| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTDV18N06LT4G | - | ![]() | 3821 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | NTDV18 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 18A(타) | 5V | 65m옴 @ 9A, 5V | 2V @ 250μA | 22nC @ 5V | ±15V | 675pF @ 25V | - | 2.1W(Ta), 55W(Tj) | ||||||||||||
![]() | IRFR120_R4941 | - | ![]() | 6664 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 100V | 8.4A(Tc) | 10V | 270m옴 @ 5.9A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | NDD05N50Z-1G9 | 0.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC388CTA | - | ![]() | 1596년 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KSC388 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25V | 50mA | 100nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 1.5mA, 15mA | 20 @ 12.5mA, 12.5V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | FQL50N40 | - | ![]() | 2738 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-264-3, TO-264AA | FQL5 | MOSFET(금속) | TO-264-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 375 | N채널 | 400V | 50A(Tc) | 10V | 75m옴 @ 25A, 10V | 5V @ 250μA | 210nC @ 10V | ±30V | 25V에서 7500pF | - | 460W(Tc) | ||||||||||||
![]() | FDFMA2P029Z | - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VDFN 옆 패드 | FDFMA2 | MOSFET(금속) | 6-MicroFET(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 3.1A(타) | 2.5V, 4.5V | 95m옴 @ 3.1A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 10nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 720pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 1.4W(티제이) | |||||||||||
![]() | BC558 | - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC558 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||
![]() | FQD5N50CTM | - | ![]() | 9175 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | FQD5 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 500V | 4A(TC) | 10V | 1.4옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±30V | 25V에서 625pF | - | 2.5W(Ta), 48W(Tc) | ||||||||||||
![]() | IRF634B-FP001 | - | ![]() | 8811 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF634 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 250V | 8.1A(티씨) | 10V | 450m옴 @ 4.05A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1000pF | - | 74W(Tc) | |||||||||||
![]() | FDG6321C-F169 | - | ![]() | 9476 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6321 | MOSFET(금속) | 300mW | SC-70-6 | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N 및 P 채널 | 25V | 500mA(타), 410mA(타) | 450m옴 @ 500mA, 4.5V, 1.1옴 @ 410mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V | 50pF @ 10V, 62pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||
![]() | 2N5551G | - | ![]() | 9844 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2N5551 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 160V | 600mA | 50nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | MSD601-ST1 | - | ![]() | 9569 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MSD60 | 200mW | SC-59 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA | NPN | 500mV @ 10mA, 100mA | 290 @ 2mA, 10V | - | |||||||||||||||
![]() | FDC5614P_D87Z | - | ![]() | 7117 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | FDC5614 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | P채널 | 60V | 3A(타) | 4.5V, 10V | 105m옴 @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±20V | 30V에서 759pF | - | 1.6W(타) | ||||||||||||
![]() | 5HP02M-TL-E | 0.0500 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK1460LS | - | ![]() | 7334 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220FI(LS) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-2SK1460LS-488 | 1 | N채널 | 900V | 3.5A(타) | 10V | 3.6옴 @ 2A, 10V | 3V @ 1mA | ±30V | 20V에서 700pF | - | 2W(Ta), 40W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | NTGD4167CT1G | 0.6700 | ![]() | 949 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | NTGD4167 | MOSFET(금속) | 900mW | 6-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N 및 P 채널 | 30V | 2.6A, 1.9A | 90m옴 @ 2.6A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 5.5nC @ 4.5V | 295pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||
![]() | NTND31225CZTAG | 0.3700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-XFLGA | NTND31225 | MOSFET(금속) | 125mW(타) | 6-XLLLGA(0.9x0.65) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N 및 P 채널 보완 | 20V | 220mA(타), 127mA(타) | 1.5옴 @ 100mA, 4.5V, 5옴 @ 100mA, 4.5V | 1V @ 250μA | - | 12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | FQB2P40TM | - | ![]() | 2415 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB2 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P채널 | 400V | 2A(TC) | 10V | 6.5옴 @ 1A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 350pF | - | 3.13W(Ta), 63W(Tc) | ||||||||||||
![]() | ECH8653-S-TL-H | - | ![]() | 9298 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | 8-SMD, 플랫 리드 | ECH8653 | - | - | 8-ECH | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | NTMFS4H013NFT3G | - | ![]() | 4256 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerTDFN, 5리드 | NTMFS4 | MOSFET(금속) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 25V | 43A(Ta), 269A(Tc) | 4.5V, 10V | 0.9m옴 @ 30A, 10V | 2.1V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±20V | 3923pF @ 12V | - | 2.7W(Ta), 104W(Tc) | |||||||||||
![]() | NVMFS6B14NWFT1G | - | ![]() | 1816년 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerTDFN, 5리드 | NVMFS6 | MOSFET(금속) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 100V | 55A(Tc) | 10V | 15m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±16V | 50V에서 1300pF | - | 3.8W(Ta), 94W(Tc) | |||||||||||
![]() | 5HN01C-TB-EX | - | ![]() | 9601 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 5HN01 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 100mA(Tj) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8878 | 0.7000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | FDS88 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 10.2A(타) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 10.2A, 10V | 2.5V @ 250μA | 26nC @ 10V | ±20V | 897pF @ 15V | - | 2.5W(타) | |||||||||||
![]() | HUFA76419D3 | - | ![]() | 2137 | 0.00000000 | 온세미 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | HUFA76 | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 37m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 27.5nC @ 10V | ±16V | 25V에서 900pF | - | 75W(Tc) | ||||||||||||
![]() | FQA70N15 | - | ![]() | 8966 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA70 | MOSFET(금속) | TO-3PN | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 150V | 70A(Tc) | 10V | 28m옴 @ 35A, 10V | 4V @ 250μA | 175nC @ 10V | ±25V | 5400pF @ 25V | - | 330W(Tc) | |||||||||||
![]() | RFP14N05 | - | ![]() | 2238 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-3 | RFP14 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 50V | 14A(TC) | 100m옴 @ 14A, 10V | 4V @ 250μA | 40nC @ 20V | 25V에서 570pF | - | |||||||||||||||
![]() | FDB12N50FTM-WS | 1.8800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 온세미 | UniFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB12N50 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 500V | 11.5A(Tc) | 10V | 700m옴 @ 6A, 10V | 5V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1395pF | - | 165W(Tc) | |||||||||||
![]() | FCU4300N80Z | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | SuperFET® II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | FCU4300 | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 800V | 1.6A(Tc) | 10V | 4.3옴 @ 800mA, 10V | 4.5V에서 160μA | 8.8nC @ 10V | ±20V | 100V에서 355pF | - | 27.8W(Tc) | |||||||||||
![]() | NTLJS4149PTBG | - | ![]() | 2970 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | NTLJS41 | MOSFET(금속) | 6-WDFN(2x2) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 2.7A(타) | 2.5V, 4.5V | 62m옴 @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 250μA | 15nC @ 4.5V | ±12V | 960pF @ 15V | - | 700mW(타) | ||||||||||||
![]() | HUF76013D3ST | - | ![]() | 5455 | 0.00000000 | 온세미 | UltraFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | HUF76 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 20V | 20A(TC) | 5V, 10V | 22m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±20V | 20V에서 624pF | - | 50W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

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