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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MPSA13RLRPG onsemi MPSA13RLRPG -
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA13 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
FQB30N06TM onsemi FQB30N06TM -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB3 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 945 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 79W (TC)
NSBC143ZDP6T5G onsemi NSBC143ZDP6T5G 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-963 NSBC143 339MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V - 4.7kohms 47kohms
FQB4N50TM onsemi FQB4N50TM -
RFQ
 ECAD 1191 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB4 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 3.4A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 70W (TC)
BAS70-04LT1G onsemi BAS70-04LT1G 0.2600
RFQ
 ECAD 7106 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 100MA (DC) 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5222BT3G onsemi MMSZ5222BT3G -
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ522 500MW SOD-123 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
2SC3902T onsemi 2SC3902T -
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2SC3902 1.5 w to-126ml 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 200 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 450MV @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 120MHz
IRFR130ATM onsemi IRFR130ATM -
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 13A (TC) 10V 110mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 41W (TC)
FDP2552 onsemi FDP2552 2.2600
RFQ
 ECAD 759 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP25 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 5A (TA), 37A (TC) 6V, 10V 36mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 150W (TC)
2N5486_D27Z onsemi 2N5486_D27Z -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5486 400MHz JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 20MA - - 4db 15 v
MM5Z5V1ST1G onsemi mm5z5v1st1g 0.3200
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z5 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
FQPF5P20 onsemi FQPF5P20 -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 200 v 3.4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - 38W (TC)
FDS8840NZ onsemi FDS8840NZ 2.1100
RFQ
 ECAD 1073 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS8840 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 18.6A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18.6a, 10V 3V @ 250µA 144 NC @ 10 v ± 20V 7535 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
RHRP8120-F102 onsemi RHRP8120-F102 -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 RHRP8120 기준 TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.2 v @ 8 a 70 ns 100 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
PZT3906T1 onsemi PZT3906T1 -
RFQ
 ECAD 2192 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZT390 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PZT3906T1OS 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 200 MA - PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
MJ11021G onsemi MJ11021G 10.2800
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MJ11021 175 w To-204 (To-3) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 250 v 15 a 1MA pnp- 달링턴 3.4V @ 150ma, 15a 400 @ 10a, 5V -
NTMTS1D2N08H onsemi NTMTS1D2N08H 7.1500
RFQ
 ECAD 4382 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ntmts1d MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 41A (TA), 335A (TC) 6V, 10V 1.1MOHM @ 90A, 10V 4V @ 590µA 147 NC @ 10 v ± 20V 10100 pf @ 40 v - 5W (TA), 300W (TC)
MM5Z6V8ST1 onsemi MM5Z6V8ST1 -
RFQ
 ECAD 3994 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z6 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 mm5z6v8st1os 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BZX55C13_T50A onsemi BZX55C13_T50A -
RFQ
 ECAD 7932 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C13 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.3 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
MCR716T4 onsemi MCR716T4 -
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCR71 DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,500 5 MA 400 v 4 a 800 MV 25A @ 60Hz 75 µA 2.6 a 민감한 민감한
SZMM5Z6V8T5G onsemi szmm5z6v8t5g 0.0845
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 SZMM5 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
1N4728ATR_S00Z onsemi 1N4728ATR_S00Z -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4728 1 W. DO-41 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
FDMS8660AS onsemi FDMS8660AS -
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 28A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 28a, 10V 3V @ 1mA 83 NC @ 10 v ± 20V 5865 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 104W (TC)
TIP125G onsemi TIP125G -
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 125 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIP125GOS 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 5 a 500µA pnp- 달링턴 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
SMMUN2111LT1G-M01 onsemi SMMUN2111LT1G-M01 -
RFQ
 ECAD 7789 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 smmun2111 246 MW SOT-23-3 (TO-236) - 영향을받지 영향을받지 488-SMMUN2111LT1G-M01 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V 10 KOHMS 10 KOHMS
NSBC143EF3T5G onsemi NSBC143EF3T5G 0.0986
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-1123 NSBC143 254 MW SOT-1123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 15 @ 5ma, 10V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FQPF4N90 onsemi FQPF4N90 -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF4 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 2.5A (TC) 10V 3.3ohm @ 1.25a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 47W (TC)
FDMD8240LET40 onsemi FDMD8240let40 3.4000
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 12-powerwdfn FDMD8240 MOSFET (금속 (() 50W 12-power3.3x5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 24A 2.6mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 56NC @ 10V 4230pf @ 20V -
FES16CT onsemi FES16CT -
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FES16 기준 TO-220-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A 170pf @ 4V, 1MHz
BZX84B6V2LT1 onsemi BZX84B6V2LT1 -
RFQ
 ECAD 1242 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B6 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZX84B6V2LT1OS 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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