-TL-E 0.5500
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 ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 544
RGF1J onsemi RGF1J 0.4400
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 ECAD 8496 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RGF1 기준 DO-214AC(SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 7,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.3V @ 1A 250ns 600V에서 5μA -65°C ~ 175°C 1A 8.5pF @ 4V, 1MHz
BC807-16LT3G onsemi BC807-16LT3G 0.1900
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 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
MAC08BT1 onsemi MAC08BT1 -
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 ECAD 3887 0.00000000 온세미 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MAC08 SOT-223 (TO-261) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 1,000 하나의 5mA 논리 - 기억카드 200V 800mA 2V 8A @ 60Hz 10mA
BC212LB onsemi BC212LB -
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 ECAD 2796 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC212 350mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100mA 15nA(ICBO) PNP 600mV @ 5mA, 100mA 60 @ 2mA, 5V -
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    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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